Генерация хемо-ЭДС в наноразмерных структурах с p–n-переходами на основе SiC
Изучена генерация хемо-ЭДС в результате преобразования химической энергии, выделяющейся на поверхности полупроводниковых структур (наноразмерные p–n-переходы на
 основе SiC), в электрическую энергию. Преобразование энергии происходит за счет генерации электронно-дырочных пар в полупроводнике...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Доповіді НАН України |
|---|---|
| Datum: | 2013 |
| Hauptverfasser: | , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Видавничий дім "Академперіодика" НАН України
2013
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/85743 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Генерация хемо-ЭДС в наноразмерных структурах с p–n-переходами на основе SiC / В.В. Стыров, С.В. Симченко // Доповiдi Нацiональної академiї наук України. — 2013. — № 5. — С. 80–86. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862543685431853056 |
|---|---|
| author | Стыров, В.В. Симченко, С.В. |
| author_facet | Стыров, В.В. Симченко, С.В. |
| citation_txt | Генерация хемо-ЭДС в наноразмерных структурах с p–n-переходами на основе SiC / В.В. Стыров, С.В. Симченко // Доповiдi Нацiональної академiї наук України. — 2013. — № 5. — С. 80–86. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Доповіді НАН України |
| description | Изучена генерация хемо-ЭДС в результате преобразования химической энергии, выделяющейся на поверхности полупроводниковых структур (наноразмерные p–n-переходы на
основе SiC), в электрическую энергию. Преобразование энергии происходит за счет генерации электронно-дырочных пар в полупроводнике в экзотермических химических актах
(адсорбция и рекомбинация атомов H+H, H+O, O+O) и последующего разделения компонентов электронно-дырочных пар электрическим полем p–n-перехода. Лицевой p-слой структуры на основе SiC был нанометровой толщины (~30 нм). Хемо-ЭДС в разомкнутой цепи достигала 3 мВ, а хемоток короткого замыкания — 320 нА.
Вивчено генерацiю хемо-ЕРС у результатi перетворення хiмiчної енергiї, яка видiляється
на поверхнi напiвпровiдникових структур (нанорозмiрнi p–n-переходи на основi SiC), в електричну енергiю. Перетворення енергiї вiдбувається за рахунок генерацiї електронно-дiркових пар у напiвпровiднику в екзотермiчних хiмiчних актах (адсорбцiї та рекомбiнацiї
атомiв H+H, H+O, O+O) i наступного роздiлення електронно-дiркових пар електричним
полем p–n-переходу. Лицьовий р-шар структури на основi SiC був нанометрової товщини
(~30 нм). Хемо-ЕРС у розiмкнутому колi досягала 3 мВ, а хемострум короткого замикання — 320 нА.
Generation of chemo-EMF as a result of the chemical energy conversion deposited on the surface
of a semiconductor structure (nanosized p–n junctions based on SiC) into electricity is studied.
Energy transformation occurs due to the creation of electron-hole (e–h) pairs in a semiconductor
in the course of chemical events (adsorption and recombination of atoms H + H, H + O, O + O)
and the subsequent separation of the e–h pairs by the electric field of the junction. The face p-layer
of the SiC structure was of a nanometer thickness (~30 nm). The chemo-EMF in the open circuit
achieved 3 mV, and the short circuit chemocurrent — 320 nA.
