Ионно-плазменная пассивация поверхности кристаллов CdZnTe

• Veröffentlicht in: Вопросы атомной науки и техники
• Datum: 2004
• Hauptverfasser: Леонов, С.А., Кутний, Д.В., Наконечный, Д.В., Давыдов, Л.Н., Захарченко, А.А., Кутний, В.Е., Рыбка, А.В.
• Format: Artikel
• Sprache: Russisch
• Veröffentlicht: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2004
• Schlagworte: Физика и технология конструкционных материалов
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/81270
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Ионно-плазменная пассивация поверхности кристаллов CdZnTe / С.А. Леонов, Д.В. Кутний, Д.В. Наконечный, Л.Н. Давыдов, А.А. Захарченко, В.Е. Кутний, А.В. Рыбка // Вопросы атомной науки и техники. — 2004. — № 6. — С. 147-151. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.

Описан предложенный авторами метод ионно-плазменной пассивации боковой поверхности полуизолирующего полупроводникового кристалла, такого как CdZnTe. Показано, что пассивация может успешно осуществляться при нанесении покрытия не только из TiO2, но и из Al2O3 или ZrO2. Исследованы вольт-амперные х...