Кинетические коэффициенты в поле ИК-подсветки n-Si, облучённого быстрыми нейтронами реактора

Рассчитана температурная зависимость кинетических коэффициентов, измеренных в темноте и при ИК-подсветке за краем собственного поглощения Ge- и Si-фильтров, и описано поведение подвижности электронов в высокоомном кремнии, выращенном методом бестигельной зонной плавки, после облучения быстрыми нейтр...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Вопросы атомной науки и техники
Datum:2015
Hauptverfasser: Долголенко, А.П., Литовченко, П.Г.
Format: Artikel
Sprache:English
Veröffentlicht: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2015
Schlagworte:
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/82432
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Кинетические коэффициенты в поле ИК-подсветки n-Si, облучённого быстрыми нейтронами реактора / А.П. Долголенко, П.Г. Литовченко // Вопросы атомной науки и техники. — 2015. — № 2. — С. 3-9. — Бібліогр.: 19 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine