Кинетические коэффициенты в поле ИК-подсветки n-Si, облучённого быстрыми нейтронами реактора
Рассчитана температурная зависимость кинетических коэффициентов, измеренных в темноте и при ИК-подсветке за краем собственного поглощения Ge- и Si-фильтров, и описано поведение подвижности электронов в высокоомном кремнии, выращенном методом бестигельной зонной плавки, после облучения быстрыми нейтр...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Вопросы атомной науки и техники |
|---|---|
| Дата: | 2015 |
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2015
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/82432 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Кинетические коэффициенты в поле ИК-подсветки n-Si, облучённого быстрыми нейтронами реактора / А.П. Долголенко, П.Г. Литовченко // Вопросы атомной науки и техники. — 2015. — № 2. — С. 3-9. — Бібліогр.: 19 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862727797618769920 |
|---|---|
| author | Долголенко, А.П. Литовченко, П.Г. |
| author_facet | Долголенко, А.П. Литовченко, П.Г. |
| citation_txt | Кинетические коэффициенты в поле ИК-подсветки n-Si, облучённого быстрыми нейтронами реактора / А.П. Долголенко, П.Г. Литовченко // Вопросы атомной науки и техники. — 2015. — № 2. — С. 3-9. — Бібліогр.: 19 назв. — англ. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Вопросы атомной науки и техники |
| description | Рассчитана температурная зависимость кинетических коэффициентов, измеренных в темноте и при ИК-подсветке за краем собственного поглощения Ge- и Si-фильтров, и описано поведение подвижности электронов в высокоомном кремнии, выращенном методом бестигельной зонной плавки, после облучения быстрыми нейтронами реактора. В рамках уточненной модели кластеров дефектов рассчитана температурная зависимость концентрации электронов и дрейфовых барьеров при их диффузном движении в образцах кремния. Обосновано, что дивакансии в кластерах дефектов находятся в конфигурации с большей дисторсией.
Розрахована температурна залежність кінетичних коефіцієнтів, виміряних у темряві і при ІЧ-підсвічуванні за краєм власного поглинання Ge- і Si-фільтрів, і описано поведінку рухливості електронів у високоомному кремнії, вирощеному методом безтигельної зонної плавки, після опромінення швидкими нейтронами реактора. У рамках уточненої моделі кластерів дефектів розрахована температурна залежність концентрації електронів і дрейфових бар'єрів при їх дифузному русі в зразках кремнію. Обгрунтовано, що дивакансії в кластерах дефектів знаходяться в конфігурації з більшою дисторсією.
The temperature dependence of kinetic coefficients measured in darkness and in the IR-illumination from the edge of the intrinsic absorption Ge and Si filters and the description of the behavior of electron mobility in a high-resistance silicon grown by the method of non-crucible zone melting, after irradiation fast neutron reactor was calculated. In the framework of the improved model of cluster defects the temperature dependence of the electron concentration and the drift barriers in their diffuse movement in the silicon samples has been carried out. It is proofs that the main defects in clusters are divacancy configuration with more distortion.
