Зависимость концентрации электронных центров окраски от состояния дислокационной структуры облученных кристаллов LiF

Изучено оптическое поглощение излучения для облученных до дозы 1057 Р кристаллов LiF с величинами предварительной деформации 0,155 и 1,5%. Сделан вывод о присутствии F-центров в облученных кристаллах, определена объемная плотность указанных радиационных дефектов. На основании экспериментальных данны...

Full description

Saved in:

Bibliographic Details
Published in:	Вопросы атомной науки и техники
Date:	2015
Main Authors:	Петченко, Г.А., Петченко, А.М.
Format:	Article
Language:	Russian
Published:	Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2015
Subjects:	Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах
Online Access:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/82435
Tags:	Add Tag No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:	Зависимость концентрации электронных центров окраски от состояния дислокационной структуры облученных кристаллов LiF / Г.А. Петченко, А.М. Петченко // Вопросы атомной науки и техники. — 2015. — № 2. — С. 25-28. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

id	nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-82435
record_format	dspace
spelling	Петченко, Г.А. Петченко, А.М. 2015-05-29T16:12:18Z 2015-05-29T16:12:18Z 2015 Зависимость концентрации электронных центров окраски от состояния дислокационной структуры облученных кристаллов LiF / Г.А. Петченко, А.М. Петченко // Вопросы атомной науки и техники. — 2015. — № 2. — С. 25-28. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. 1562-6016 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/82435 539.67:539.374 Изучено оптическое поглощение излучения для облученных до дозы 1057 Р кристаллов LiF с величинами предварительной деформации 0,155 и 1,5%. Сделан вывод о присутствии F-центров в облученных кристаллах, определена объемная плотность указанных радиационных дефектов. На основании экспериментальных данных, полученных в настоящей и предыдущих работах, изучены деформационные зависимости спектрального показателя ослабления Kλ и концентрации F-центров NF. Вивчено оптичне поглинання випромінювання для опромінених до дози 1057 Р кристалів LiF з величи-нами попередньої деформації 0,155 и 1,5%. Зроблено висновок щодо присутності F-центрів в опромінених кристалах, визначено об’ємну густину вказаних радіаційних дефектів. На підставі екпериментальних даних, отриманих у даній та попередніх роботах, вивчено деформаційні залежності спектрального показника ослаблення Kλ та концентрації F-центрів NF. The optical radiation absorption has been investigated for LiF crystals preliminary deformed to the level of 0.155 and 1.5% under irradiation to a dose of 1057 R. A conclusion on the presence of F-centers in irradiated crystals is drawn. The volume density of the observed radiation defects is evaluated. Basing on the experimental data of the present and previous papers the deformation dependences of the spectral damping coefficient Kλ and the concentration NF of F-centers were investigated. ru Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України Вопросы атомной науки и техники Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах Зависимость концентрации электронных центров окраски от состояния дислокационной структуры облученных кристаллов LiF Залежність концентрації електронних центрів забарвлення від стану дислокаційної структури опромінених кристалів LiF Dependence of electronic color center concentration on the state of irradiated LiF crystal dislocation structure Article published earlier
institution	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection	DSpace DC
title	Зависимость концентрации электронных центров окраски от состояния дислокационной структуры облученных кристаллов LiF
spellingShingle	Зависимость концентрации электронных центров окраски от состояния дислокационной структуры облученных кристаллов LiF Петченко, Г.А. Петченко, А.М. Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах
title_short	Зависимость концентрации электронных центров окраски от состояния дислокационной структуры облученных кристаллов LiF
title_full	Зависимость концентрации электронных центров окраски от состояния дислокационной структуры облученных кристаллов LiF
title_fullStr	Зависимость концентрации электронных центров окраски от состояния дислокационной структуры облученных кристаллов LiF
title_full_unstemmed	Зависимость концентрации электронных центров окраски от состояния дислокационной структуры облученных кристаллов LiF
title_sort	зависимость концентрации электронных центров окраски от состояния дислокационной структуры облученных кристаллов lif
author	Петченко, Г.А. Петченко, А.М.
author_facet	Петченко, Г.А. Петченко, А.М.
topic	Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах
topic_facet	Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах
publishDate	2015
language	Russian
container_title	Вопросы атомной науки и техники
publisher	Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
format	Article
title_alt	Залежність концентрації електронних центрів забарвлення від стану дислокаційної структури опромінених кристалів LiF Dependence of electronic color center concentration on the state of irradiated LiF crystal dislocation structure
description	Изучено оптическое поглощение излучения для облученных до дозы 1057 Р кристаллов LiF с величинами предварительной деформации 0,155 и 1,5%. Сделан вывод о присутствии F-центров в облученных кристаллах, определена объемная плотность указанных радиационных дефектов. На основании экспериментальных данных, полученных в настоящей и предыдущих работах, изучены деформационные зависимости спектрального показателя ослабления Kλ и концентрации F-центров NF. Вивчено оптичне поглинання випромінювання для опромінених до дози 1057 Р кристалів LiF з величи-нами попередньої деформації 0,155 и 1,5%. Зроблено висновок щодо присутності F-центрів в опромінених кристалах, визначено об’ємну густину вказаних радіаційних дефектів. На підставі екпериментальних даних, отриманих у даній та попередніх роботах, вивчено деформаційні залежності спектрального показника ослаблення Kλ та концентрації F-центрів NF. The optical radiation absorption has been investigated for LiF crystals preliminary deformed to the level of 0.155 and 1.5% under irradiation to a dose of 1057 R. A conclusion on the presence of F-centers in irradiated crystals is drawn. The volume density of the observed radiation defects is evaluated. Basing on the experimental data of the present and previous papers the deformation dependences of the spectral damping coefficient Kλ and the concentration NF of F-centers were investigated.
issn	1562-6016
url	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/82435
citation_txt	Зависимость концентрации электронных центров окраски от состояния дислокационной структуры облученных кристаллов LiF / Г.А. Петченко, А.М. Петченко // Вопросы атомной науки и техники. — 2015. — № 2. — С. 25-28. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.
work_keys_str_mv	AT petčenkoga zavisimostʹkoncentraciiélektronnyhcentrovokraskiotsostoâniâdislokacionnoistrukturyoblučennyhkristallovlif AT petčenkoam zavisimostʹkoncentraciiélektronnyhcentrovokraskiotsostoâniâdislokacionnoistrukturyoblučennyhkristallovlif AT petčenkoga zaležnístʹkoncentracííelektronnihcentrívzabarvlennâvídstanudislokacíinoístrukturiopromínenihkristalívlif AT petčenkoam zaležnístʹkoncentracííelektronnihcentrívzabarvlennâvídstanudislokacíinoístrukturiopromínenihkristalívlif AT petčenkoga dependenceofelectroniccolorcenterconcentrationonthestateofirradiatedlifcrystaldislocationstructure AT petčenkoam dependenceofelectroniccolorcenterconcentrationonthestateofirradiatedlifcrystaldislocationstructure
first_indexed	2025-12-07T13:34:53Z
last_indexed	2025-12-07T13:34:53Z
_version_	1850856695417274368

Зависимость концентрации электронных центров окраски от состояния дислокационной структуры облученных кристаллов LiF

Institution

Similar Items