Electron beam application for mechanical stress relaxation and for SI-SIO₂ interface structural regulation
In this work is shown that: (i) The energies of critical points in the zone diagram of the silicon substrate change under the radiationstimulation relaxation of IMS that was shown by the shifting the electroreflectance and RS spectra; (ii) The Si-SiO2 interface structure is regulated under the ele...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Вопросы атомной науки и техники |
|---|---|
| Дата: | 1999 |
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
1999
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/81353 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Electron beam application for mechanical stress relaxation and for SI-SIO₂ interface structural regulation / L.A. Matveeva, E.F. Vanger, R.Yu. Holine // Вопросы атомной науки и техники. — 1999. — № 3. — С. 103-104. — Бібліогр.: 7 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
Electron states at the Si–SiO₂ boundary (Review)
за авторством: Primachenko, V.E., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Primachenko, V.E., та інші
Опубліковано: (2005)
Interface features of SiO₂/SiC heterostructures according to methods for producing the SiO₂ thin films
за авторством: Bacherikov, Yu.Yu., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Bacherikov, Yu.Yu., та інші
Опубліковано: (2012)
Relaxation of photodarkening in SiO-As₂(S,Se)₃ composite layers
за авторством: Indutnyi, I.Z., та інші
Опубліковано: (1999)
за авторством: Indutnyi, I.Z., та інші
Опубліковано: (1999)
Investigation of the undersurface damaged layers in silicon wafers
за авторством: Holiney, R.Yu., та інші
Опубліковано: (1999)
за авторством: Holiney, R.Yu., та інші
Опубліковано: (1999)
Interface features of SiO2/SiC heterostructures according to methods for producing the SiO2 thin films
за авторством: Yu. Yu. Bacherikov, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Yu. Yu. Bacherikov, та інші
Опубліковано: (2012)
Radiative relaxation of relativistic electron beam in helical undulator
за авторством: Ognivenko, V.V.
Опубліковано: (2006)
за авторством: Ognivenko, V.V.
Опубліковано: (2006)
Electroreflectance spectroscopy and scanning electron microscopy study of microrelief silicon wafers with various surface pretreatments
за авторством: Gorbach, T.Ya., та інші
Опубліковано: (1998)
за авторством: Gorbach, T.Ya., та інші
Опубліковано: (1998)
Computational studies on the behaviour of anionic and nonionic surfactants at the SiO₂ (silicon dioxide)/water interface
за авторством: Nunez-Rojas, E., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Nunez-Rojas, E., та інші
Опубліковано: (2016)
Thermally induced relaxation of optical absorption and photochromic effect in Bi₁₂SiO₂₀:Cu crystals
за авторством: Panchenko, T.V., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Panchenko, T.V., та інші
Опубліковано: (2007)
Electron transport through nanocomposite SiO₂(Si) films containing Si nanocrystals
за авторством: Bratus, O.L., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Bratus, O.L., та інші
Опубліковано: (2016)
Electron transport through nanocomposite SiO2(Si) films containing Si nanocrystals
за авторством: O. L. Bratus, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: O. L. Bratus, та інші
Опубліковано: (2016)
Микроскопическая природа оптических центров Pr³⁺ в кристаллах Y₂SiO₅, Lu₂SiO₅, Gd₂SiO₅
за авторством: Малюкин, Ю.В., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Малюкин, Ю.В., та інші
Опубліковано: (2002)
Селективная спектроскопия примесных ионов Pr³⁺ в кристаллах Y₂SiO₅ , Gd₂SiO₅ , Lu₂SiO₅
за авторством: Малюкин, Ю.В., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Малюкин, Ю.В., та інші
Опубліковано: (2000)
Analysis of the fundamental absorption edge of the films obtained from the C₆₀ fullerene molecular beam in vacuum and effect of internal mechanical stresses on it
за авторством: Kolyadina, E.Yu., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Kolyadina, E.Yu., та інші
Опубліковано: (2015)
Effect of low-temperature treatments on photoluminescence enhancement of ion-beam synthesized Si nanocrystals in SiO₂ matrix
за авторством: Khatsevich, I., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Khatsevich, I., та інші
Опубліковано: (2008)
Проявление квазисимметрии катионных узлов Gd₂SiO₅, ₂SiO₅ и Lu₂SiO₅ в спектрах примесного иона Pr³⁺
за авторством: Малюкин, Ю.В., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Малюкин, Ю.В., та інші
Опубліковано: (2001)
Application of the Judd-Ofelt theory to Pr³⁺ ions in Y₂SiO₅ crystals
за авторством: Zhmurin, P.N.
Опубліковано: (2007)
за авторством: Zhmurin, P.N.
