Зависимость концентрации электронных центров окраски от состояния дислокационной структуры облученных кристаллов LiF
Изучено оптическое поглощение излучения для облученных до дозы 1057 Р кристаллов LiF с величинами предварительной деформации 0,155 и 1,5%. Сделан вывод о присутствии F-центров в облученных кристаллах, определена объемная плотность указанных радиационных дефектов. На основании экспериментальных данны...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Вопросы атомной науки и техники |
|---|---|
| Datum: | 2015 |
| Hauptverfasser: | , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2015
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/82435 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Зависимость концентрации электронных центров окраски от состояния дислокационной структуры облученных кристаллов LiF / Г.А. Петченко, А.М. Петченко // Вопросы атомной науки и техники. — 2015. — № 2. — С. 25-28. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862625450021355520 |
|---|---|
| author | Петченко, Г.А. Петченко, А.М. |
| author_facet | Петченко, Г.А. Петченко, А.М. |
| citation_txt | Зависимость концентрации электронных центров окраски от состояния дислокационной структуры облученных кристаллов LiF / Г.А. Петченко, А.М. Петченко // Вопросы атомной науки и техники. — 2015. — № 2. — С. 25-28. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Вопросы атомной науки и техники |
| description | Изучено оптическое поглощение излучения для облученных до дозы 1057 Р кристаллов LiF с величинами предварительной деформации 0,155 и 1,5%. Сделан вывод о присутствии F-центров в облученных кристаллах, определена объемная плотность указанных радиационных дефектов. На основании экспериментальных данных, полученных в настоящей и предыдущих работах, изучены деформационные зависимости спектрального показателя ослабления Kλ и концентрации F-центров NF.
Вивчено оптичне поглинання випромінювання для опромінених до дози 1057 Р кристалів LiF з величи-нами попередньої деформації 0,155 и 1,5%. Зроблено висновок щодо присутності F-центрів в опромінених кристалах, визначено об’ємну густину вказаних радіаційних дефектів. На підставі екпериментальних даних, отриманих у даній та попередніх роботах, вивчено деформаційні залежності спектрального показника ослаблення Kλ та концентрації F-центрів NF.
The optical radiation absorption has been investigated for LiF crystals preliminary deformed to the level of 0.155 and 1.5% under irradiation to a dose of 1057 R. A conclusion on the presence of F-centers in irradiated crystals is drawn. The volume density of the observed radiation defects is evaluated. Basing on the experimental data of the present and previous papers the deformation dependences of the spectral damping coefficient Kλ and the concentration NF of F-centers were investigated.
|
| first_indexed | 2025-12-07T13:34:53Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-82435 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1562-6016 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T13:34:53Z |
| publishDate | 2015 |
| publisher | Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Петченко, Г.А. Петченко, А.М. 2015-05-29T16:12:18Z 2015-05-29T16:12:18Z 2015 Зависимость концентрации электронных центров окраски от состояния дислокационной структуры облученных кристаллов LiF / Г.А. Петченко, А.М. Петченко // Вопросы атомной науки и техники. — 2015. — № 2. — С. 25-28. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. 1562-6016 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/82435 539.67:539.374 Изучено оптическое поглощение излучения для облученных до дозы 1057 Р кристаллов LiF с величинами предварительной деформации 0,155 и 1,5%. Сделан вывод о присутствии F-центров в облученных кристаллах, определена объемная плотность указанных радиационных дефектов. На основании экспериментальных данных, полученных в настоящей и предыдущих работах, изучены деформационные зависимости спектрального показателя ослабления Kλ и концентрации F-центров NF. Вивчено оптичне поглинання випромінювання для опромінених до дози 1057 Р кристалів LiF з величи-нами попередньої деформації 0,155 и 1,5%. Зроблено висновок щодо присутності F-центрів в опромінених кристалах, визначено об’ємну густину вказаних радіаційних дефектів. На підставі екпериментальних даних, отриманих у даній та попередніх роботах, вивчено деформаційні залежності спектрального показника ослаблення Kλ та концентрації F-центрів NF. The optical radiation absorption has been investigated for LiF crystals preliminary deformed to the level of 0.155 and 1.5% under irradiation to a dose of 1057 R. A conclusion on the presence of F-centers in irradiated crystals is drawn. The volume density of the observed radiation defects is evaluated. Basing on the experimental data of the present and previous papers the deformation dependences of the spectral damping coefficient Kλ and the concentration NF of F-centers were investigated. ru Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України Вопросы атомной науки и техники Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах Зависимость концентрации электронных центров окраски от состояния дислокационной структуры облученных кристаллов LiF Залежність концентрації електронних центрів забарвлення від стану дислокаційної структури опромінених кристалів LiF Dependence of electronic color center concentration on the state of irradiated LiF crystal dislocation structure Article published earlier |
| spellingShingle | Зависимость концентрации электронных центров окраски от состояния дислокационной структуры облученных кристаллов LiF Петченко, Г.А. Петченко, А.М. Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах |
| title | Зависимость концентрации электронных центров окраски от состояния дислокационной структуры облученных кристаллов LiF |
| title_alt | Залежність концентрації електронних центрів забарвлення від стану дислокаційної структури опромінених кристалів LiF Dependence of electronic color center concentration on the state of irradiated LiF crystal dislocation structure |
| title_full | Зависимость концентрации электронных центров окраски от состояния дислокационной структуры облученных кристаллов LiF |
| title_fullStr | Зависимость концентрации электронных центров окраски от состояния дислокационной структуры облученных кристаллов LiF |
| title_full_unstemmed | Зависимость концентрации электронных центров окраски от состояния дислокационной структуры облученных кристаллов LiF |
| title_short | Зависимость концентрации электронных центров окраски от состояния дислокационной структуры облученных кристаллов LiF |
| title_sort | зависимость концентрации электронных центров окраски от состояния дислокационной структуры облученных кристаллов lif |
| topic | Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах |
| topic_facet | Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/82435 |
| work_keys_str_mv | AT petčenkoga zavisimostʹkoncentraciiélektronnyhcentrovokraskiotsostoâniâdislokacionnoistrukturyoblučennyhkristallovlif AT petčenkoam zavisimostʹkoncentraciiélektronnyhcentrovokraskiotsostoâniâdislokacionnoistrukturyoblučennyhkristallovlif AT petčenkoga zaležnístʹkoncentracííelektronnihcentrívzabarvlennâvídstanudislokacíinoístrukturiopromínenihkristalívlif AT petčenkoam zaležnístʹkoncentracííelektronnihcentrívzabarvlennâvídstanudislokacíinoístrukturiopromínenihkristalívlif AT petčenkoga dependenceofelectroniccolorcenterconcentrationonthestateofirradiatedlifcrystaldislocationstructure AT petčenkoam dependenceofelectroniccolorcenterconcentrationonthestateofirradiatedlifcrystaldislocationstructure |