Теория и моделирование имплантации ионов бора в монокристаллы кремния
Построена стохастическая теория кинетики аксиального каналирования ионов низких энергий, учитывающая потери полной энергии при движении иона в канале. Получено аналитическое выражение для функции деканалирования ионов. Проведено сравнение результатов расчета функции деканалирования и профиля внедрен...
Saved in:
| Published in: | Вопросы атомной науки и техники |
|---|---|
| Date: | 2006 |
| Main Authors: | , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2006
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/81440 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Теория и моделирование имплантации ионов бора в монокристаллы кремния / М.И. Братченко, С.В. Дюльдя, А.С. Бакай // Вопросы атомной науки и техники. — 2006. — № 1. — С. 179-183. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862747484364734464 |
|---|---|
| author | Братченко, М.И. Дюльдя, С.В. Бакай, А.С. |
| author_facet | Братченко, М.И. Дюльдя, С.В. Бакай, А.С. |
| citation_txt | Теория и моделирование имплантации ионов бора в монокристаллы кремния / М.И. Братченко, С.В. Дюльдя, А.С. Бакай // Вопросы атомной науки и техники. — 2006. — № 1. — С. 179-183. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Вопросы атомной науки и техники |
| description | Построена стохастическая теория кинетики аксиального каналирования ионов низких энергий, учитывающая потери полной энергии при движении иона в канале. Получено аналитическое выражение для функции деканалирования ионов. Проведено сравнение результатов расчета функции деканалирования и профиля внедрения ионов бора различных энергий, падающих на кристалл кремния в направлении <100>, с результатами компьютерного моделирования и экспериментальными данными, и получено хорошее качественное и количественное согласие.
Побудовано стохастичну теорію кінетики аксіального каналювання іонів низьких енергій з урахуванням
втрат повної енергії при русі іона в каналі. Отримано аналітичний вираз для функції деканалювання іонів.
Проведено порівняння результатів розрахунку функції деканалювання та профілю залягання іонів бору
різних енергій, що падають на кристал кремнію в напрямку <100>, з результатами комп'ютерного
моделювання та експериментальними даними, і отримано добре якісне та кількісне узгодження.
The stochastic theory of kinetics of axial channeling of low energies ions has been built taking into account the
energy losses of ions in a channel. The analytical expression for the dechanneling function of ions has been obtained.
The dechanneling fucntions and dopant profiles of boron ions of various energies implanted into the silicon
single crystal along the <100> direction have been calculation both analytically and by means of the computer simulation
method and good qualitative and quantitative agreement between the results of calculations and the experimental
SIMS data has been achieved.
|
| first_indexed | 2025-12-07T20:51:32Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-81440 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1562-6016 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T20:51:32Z |
| publishDate | 2006 |
| publisher | Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Братченко, М.И. Дюльдя, С.В. Бакай, А.С. 2015-05-15T17:04:39Z 2015-05-15T17:04:39Z 2006 Теория и моделирование имплантации ионов бора в монокристаллы кремния / М.И. Братченко, С.В. Дюльдя, А.С. Бакай // Вопросы атомной науки и техники. — 2006. — № 1. — С. 179-183. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. 1562-6016 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/81440 539+621.039 Построена стохастическая теория кинетики аксиального каналирования ионов низких энергий, учитывающая потери полной энергии при движении иона в канале. Получено аналитическое выражение для функции деканалирования ионов. Проведено сравнение результатов расчета функции деканалирования и профиля внедрения ионов бора различных энергий, падающих на кристалл кремния в направлении <100>, с результатами компьютерного моделирования и экспериментальными данными, и получено хорошее качественное и количественное согласие. Побудовано стохастичну теорію кінетики аксіального каналювання іонів низьких енергій з урахуванням
 втрат повної енергії при русі іона в каналі. Отримано аналітичний вираз для функції деканалювання іонів.
 Проведено порівняння результатів розрахунку функції деканалювання та профілю залягання іонів бору
 різних енергій, що падають на кристал кремнію в напрямку <100>, з результатами комп'ютерного
 моделювання та експериментальними даними, і отримано добре якісне та кількісне узгодження. The stochastic theory of kinetics of axial channeling of low energies ions has been built taking into account the
 energy losses of ions in a channel. The analytical expression for the dechanneling function of ions has been obtained.
 The dechanneling fucntions and dopant profiles of boron ions of various energies implanted into the silicon
 single crystal along the <100> direction have been calculation both analytically and by means of the computer simulation
 method and good qualitative and quantitative agreement between the results of calculations and the experimental
 SIMS data has been achieved. ru Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України Вопросы атомной науки и техники Работы молодых ученых института физики твердого тела, материаловедения и технологий ННЦ ХФТИ Теория и моделирование имплантации ионов бора в монокристаллы кремния Теорія і моделювання імплантації іонів бора в монокристали кремнію Theory and modeling of ion implantation boron in si monocrystal Article published earlier |
| spellingShingle | Теория и моделирование имплантации ионов бора в монокристаллы кремния Братченко, М.И. Дюльдя, С.В. Бакай, А.С. Работы молодых ученых института физики твердого тела, материаловедения и технологий ННЦ ХФТИ |
| title | Теория и моделирование имплантации ионов бора в монокристаллы кремния |
| title_alt | Теорія і моделювання імплантації іонів бора в монокристали кремнію Theory and modeling of ion implantation boron in si monocrystal |
| title_full | Теория и моделирование имплантации ионов бора в монокристаллы кремния |
| title_fullStr | Теория и моделирование имплантации ионов бора в монокристаллы кремния |
| title_full_unstemmed | Теория и моделирование имплантации ионов бора в монокристаллы кремния |
| title_short | Теория и моделирование имплантации ионов бора в монокристаллы кремния |
| title_sort | теория и моделирование имплантации ионов бора в монокристаллы кремния |
| topic | Работы молодых ученых института физики твердого тела, материаловедения и технологий ННЦ ХФТИ |
| topic_facet | Работы молодых ученых института физики твердого тела, материаловедения и технологий ННЦ ХФТИ |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/81440 |
| work_keys_str_mv | AT bratčenkomi teoriâimodelirovanieimplantaciiionovboravmonokristallykremniâ AT dûlʹdâsv teoriâimodelirovanieimplantaciiionovboravmonokristallykremniâ AT bakaias teoriâimodelirovanieimplantaciiionovboravmonokristallykremniâ AT bratčenkomi teoríâímodelûvannâímplantacíííonívboravmonokristalikremníû AT dûlʹdâsv teoríâímodelûvannâímplantacíííonívboravmonokristalikremníû AT bakaias teoríâímodelûvannâímplantacíííonívboravmonokristalikremníû AT bratčenkomi theoryandmodelingofionimplantationboroninsimonocrystal AT dûlʹdâsv theoryandmodelingofionimplantationboroninsimonocrystal AT bakaias theoryandmodelingofionimplantationboroninsimonocrystal |