Пружне розсіювання світла поверхнею германію при впливі молекулярного та атомарного водню
Отримано часові залежності пружного розсіювання світла поверхнею германію при обробці в молекулярному та атомарному водні. Встановлено зв'язок спостережуваних особливостей розсіювання світла з теорією. Експерименти подібного роду можна використовувати для контролю очищення та модифікації пов...
Saved in:
| Published in: | Вопросы атомной науки и техники |
|---|---|
| Date: | 2006 |
| Main Author: | |
| Format: | Article |
| Language: | Ukrainian |
| Published: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2006
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/81320 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Пружне розсіювання світла поверхнею германію при впливі молекулярного та атомарного водню / С.Д. Точилін // Вопросы атомной науки и техники. — 2006. — № 1. — С. 38-40. — Бібліогр.: 8 назв. — укр. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Summary: | Отримано часові залежності пружного розсіювання світла поверхнею германію при обробці в
молекулярному та атомарному водні. Встановлено зв'язок спостережуваних особливостей розсіювання
світла з теорією. Експерименти подібного роду можна використовувати для контролю очищення та
модифікації поверхні напівпровідникових матеріалів.
Получены временные зависимости упругого рассеяния света поверхностью германия при обработке в
молекулярном и атомарном водороде. Установлена связь наблюдаемых особенностей рассеяния света с
теорией. Эксперименты подобного рода можно использовать для контроля очистки и модификации
поверхности полупроводниковых материалов.
The temporary dependences for elastic scattering of light by a surface Germany at processing in molecular and
atomic hydrogen have been investigated. The features of light scattering correspond to conclusions of the theory.
The experiments of a similar sort can be used for the control of clearing and updating of semiconductor materials
surface.
|
|---|---|
| ISSN: | 1562-6016 |