Доменная модель аномального сопротивления плазмы
Показано, что переход части электронов плазмы из свободного (токопроводящего) состояния в связанное состояние – в слои избыточного отрицательного заряда при генерации электрических доменов приводит к снижению проводимости плазмы. Дифференциальная проводимость плазмы является отрицательной. Получена...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Вопросы атомной науки и техники |
|---|---|
| Datum: | 2000 |
| 1. Verfasser: | |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2000
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/81598 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Доменная модель аномального сопротивления плазмы / А.Г. Орешко // Вопросы атомной науки и техники. — 2000. — № 1. — С. 13-16. — Бібліогр.: 19 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862729450880237568 |
|---|---|
| author | Орешко, А.Г. |
| author_facet | Орешко, А.Г. |
| citation_txt | Доменная модель аномального сопротивления плазмы / А.Г. Орешко // Вопросы атомной науки и техники. — 2000. — № 1. — С. 13-16. — Бібліогр.: 19 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Вопросы атомной науки и техники |
| description | Показано, что переход части электронов плазмы из свободного (токопроводящего) состояния в связанное состояние – в слои избыточного отрицательного заряда при генерации электрических доменов приводит к снижению проводимости плазмы. Дифференциальная проводимость плазмы является отрицательной. Получена ампер-вольтная зависимость для катодной плазмы в магнитно-изолированном диоде ускорителя.
|
| first_indexed | 2025-12-07T19:14:54Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-81598 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1562-6016 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T19:14:54Z |
| publishDate | 2000 |
| publisher | Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Орешко, А.Г. 2015-05-18T12:22:42Z 2015-05-18T12:22:42Z 2000 Доменная модель аномального сопротивления плазмы / А.Г. Орешко // Вопросы атомной науки и техники. — 2000. — № 1. — С. 13-16. — Бібліогр.: 19 назв. — рос. 1562-6016 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/81598 533.9 Показано, что переход части электронов плазмы из свободного (токопроводящего) состояния в связанное состояние – в слои избыточного отрицательного заряда при генерации электрических доменов приводит к снижению проводимости плазмы. Дифференциальная проводимость плазмы является отрицательной. Получена ампер-вольтная зависимость для катодной плазмы в магнитно-изолированном диоде ускорителя. ru Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України Вопросы атомной науки и техники Релятивистская плазменная элeктрoника Доменная модель аномального сопротивления плазмы Article published earlier |
| spellingShingle | Доменная модель аномального сопротивления плазмы Орешко, А.Г. Релятивистская плазменная элeктрoника |
| title | Доменная модель аномального сопротивления плазмы |
| title_full | Доменная модель аномального сопротивления плазмы |
| title_fullStr | Доменная модель аномального сопротивления плазмы |
| title_full_unstemmed | Доменная модель аномального сопротивления плазмы |
| title_short | Доменная модель аномального сопротивления плазмы |
| title_sort | доменная модель аномального сопротивления плазмы |
| topic | Релятивистская плазменная элeктрoника |
| topic_facet | Релятивистская плазменная элeктрoника |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/81598 |
| work_keys_str_mv | AT oreškoag domennaâmodelʹanomalʹnogosoprotivleniâplazmy |