Вплив нейтронного опромінення на характеристики світлодіодів AlxGa1–xAs

• Datum: 2009
• Hauptverfasser: Сизов, Ф.Ф., Гришин, Ю.Г., Круковський, С.І., Опилат, В.Я., Петренко, І.В., Савкіна, Р.К., Смірнов, О.Б., Тартачник, В.П.
• Format: Artikel
• Sprache: Ukrainian
• Veröffentlicht: Видавничий дім "Академперіодика" НАН України 2009
• Schlagworte: Фізика
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/8515
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Вплив нейтронного опромінення на характеристики світлодіодів AlxGa1–xAs / Ф.Ф. Сизов, Ю. Г. Гришин, С. I. Круковський, В.Я. Опилат, I.В. Петренко, Р.К. Савкiна, О.Б. Смiрнов, В.П. Тартачник // Доп. НАН України. — 2009. — № 5. — С. 87-93. — Бібліогр.: 15 назв. — укр.

Дослiджується вплив швидких нейтронiв на зразки свiтловипромiнюючих дiодних структур n^+-n-p-AlxGa1−xAs/GaAs (x = 0,27 ÷ 0,31). Вольт-ампернi характеристики вимiрювалися в iнтервалi температур 77 К – 300 К до та пiсля опромiнення нейтронами з флюенсом (10^14– 5 · 10^16) см^−2. Встановлено, що вiдбувається радiацiйно стимульоване зростання прямого струму дiодiв внаслiдок зменшення концентрацiї основних носiїв заряду та часу життя неосновних носiїв заряду. Причиною змiни параметрiв є радiацiйне введення пасток. AlxGa1−xAs/GaAs-based (x = 0.27÷0.31) light-emitting diodes were exposed to fast neutrons with fluences ranging from 10^14 to 5·10^16 n/cm², and their current-voltage characteristics were measured from 300 K to 80 K. Experimental results have revealed an increase of the positive current through the irradiated diode when it is forward-biased that is connected with a decrease of the majoritycarrier concentration and the minority-carrier lifetime. Change of the electric transport is probably due to the creation of traps after neutron irradiation.