Опубліковано: (2007)
Photoconductivity relaxation and electron transport in macroporous silicon structures
за авторством: Karachevtseva, L.A., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Karachevtseva, L.A., та інші
Опубліковано: (2017)
Роль поверхности в формировании свойств пирогенных нанокомпозитов SiO₂-Al₂O₃, SiO₂-ТіO₂ и Al₂O₃-SiO₂-ТіO₂
за авторством: Горбик, П.П., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Горбик, П.П., та інші
Опубліковано: (2006)
Microstructure of the relaxed (001) Si surface
за авторством: Kiv, A.E., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Kiv, A.E., та інші
Опубліковано: (2000)
Properties of SiO₂-GaAs and Au-Ti-SiO₂-GaAs structures used in production of transmission lines
за авторством: Boltovets, N.S., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Boltovets, N.S., та інші
Опубліковано: (2002)
Water bounding peculiarities in SiO2 / laevomycetin and SiO2 / laevomycetin / AM1 composite systems
за авторством: T. V. Krupskaja, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: T. V. Krupskaja, та інші
Опубліковано: (2018)
Molecular dynamics calculation of thermal conductivity in a-SiO2 and an a-SiO2-based nanocomposite
за авторством: V. V. Kuryliuk, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: V. V. Kuryliuk, та інші
Опубліковано: (2016)
Molecular dynamics calculation of thermal conductivity in a-SiO2 and an a-SiO2-based nanocomposite
за авторством: V. V. Kuryliuk, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: V. V. Kuryliuk, та інші
Опубліковано: (2016)
Особенности связывания воды в композитних системах SiO₂ / левомицетин и SiO₂ / левомицетин / АМ1
за авторством: Крупская, Т.В., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Крупская, Т.В., та інші
Опубліковано: (2018)
Conductivity of the Bi₁₂SiO₂₀ thin films
за авторством: Plyaka, S.N., та інші
Опубліковано: (1999)
за авторством: Plyaka, S.N., та інші
Опубліковано: (1999)
Studies and applications of doppler effect for electron polarization and diagnostics of electron beams
за авторством: Ivanov, B.I.
Опубліковано: (2003)
за авторством: Ivanov, B.I.
Опубліковано: (2003)
Modification of properties of the glass-Si₃N₄-Si-SiO₂ structure at laser treatment
за авторством: Konakova, R.V., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Konakova, R.V., та інші
Опубліковано: (2009)
Дослідження взаємодії еритроцитів з пірогенними оксидами SiO2, Al2O3/SiO2 та TiO2/SiO2 шляхом вимірювання параметрів світлорозсіювання
за авторством: Gerashchenko, I. I., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Gerashchenko, I. I., та інші
Опубліковано: (2010)
Non-Markovian electron-phonon relaxation
за авторством: Morozov, V.G.
Опубліковано: (2000)
за авторством: Morozov, V.G.
Опубліковано: (2000)
Spectral-ellipsometric examining the films of gold nanoparticles on Si/SiO₂ substrate
за авторством: Bortchagovsky, E.G., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Bortchagovsky, E.G., та інші
Опубліковано: (2012)
Complex destruction of near-surface silicon layers of Si-SiO₂ structure
за авторством: Yatsunskiy, I.R., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Yatsunskiy, I.R., та інші
Опубліковано: (2010)
Effect of pressure on the properties of Al-SiO₂-n-Si<Ni> structures
за авторством: Vlasov, S.I., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Vlasov, S.I., та інші
Опубліковано: (2012)
Production of titanium ingots with regulated oxygen content by electron beam melting
за авторством: S. V. Akhonin, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: S. V. Akhonin, та інші
Опубліковано: (2021)
The features of structural-impurity ordering of interfaces in Ta₂O₅-p-Si heterostructures (exposed to microwave pretreatment and aging) induced by further microwave treatment
за авторством: Kolyadina, E.Yu., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Kolyadina, E.Yu., та інші
Опубліковано: (2008)
Optical absorption of Bi₁₂SiO₂₀:Sn crystals
за авторством: Panchenko, T.V., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Panchenko, T.V., та інші
Опубліковано: (2015)
Thermal conductivity of argon–SiO₂ cryocrystal nanocomposite
за авторством: Nikonkov, R.V., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Nikonkov, R.V., та інші
Опубліковано: (2016)
Вторичные реакции этилена в синтезе Фишера–Тропша на Co/SiO2*Co(II)-, Co/SiO2*V(V)-и Co/SiO2*Zr(IV)-катализаторах
за авторством: Якубович, М.Н., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Якубович, М.Н., та інші
Опубліковано: (2001)
Strain relaxation in thin Si₁-ₓ-yGeₓCy layers on Si substrates
за авторством: Valakh, M.Ya., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Valakh, M.Ya., та інші
Опубліковано: (2006)
Electron-electron and electron-phonon relaxation in metals excited by optical pulse
за авторством: V. V. Kabanov
Опубліковано: (2020)
за авторством: V. V. Kabanov
Опубліковано: (2020)