|
| first_indexed | 2025-11-24T23:27:59Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-85743 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1025-6415 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-11-24T23:27:59Z |
| publishDate | 2013 |
| publisher | Видавничий дім "Академперіодика" НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Стыров, В.В. Симченко, С.В. 2015-08-14T18:04:28Z 2015-08-14T18:04:28Z 2013 Генерация хемо-ЭДС в наноразмерных структурах с p–n-переходами на основе SiC / В.В. Стыров, С.В. Симченко // Доповiдi Нацiональної академiї наук України. — 2013. — № 5. — С. 80–86. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. 1025-6415 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/85743 537.9 Изучена генерация хемо-ЭДС в результате преобразования химической энергии, выделяющейся на поверхности полупроводниковых структур (наноразмерные p–n-переходы на
 основе SiC), в электрическую энергию. Преобразование энергии происходит за счет генерации электронно-дырочных пар в полупроводнике в экзотермических химических актах
 (адсорбция и рекомбинация атомов H+H, H+O, O+O) и последующего разделения компонентов электронно-дырочных пар электрическим полем p–n-перехода. Лицевой p-слой структуры на основе SiC был нанометровой толщины (~30 нм). Хемо-ЭДС в разомкнутой цепи достигала 3 мВ, а хемоток короткого замыкания — 320 нА. Вивчено генерацiю хемо-ЕРС у результатi перетворення хiмiчної енергiї, яка видiляється
 на поверхнi напiвпровiдникових структур (нанорозмiрнi p–n-переходи на основi SiC), в електричну енергiю. Перетворення енергiї вiдбувається за рахунок генерацiї електронно-дiркових пар у напiвпровiднику в екзотермiчних хiмiчних актах (адсорбцiї та рекомбiнацiї
 атомiв H+H, H+O, O+O) i наступного роздiлення електронно-дiркових пар електричним
 полем p–n-переходу. Лицьовий р-шар структури на основi SiC був нанометрової товщини
 (~30 нм). Хемо-ЕРС у розiмкнутому колi досягала 3 мВ, а хемострум короткого замикання — 320 нА. Generation of chemo-EMF as a result of the chemical energy conversion deposited on the surface
 of a semiconductor structure (nanosized p–n junctions based on SiC) into electricity is studied.
 Energy transformation occurs due to the creation of electron-hole (e–h) pairs in a semiconductor
 in the course of chemical events (adsorption and recombination of atoms H + H, H + O, O + O)
 and the subsequent separation of the e–h pairs by the electric field of the junction. The face p-layer
 of the SiC structure was of a nanometer thickness (~30 nm). The chemo-EMF in the open circuit
 achieved 3 mV, and the short circuit chemocurrent — 320 nA. Авторы выражают благодарность проф. О.Т. Сергееву за предоставление образцов и фирме “Ингаз” за поставку особо чистых газов. ru Видавничий дім "Академперіодика" НАН України Доповіді НАН України Фізика Генерация хемо-ЭДС в наноразмерных структурах с p–n-переходами на основе SiC Генерацiя хемо-ЕРС в нанорозмiрних структурах з p–n-переходами на основi SiC Generation of chemo-EMF in nanosized structures with p–n junctions based on SiC Article published earlier |
| spellingShingle | Генерация хемо-ЭДС в наноразмерных структурах с p–n-переходами на основе SiC Стыров, В.В. Симченко, С.В. Фізика |
| title | Генерация хемо-ЭДС в наноразмерных структурах с p–n-переходами на основе SiC |
| title_alt | Генерацiя хемо-ЕРС в нанорозмiрних структурах з p–n-переходами на основi SiC Generation of chemo-EMF in nanosized structures with p–n junctions based on SiC |
| title_full | Генерация хемо-ЭДС в наноразмерных структурах с p–n-переходами на основе SiC |
| title_fullStr | Генерация хемо-ЭДС в наноразмерных структурах с p–n-переходами на основе SiC |
| title_full_unstemmed | Генерация хемо-ЭДС в наноразмерных структурах с p–n-переходами на основе SiC |
| title_short | Генерация хемо-ЭДС в наноразмерных структурах с p–n-переходами на основе SiC |
| title_sort | генерация хемо-эдс в наноразмерных структурах с p–n-переходами на основе sic |
| topic | Фізика |
| topic_facet | Фізика |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/85743 |
| work_keys_str_mv | AT styrovvv generaciâhemoédsvnanorazmernyhstrukturahspnperehodaminaosnovesic AT simčenkosv generaciâhemoédsvnanorazmernyhstrukturahspnperehodaminaosnovesic AT styrovvv generaciâhemoersvnanorozmirnihstrukturahzpnperehodaminaosnovisic AT simčenkosv generaciâhemoersvnanorozmirnihstrukturahzpnperehodaminaosnovisic AT styrovvv generationofchemoemfinnanosizedstructureswithpnjunctionsbasedonsic AT simčenkosv generationofchemoemfinnanosizedstructureswithpnjunctionsbasedonsic |