Вплив металу на поверхневі характеристики напівпровідника
В наближенні діелектричного формалізму при відсутності безпосереднього контакту напівпровідник–метал та зовнішньої напруги для несиметричної за об’ємними та поверхневими характеристиками «напівпровідник–вакуум–метал» (НВМ) системи розраховано потенціал їх взаємодії, який враховує відмінності в об’єм...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Поверхность |
|---|---|
| Дата: | 2011 |
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Українська |
| Опубліковано: |
Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка НАН України
2011
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/82172 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Вплив металу на поверхневі характеристики напівпровідника / Л.Г. Ільченко, В.В. Ільченко, В.В. Лобанов // Поверхность. — 2011. — Вип. 3 (18). — С. 29-49. — Бібліогр.: 35 назв. — укр. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862694156286033920 |
|---|---|
| author | Ільченко, Л.Г. Ільченко, В.В. Лобанов, В.В. |
| author_facet | Ільченко, Л.Г. Ільченко, В.В. Лобанов, В.В. |
| citation_txt | Вплив металу на поверхневі характеристики напівпровідника / Л.Г. Ільченко, В.В. Ільченко, В.В. Лобанов // Поверхность. — 2011. — Вип. 3 (18). — С. 29-49. — Бібліогр.: 35 назв. — укр. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Поверхность |
| description | В наближенні діелектричного формалізму при відсутності безпосереднього контакту напівпровідник–метал та зовнішньої напруги для несиметричної за об’ємними та поверхневими характеристиками «напівпровідник–вакуум–метал» (НВМ) системи розраховано потенціал їх взаємодії, який враховує відмінності в об’ємних властивостях кожного з трьох середовищ, зарядовий стан поверхонь напівпровідника і металу та їх мікроскопічну структуру. Неперервність потенціалу сил зображення і, відповідно, сумарного потенціалу та єдиний (вакуумний) рівень відліку енергії в НВМ системі забезпечується коректним урахуванням просторової дисперсії функцій діелектричної проникності напівпровідника та металу.
В приближении диэлектрического формализма, при отсутствии непосредственного контакта полупроводник–металл и внешнего напряжения для несимметричной по объемным и поверхностным характеристикам системы полупроводник–вакуум–металл (ПВМ) рассчитан потенциал их взаимодействия, который учитывает различия в объемных свойствах каждой из трех сред, зарядовое состояние поверхностей полупроводника и металла, а также их микроскопическую структуру. Непрерывность потенциала сил изображения и, соответственно, суммарного потенциала и единый (вакуумный) уровень отсчета энергии в ПВМ системе обеспечивается корректным учетом пространственной дисперсии функций диэлектрического проникновения полупроводника и металла.
Within the framework of dielectric formalism in absence of direct semiconductor-metal contact and external tension, the interaction potential has been calculated in the system with asymmetric bulk and surface characteristics of semiconductor-vacuum-metal (SVM) system taking into account distinctions in bulk properties of all three media, the charge status of semiconductor and metal surfaces as well as their microscopic structures. The continuity of image forces and respectively that of total potential as well as an unique (vacuum) level of energy scale in the SVM system are provided by correct counting spatial dispersion in the permittivity functions for both semiconductor and metal.
