Осциляції термоелектричних параметрів у квантових ямах халькогенідів свинцю

У роботі на основі теоретичної моделі квантової ями з безмежно високими стінками детально досліджено залежності термоелектричних параметрів від товщини наноструктур халькогенідів свинцю (PbTe, PbSe, PbS). Виявлено, що у таких структурах має місце немонотонний хід коефіцієнту Зеєбека S при зміні шири...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Поверхность
Datum:2011
Hauptverfasser: Фреїк, Д.М., Юрчишин, І.К., Чобанюк, В.М.
Format: Artikel
Sprache:Ukrainisch
Veröffentlicht: Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка НАН України 2011
Schlagworte:
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/82214
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Осциляції термоелектричних параметрів у квантових ямах халькогенідів свинцю / Д.М. Фреїк, І.К. Юрчишин, В.М. Чобанюк // Поверхность. — 2011. — Вип. 3 (18). — С. 275-282. — Бібліогр.: 20 назв. — укр.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
_version_ 1862565911947378688
author Фреїк, Д.М.
Юрчишин, І.К.
Чобанюк, В.М.
author_facet Фреїк, Д.М.
Юрчишин, І.К.
Чобанюк, В.М.
citation_txt Осциляції термоелектричних параметрів у квантових ямах халькогенідів свинцю / Д.М. Фреїк, І.К. Юрчишин, В.М. Чобанюк // Поверхность. — 2011. — Вип. 3 (18). — С. 275-282. — Бібліогр.: 20 назв. — укр.
collection DSpace DC
container_title Поверхность
description У роботі на основі теоретичної моделі квантової ями з безмежно високими стінками детально досліджено залежності термоелектричних параметрів від товщини наноструктур халькогенідів свинцю (PbTe, PbSe, PbS). Виявлено, що у таких структурах має місце немонотонний хід коефіцієнту Зеєбека S при зміні ширини ями. На основі періоду осциляцій Δdексп здійснено наближення теоретичних d-залежностей коефіцієнту S з експериментальними, та визначено значення енергії Фермі у відповідних наноструктурах. Показано, що мінімальна ширина квантової ями dмін,, при якій перший енергетичний рівень дорівнює енергії Фермі, співпадає з періодом осциляцій коефіцієнту Зеєбека у такій структурі. В работе на основе теоретической модели квантовой ямы с бесконечно высокими стенками детально исследованы зависимости термоэлектрических параметров от толщины наноструктур халькогенидов свинца (PbTe, PbSe, PbS). Выявлено, что в таких структурах имеет место немонотонный ход коэффициента Зеебека S при изменении ширины ямы. На основе периода осцилляций Δdексп достигнуто приближение теоретических d–зависимостей коэффициента S с экспериментальными, и определены значения энергии Ферми в соответствующих наноструктурах. Показано, что минимальная ширина квантовой ямы dмин,, при которой первый энергетический уровень равен энергии Ферми, совпадает с периодом осцилляций коэффициента Зеебека в такой структуре. Basing on The theoretical model for quantum well with infinitely high walls, thickness dependences for thermoelectric parameters of lead chalcogenides (PbTe, PbSe, PbS) nanostructures have been investigated in detail. It has been found that nonmonotonous behavior of Seebeck coefficient S with changing the well thickness in these structures takes place. Basing on the oscillations period Δdexp the approximation of theoretical d–dependencies of Seebeck coefficient S with experimental was carried out and the Fermi energy in the respective structures was determined. It has been shown that minimum guantum well width dmin, coincides with oscillations period Δdexp of Seebeck coefficient in this structure when the first energy level is equal to Fermi energy EF.
first_indexed 2025-11-26T00:08:10Z
format Article
fulltext
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-82214
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
issn XXXX-0106
language Ukrainian
last_indexed 2025-11-26T00:08:10Z
publishDate 2011
publisher Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка НАН України
record_format dspace
spelling Фреїк, Д.М.
Юрчишин, І.К.
Чобанюк, В.М.
2015-05-26T16:29:57Z
2015-05-26T16:29:57Z
2011
Осциляції термоелектричних параметрів у квантових ямах халькогенідів свинцю / Д.М. Фреїк, І.К. Юрчишин, В.М. Чобанюк // Поверхность. — 2011. — Вип. 3 (18). — С. 275-282. — Бібліогр.: 20 назв. — укр.
