Зависимость концентрации электронных центров окраски от состояния дислокационной структуры облученных кристаллов LiF

• Veröffentlicht in: Вопросы атомной науки и техники
• Datum: 2015
• Hauptverfasser: Петченко, Г.А., Петченко, А.М.
• Format: Artikel
• Sprache: Russian
• Veröffentlicht: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2015
• Schlagworte: Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/82435
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Зависимость концентрации электронных центров окраски от состояния дислокационной структуры облученных кристаллов LiF / Г.А. Петченко, А.М. Петченко // Вопросы атомной науки и техники. — 2015. — № 2. — С. 25-28. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.

Изучено оптическое поглощение излучения для облученных до дозы 1057 Р кристаллов LiF с величинами предварительной деформации 0,155 и 1,5%. Сделан вывод о присутствии F-центров в облученных кристаллах, определена объемная плотность указанных радиационных дефектов. На основании экспериментальных данны...