Методика определения содержания галлия в сплаве на основе кремния
Уточнены условия фотометрического метода определения Ga с ксиленоловым оранжевым в слабокислой среде. Подобраны условия определения Ga в сплаве с кремнием в присутствии небольших количеств фторидов. Разработан точный экспрессный метод определения галлия в лигатуре на основе сплава с кремнием в интер...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Вопросы атомной науки и техники |
|---|---|
| Datum: | 2006 |
| Hauptverfasser: | , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2006
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/81317 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Методика определения содержания галлия в сплаве на основе кремния / Л.А. Пироженко, Г.П. Ковтун, Т.П. Рыжова, А.П. Щербань // Вопросы атомной науки и техники. — 2006. — № 1. — С. 30-33. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Zusammenfassung: | Уточнены условия фотометрического метода определения Ga с ксиленоловым оранжевым в слабокислой среде. Подобраны условия определения Ga в сплаве с кремнием в присутствии небольших количеств фторидов. Разработан точный экспрессный метод определения галлия в лигатуре на основе сплава с кремнием в интервале концентраций СGa = 0,02…1,0 мас. %.
Уточнені умови фотометричного методу визначення Ga з ксиленоловим оранжевим у слабокислому
середовищі. Підібрані умови визначення Ga у сплаві з кремнієм у присутності невеликої кількості фторидів.
Розроблений точний експресний метод визначення галію у лігатурі на основі сплаву з кремнієм в інтервалі
концентрацій СGa = 0,1…1,0 мас.%.
The conditions of photometric method for determining Ga with xylenol orange in a weakly acid medium are made more exact. The conditions for determining Ga in alloy with silicon in presence of small quantity of fluorides are selected. The exact express method for determining gallium in ligature on basis of alloy with silicon in the range of concentrations СGa = 0,1…1,0 wt.% is developed.
|
|---|---|
| ISSN: | 1562-6016 |