Influence of radiation-induced defects on CdTe and CdZnTe detectors properties
The correlation between radiation-induced defects, arising in CdTe:Cl and CdZnTe after the hard X-ray irradiation, and charges collection efficiency of detectors based on these materials has been investigated by means of computer simulation method. The role of radiation-induced defects during degrad...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Вопросы атомной науки и техники |
|---|---|
| Datum: | 2015 |
| 1. Verfasser: | |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | English |
| Veröffentlicht: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2015
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/82434 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Influence of radiation-induced defects on CdTe and CdZnTe detectors properties / A.I. Kondrik // Вопросы атомной науки и техники. — 2015. — № 2. — С. 18-24. — Бібліогр.: 19 назв. — англ. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Zusammenfassung: | The correlation between radiation-induced defects, arising in CdTe:Cl and CdZnTe after the hard X-ray irradiation, and charges collection efficiency of detectors based on these materials has been investigated by means of computer simulation method. The role of radiation-induced defects during degradation of CdTe:Cl detector performance has been determined. An attempt to explain the reasons for higher radiation resistance of CdZnTe compared with CdTe:Cl has been made.
Методом компьютерного моделирования проведено исследование корреляции между радиационными дефектами, возникшими в CdTe:Cl и CdZnTe после жесткого рентгеновского облучения, и эффективностью сбора зарядов детекторов на их основе. Определена роль радиационных дефектов в процессах деградации детекторных характеристик CdTe:Cl. Сделана попытка объяснить причины более высокой радиационной стойкости CdZnTe по сравнению с CdTe:Cl.
Методом комп’ютерного моделювання проведено дослідження кореляції між радіаційними дефектами, які виникли в CdTe:Cl та CdTe після жорсткого радіаційного опромінення, і ефективністю збору зарядів детекторів на їх основі. Визначена роль радіаційних дефектів у процесах деградації детекторних характеристик CdTe:Cl. Зроблена спроба пояснити причини більш високої радіаційної стійкості CdZnTe у порівнянні з CdTe:Cl.
|
|---|---|
| ISSN: | 1562-6016 |