|
| first_indexed | 2025-12-07T19:04:47Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-82432 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1562-6016 |
| language | English |
| last_indexed | 2025-12-07T19:04:47Z |
| publishDate | 2015 |
| publisher | Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Долголенко, А.П. Литовченко, П.Г. 2015-05-29T16:09:07Z 2015-05-29T16:09:07Z 2015 Кинетические коэффициенты в поле ИК-подсветки n-Si, облучённого быстрыми нейтронами реактора / А.П. Долголенко, П.Г. Литовченко // Вопросы атомной науки и техники. — 2015. — № 2. — С. 3-9. — Бібліогр.: 19 назв. — англ. 1562-6016 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/82432 621.315.592.3:546.28:539.12.04 Рассчитана температурная зависимость кинетических коэффициентов, измеренных в темноте и при ИК-подсветке за краем собственного поглощения Ge- и Si-фильтров, и описано поведение подвижности электронов в высокоомном кремнии, выращенном методом бестигельной зонной плавки, после облучения быстрыми нейтронами реактора. В рамках уточненной модели кластеров дефектов рассчитана температурная зависимость концентрации электронов и дрейфовых барьеров при их диффузном движении в образцах кремния. Обосновано, что дивакансии в кластерах дефектов находятся в конфигурации с большей дисторсией. Розрахована температурна залежність кінетичних коефіцієнтів, виміряних у темряві і при ІЧ-підсвічуванні за краєм власного поглинання Ge- і Si-фільтрів, і описано поведінку рухливості електронів у високоомному кремнії, вирощеному методом безтигельної зонної плавки, після опромінення швидкими нейтронами реактора. У рамках уточненої моделі кластерів дефектів розрахована температурна залежність концентрації електронів і дрейфових бар'єрів при їх дифузному русі в зразках кремнію. Обгрунтовано, що дивакансії в кластерах дефектів знаходяться в конфігурації з більшою дисторсією. The temperature dependence of kinetic coefficients measured in darkness and in the IR-illumination from the edge of the intrinsic absorption Ge and Si filters and the description of the behavior of electron mobility in a high-resistance silicon grown by the method of non-crucible zone melting, after irradiation fast neutron reactor was calculated. In the framework of the improved model of cluster defects the temperature dependence of the electron concentration and the drift barriers in their diffuse movement in the silicon samples has been carried out. It is proofs that the main defects in clusters are divacancy configuration with more distortion. en Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України Вопросы атомной науки и техники Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах Кинетические коэффициенты в поле ИК-подсветки n-Si, облучённого быстрыми нейтронами реактора Кінетичні коефіцієнти в полі ІЧ-підсвічування n-Si, опроміненого швидкими нейтронами реактора The kinetic coefficients in the field of IR illumination n-Si irradiated by fast neutrons reactor Article published earlier |
| spellingShingle | Кинетические коэффициенты в поле ИК-подсветки n-Si, облучённого быстрыми нейтронами реактора Долголенко, А.П. Литовченко, П.Г. Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах |
| title | Кинетические коэффициенты в поле ИК-подсветки n-Si, облучённого быстрыми нейтронами реактора |
| title_alt | Кінетичні коефіцієнти в полі ІЧ-підсвічування n-Si, опроміненого швидкими нейтронами реактора The kinetic coefficients in the field of IR illumination n-Si irradiated by fast neutrons reactor |
| title_full | Кинетические коэффициенты в поле ИК-подсветки n-Si, облучённого быстрыми нейтронами реактора |
| title_fullStr | Кинетические коэффициенты в поле ИК-подсветки n-Si, облучённого быстрыми нейтронами реактора |
| title_full_unstemmed | Кинетические коэффициенты в поле ИК-подсветки n-Si, облучённого быстрыми нейтронами реактора |
| title_short | Кинетические коэффициенты в поле ИК-подсветки n-Si, облучённого быстрыми нейтронами реактора |
| title_sort | кинетические коэффициенты в поле ик-подсветки n-si, облучённого быстрыми нейтронами реактора |
| topic | Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах |
| topic_facet | Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/82432 |
| work_keys_str_mv | AT dolgolenkoap kinetičeskiekoéfficientyvpoleikpodsvetkinsioblučennogobystrymineitronamireaktora AT litovčenkopg kinetičeskiekoéfficientyvpoleikpodsvetkinsioblučennogobystrymineitronamireaktora AT dolgolenkoap kínetičníkoefícíêntivpolííčpídsvíčuvannânsiopromínenogošvidkimineitronamireaktora AT litovčenkopg kínetičníkoefícíêntivpolííčpídsvíčuvannânsiopromínenogošvidkimineitronamireaktora AT dolgolenkoap thekineticcoefficientsinthefieldofirilluminationnsiirradiatedbyfastneutronsreactor AT litovčenkopg thekineticcoefficientsinthefieldofirilluminationnsiirradiatedbyfastneutronsreactor |