Методика определения содержания галлия в сплаве на основе кремния

• Опубліковано в: : Вопросы атомной науки и техники
• Дата: 2006
• Автори: Пироженко, Л.А., Ковтун, Г.П., Рыжова, Т.П., Щербань, А.П.
• Формат: Стаття
• Мова: Російська
• Опубліковано: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2006
• Теми: Чистые материалы и вакуумные технологии
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/81317
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Методика определения содержания галлия в сплаве на основе кремния / Л.А. Пироженко, Г.П. Ковтун, Т.П. Рыжова, А.П. Щербань // Вопросы атомной науки и техники. — 2006. — № 1. — С. 30-33. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.

Уточнены условия фотометрического метода определения Ga с ксиленоловым оранжевым в слабокислой среде. Подобраны условия определения Ga в сплаве с кремнием в присутствии небольших количеств фторидов. Разработан точный экспрессный метод определения галлия в лигатуре на основе сплава с кремнием в интервале концентраций СGa = 0,02…1,0 мас. %. Уточнені умови фотометричного методу визначення Ga з ксиленоловим оранжевим у слабокислому
 середовищі. Підібрані умови визначення Ga у сплаві з кремнієм у присутності невеликої кількості фторидів.
 Розроблений точний експресний метод визначення галію у лігатурі на основі сплаву з кремнієм в інтервалі
 концентрацій СGa = 0,1…1,0 мас.%. The conditions of photometric method for determining Ga with xylenol orange in a weakly acid medium are made more exact. The conditions for determining Ga in alloy with silicon in presence of small quantity of fluorides are selected. The exact express method for determining gallium in ligature on basis of alloy with silicon in the range of concentrations СGa = 0,1…1,0 wt.% is developed.