Influence of radiation-induced defects on CdTe and CdZnTe detectors properties

The correlation between radiation-induced defects, arising in CdTe:Cl and CdZnTe after the hard X-ray irradiation, and charges collection efficiency of detectors based on these materials has been investigated by means of computer simulation method. The role of radiation-induced defects during degrad...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Datum:2015
1. Verfasser: Kondrik, A.I.
Format: Artikel
Sprache:English
Veröffentlicht: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2015
Schriftenreihe:Вопросы атомной науки и техники
Schlagworte:
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/82434
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Influence of radiation-induced defects on CdTe and CdZnTe detectors properties / A.I. Kondrik // Вопросы атомной науки и техники. — 2015. — № 2. — С. 18-24. — Бібліогр.: 19 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine