Теория и моделирование имплантации ионов бора в монокристаллы кремния

• Veröffentlicht in: Вопросы атомной науки и техники
• Datum: 2006
• ISSN: 1562-6016
• Hauptverfasser: Братченко, М.И., Дюльдя, С.В., Бакай, А.С.
• Format: Artikel
• Sprache: Russisch
• Veröffentlicht: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2006
• Schlagworte: Работы молодых ученых института физики твердого тела, материаловедения и технологий ННЦ ХФТИ
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/81440
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Теория и моделирование имплантации ионов бора в монокристаллы кремния / М.И. Братченко, С.В. Дюльдя, А.С. Бакай // Вопросы атомной науки и техники. — 2006. — № 1. — С. 179-183. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.

Построена стохастическая теория кинетики аксиального каналирования ионов низких энергий, учитывающая потери полной энергии при движении иона в канале. Получено аналитическое выражение для функции деканалирования ионов. Проведено сравнение результатов расчета функции деканалирования и профиля внедрения ионов бора различных энергий, падающих на кристалл кремния в направлении <100>, с результатами компьютерного моделирования и экспериментальными данными, и получено хорошее качественное и количественное согласие. Побудовано стохастичну теорію кінетики аксіального каналювання іонів низьких енергій з урахуванням
 втрат повної енергії при русі іона в каналі. Отримано аналітичний вираз для функції деканалювання іонів.
 Проведено порівняння результатів розрахунку функції деканалювання та профілю залягання іонів бору
 різних енергій, що падають на кристал кремнію в напрямку <100>, з результатами комп'ютерного
 моделювання та експериментальними даними, і отримано добре якісне та кількісне узгодження. The stochastic theory of kinetics of axial channeling of low energies ions has been built taking into account the
 energy losses of ions in a channel. The analytical expression for the dechanneling function of ions has been obtained.
 The dechanneling fucntions and dopant profiles of boron ions of various energies implanted into the silicon
 single crystal along the <100> direction have been calculation both analytically and by means of the computer simulation
 method and good qualitative and quantitative agreement between the results of calculations and the experimental
 SIMS data has been achieved.