Доменная модель аномального сопротивления плазмы

Показано, что переход части электронов плазмы из свободного (токопроводящего) состояния в связанное состояние – в слои избыточного отрицательного заряда при генерации электрических доменов приводит к снижению проводимости плазмы. Дифференциальная проводимость плазмы является отрицательной. Получена...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Вопросы атомной науки и техники
Date:2000
Main Author: Орешко, А.Г.
Format: Article
Language:Russian
Published: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2000
Subjects:
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/81598
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Доменная модель аномального сопротивления плазмы / А.Г. Орешко // Вопросы атомной науки и техники. — 2000. — № 1. — С. 13-16. — Бібліогр.: 19 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-81598
record_format dspace
spelling Орешко, А.Г.
2015-05-18T12:22:42Z
2015-05-18T12:22:42Z
2000
Доменная модель аномального сопротивления плазмы / А.Г. Орешко // Вопросы атомной науки и техники. — 2000. — № 1. — С. 13-16. — Бібліогр.: 19 назв. — рос.
1562-6016
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/81598
533.9
Показано, что переход части электронов плазмы из свободного (токопроводящего) состояния в связанное состояние – в слои избыточного отрицательного заряда при генерации электрических доменов приводит к снижению проводимости плазмы. Дифференциальная проводимость плазмы является отрицательной. Получена ампер-вольтная зависимость для катодной плазмы в магнитно-изолированном диоде ускорителя.
ru
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
Вопросы атомной науки и техники
Релятивистская плазменная элeктрoника
Доменная модель аномального сопротивления плазмы
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Доменная модель аномального сопротивления плазмы
spellingShingle Доменная модель аномального сопротивления плазмы
Орешко, А.Г.
Релятивистская плазменная элeктрoника
title_short Доменная модель аномального сопротивления плазмы
title_full Доменная модель аномального сопротивления плазмы
title_fullStr Доменная модель аномального сопротивления плазмы
title_full_unstemmed Доменная модель аномального сопротивления плазмы
title_sort доменная модель аномального сопротивления плазмы
author Орешко, А.Г.
author_facet Орешко, А.Г.
topic Релятивистская плазменная элeктрoника
topic_facet Релятивистская плазменная элeктрoника
publishDate 2000
language Russian
container_title Вопросы атомной науки и техники
publisher Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
format Article
description Показано, что переход части электронов плазмы из свободного (токопроводящего) состояния в связанное состояние – в слои избыточного отрицательного заряда при генерации электрических доменов приводит к снижению проводимости плазмы. Дифференциальная проводимость плазмы является отрицательной. Получена ампер-вольтная зависимость для катодной плазмы в магнитно-изолированном диоде ускорителя.
issn 1562-6016
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/81598
citation_txt Доменная модель аномального сопротивления плазмы / А.Г. Орешко // Вопросы атомной науки и техники. — 2000. — № 1. — С. 13-16. — Бібліогр.: 19 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT oreškoag domennaâmodelʹanomalʹnogosoprotivleniâplazmy
first_indexed 2025-12-07T19:14:54Z
last_indexed 2025-12-07T19:14:54Z
_version_ 1850878086727335936