Пружне розсіювання світла поверхнею германію при впливі молекулярного та атомарного водню

Отримано часові залежності пружного розсіювання світла поверхнею германію при обробці в молекулярному та атомарному водні. Встановлено зв'язок спостережуваних особливостей розсіювання світла з теорією. Експерименти подібного роду можна використовувати для контролю очищення та модифікації пов...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Вопросы атомной науки и техники
Datum:2006
1. Verfasser: Точилін, С.Д.
Format: Artikel
Sprache:Ukrainian
Veröffentlicht: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2006
Schlagworte:
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/81320
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Пружне розсіювання світла поверхнею германію при впливі молекулярного та атомарного водню / С.Д. Точилін // Вопросы атомной науки и техники. — 2006. — № 1. — С. 38-40. — Бібліогр.: 8 назв. — укр.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Beschreibung
Zusammenfassung:Отримано часові залежності пружного розсіювання світла поверхнею германію при обробці в молекулярному та атомарному водні. Встановлено зв'язок спостережуваних особливостей розсіювання світла з теорією. Експерименти подібного роду можна використовувати для контролю очищення та модифікації поверхні напівпровідникових матеріалів. Получены временные зависимости упругого рассеяния света поверхностью германия при обработке в молекулярном и атомарном водороде. Установлена связь наблюдаемых особенностей рассеяния света с теорией. Эксперименты подобного рода можно использовать для контроля очистки и модификации поверхности полупроводниковых материалов. The temporary dependences for elastic scattering of light by a surface Germany at processing in molecular and atomic hydrogen have been investigated. The features of light scattering correspond to conclusions of the theory. The experiments of a similar sort can be used for the control of clearing and updating of semiconductor materials surface.
ISSN:1562-6016