XXXX-0106
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/82214
53.072.001.57+537.222.2
У роботі на основі теоретичної моделі квантової ями з безмежно високими стінками детально досліджено залежності термоелектричних параметрів від товщини наноструктур халькогенідів свинцю (PbTe, PbSe, PbS). Виявлено, що у таких структурах має місце немонотонний хід коефіцієнту Зеєбека S при зміні ширини ями. На основі періоду осциляцій Δdексп здійснено наближення теоретичних d-залежностей коефіцієнту S з експериментальними, та визначено значення енергії Фермі у відповідних наноструктурах. Показано, що мінімальна ширина квантової ями dмін,, при якій перший енергетичний рівень дорівнює енергії Фермі, співпадає з періодом осциляцій коефіцієнту Зеєбека у такій структурі.
В работе на основе теоретической модели квантовой ямы с бесконечно высокими стенками детально исследованы зависимости термоэлектрических параметров от толщины наноструктур халькогенидов свинца (PbTe, PbSe, PbS). Выявлено, что в таких структурах имеет место немонотонный ход коэффициента Зеебека S при изменении ширины ямы. На основе периода осцилляций Δdексп достигнуто приближение теоретических d–зависимостей коэффициента S с экспериментальными, и определены значения энергии Ферми в соответствующих наноструктурах. Показано, что минимальная ширина квантовой ямы dмин,, при которой первый энергетический уровень равен энергии Ферми, совпадает с периодом осцилляций коэффициента Зеебека в такой структуре.
Basing on The theoretical model for quantum well with infinitely high walls, thickness dependences for thermoelectric parameters of lead chalcogenides (PbTe, PbSe, PbS) nanostructures have been investigated in detail. It has been found that nonmonotonous behavior of Seebeck coefficient S with changing the well thickness in these structures takes place. Basing on the oscillations period Δdexp the approximation of theoretical d–dependencies of Seebeck coefficient S with experimental was carried out and the Fermi energy in the respective structures was determined. It has been shown that minimum guantum well width dmin, coincides with oscillations period Δdexp of Seebeck coefficient in this structure when the first energy level is equal to Fermi energy EF.
Робота виконана згідно наукових проектів НАН України (Державний реєстраційний номер 0110U006281) та ДФФД Державного агенства з питань науки, інновації та інформації України (Державний реєстраційний номер 0110U007674).
uk
Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка НАН України
Поверхность
Наноматериалы и нанотехнологии
Осциляції термоелектричних параметрів у квантових ямах халькогенідів свинцю
Осцилляции термоэлектрических параметров в квантовых ямах халькогенидов свинца
Oscillations of thermoelectric parameters within quantum wells of lead chalcogenides
Article
published earlier
spellingShingle Осциляції термоелектричних параметрів у квантових ямах халькогенідів свинцю
Фреїк, Д.М.
Юрчишин, І.К.
Чобанюк, В.М.
Наноматериалы и нанотехнологии
title Осциляції термоелектричних параметрів у квантових ямах халькогенідів свинцю
title_alt Осцилляции термоэлектрических параметров в квантовых ямах халькогенидов свинца
Oscillations of thermoelectric parameters within quantum wells of lead chalcogenides
title_full Осциляції термоелектричних параметрів у квантових ямах халькогенідів свинцю
title_fullStr Осциляції термоелектричних параметрів у квантових ямах халькогенідів свинцю
title_full_unstemmed Осциляції термоелектричних параметрів у квантових ямах халькогенідів свинцю
title_short Осциляції термоелектричних параметрів у квантових ямах халькогенідів свинцю
title_sort осциляції термоелектричних параметрів у квантових ямах халькогенідів свинцю
topic Наноматериалы и нанотехнологии
topic_facet Наноматериалы и нанотехнологии
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/82214
work_keys_str_mv AT freíkdm oscilâcíítermoelektričnihparametrívukvantovihâmahhalʹkogenídívsvincû
AT ûrčišiník oscilâcíítermoelektričnihparametrívukvantovihâmahhalʹkogenídívsvincû
AT čobanûkvm oscilâcíítermoelektričnihparametrívukvantovihâmahhalʹkogenídívsvincû
AT freíkdm oscillâciitermoélektričeskihparametrovvkvantovyhâmahhalʹkogenidovsvinca
AT ûrčišiník oscillâciitermoélektričeskihparametrovvkvantovyhâmahhalʹkogenidovsvinca
AT čobanûkvm oscillâciitermoélektričeskihparametrovvkvantovyhâmahhalʹkogenidovsvinca
AT freíkdm oscillationsofthermoelectricparameterswithinquantumwellsofleadchalcogenides
AT ûrčišiník oscillationsofthermoelectricparameterswithinquantumwellsofleadchalcogenides
AT čobanûkvm oscillationsofthermoelectricparameterswithinquantumwellsofleadchalcogenides