|
| first_indexed | 2025-12-07T16:22:19Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-82172 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | XXXX-0106 |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2025-12-07T16:22:19Z |
| publishDate | 2011 |
| publisher | Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Ільченко, Л.Г. Ільченко, В.В. Лобанов, В.В. 2015-05-26T15:07:15Z 2015-05-26T15:07:15Z 2011 Вплив металу на поверхневі характеристики напівпровідника / Л.Г. Ільченко, В.В. Ільченко, В.В. Лобанов // Поверхность. — 2011. — Вип. 3 (18). — С. 29-49. — Бібліогр.: 35 назв. — укр. XXXX-0106 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/82172 539.2.01 В наближенні діелектричного формалізму при відсутності безпосереднього контакту напівпровідник–метал та зовнішньої напруги для несиметричної за об’ємними та поверхневими характеристиками «напівпровідник–вакуум–метал» (НВМ) системи розраховано потенціал їх взаємодії, який враховує відмінності в об’ємних властивостях кожного з трьох середовищ, зарядовий стан поверхонь напівпровідника і металу та їх мікроскопічну структуру. Неперервність потенціалу сил зображення і, відповідно, сумарного потенціалу та єдиний (вакуумний) рівень відліку енергії в НВМ системі забезпечується коректним урахуванням просторової дисперсії функцій діелектричної проникності напівпровідника та металу. В приближении диэлектрического формализма, при отсутствии непосредственного контакта полупроводник–металл и внешнего напряжения для несимметричной по объемным и поверхностным характеристикам системы полупроводник–вакуум–металл (ПВМ) рассчитан потенциал их взаимодействия, который учитывает различия в объемных свойствах каждой из трех сред, зарядовое состояние поверхностей полупроводника и металла, а также их микроскопическую структуру. Непрерывность потенциала сил изображения и, соответственно, суммарного потенциала и единый (вакуумный) уровень отсчета энергии в ПВМ системе обеспечивается корректным учетом пространственной дисперсии функций диэлектрического проникновения полупроводника и металла. Within the framework of dielectric formalism in absence of direct semiconductor-metal contact and external tension, the interaction potential has been calculated in the system with asymmetric bulk and surface characteristics of semiconductor-vacuum-metal (SVM) system taking into account distinctions in bulk properties of all three media, the charge status of semiconductor and metal surfaces as well as their microscopic structures. The continuity of image forces and respectively that of total potential as well as an unique (vacuum) level of energy scale in the SVM system are provided by correct counting spatial dispersion in the permittivity functions for both semiconductor and metal. uk Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка НАН України Поверхность Теория химического строения и реакционной способности поверхности. Моделирование процессов на поверхности Вплив металу на поверхневі характеристики напівпровідника Влияние металла на поверхностные характеристики полупроводника Efect of metal on the surface characteristics of semiconductor Article published earlier |
| spellingShingle | Вплив металу на поверхневі характеристики напівпровідника Ільченко, Л.Г. Ільченко, В.В. Лобанов, В.В. Теория химического строения и реакционной способности поверхности. Моделирование процессов на поверхности |
| title | Вплив металу на поверхневі характеристики напівпровідника |
| title_alt | Влияние металла на поверхностные характеристики полупроводника Efect of metal on the surface characteristics of semiconductor |
| title_full | Вплив металу на поверхневі характеристики напівпровідника |
| title_fullStr | Вплив металу на поверхневі характеристики напівпровідника |
| title_full_unstemmed | Вплив металу на поверхневі характеристики напівпровідника |
| title_short | Вплив металу на поверхневі характеристики напівпровідника |
| title_sort | вплив металу на поверхневі характеристики напівпровідника |
| topic | Теория химического строения и реакционной способности поверхности. Моделирование процессов на поверхности |
| topic_facet | Теория химического строения и реакционной способности поверхности. Моделирование процессов на поверхности |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/82172 |
| work_keys_str_mv | AT ílʹčenkolg vplivmetalunapoverhnevíharakteristikinapívprovídnika AT ílʹčenkovv vplivmetalunapoverhnevíharakteristikinapívprovídnika AT lobanovvv vplivmetalunapoverhnevíharakteristikinapívprovídnika AT ílʹčenkolg vliâniemetallanapoverhnostnyeharakteristikipoluprovodnika AT ílʹčenkovv vliâniemetallanapoverhnostnyeharakteristikipoluprovodnika AT lobanovvv vliâniemetallanapoverhnostnyeharakteristikipoluprovodnika AT ílʹčenkolg efectofmetalonthesurfacecharacteristicsofsemiconductor AT ílʹčenkovv efectofmetalonthesurfacecharacteristicsofsemiconductor AT lobanovvv efectofmetalonthesurfacecharacteristicsofsemiconductor |