Генерация хемо-ЭДС в наноразмерных структурах с p–n-переходами на основе SiC
Изучена генерация хемо-ЭДС в результате преобразования химической энергии, выделяющейся на поверхности полупроводниковых структур (наноразмерные p–n-переходы на
 основе SiC), в электрическую энергию. Преобразование энергии происходит за счет генерации электронно-дырочных пар в полупроводнике...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Доповіді НАН України |
|---|---|
| Дата: | 2013 |
| Автори: | Стыров, В.В., Симченко, С.В. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Видавничий дім "Академперіодика" НАН України
2013
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/85743 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Генерация хемо-ЭДС в наноразмерных структурах с p–n-переходами на основе SiC / В.В. Стыров, С.В. Симченко // Доповiдi Нацiональної академiї наук України. — 2013. — № 5. — С. 80–86. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
Поперечная хемомагнитная э.д.с. в фосфиде индия при взаимодействии с атомарным водородом
за авторством: Стыров, В.В., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Стыров, В.В., та інші
Опубліковано: (2011)
Многочастотные автоколебания в полупроводниковых структурах с двумя связанными лавинными p–n-переходами
за авторством: Лукин, К.А., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Лукин, К.А., та інші
Опубліковано: (2009)
Photovoltaic effect in p–SiC/p–Si heterojunction
за авторством: Kozlovskyi, A.A., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Kozlovskyi, A.A., та інші
Опубліковано: (2013)
Диагностика интенсивных протонных пучков на основе ядерной реакции ¹¹B(p, α)⁸Be
за авторством: Залюбовский, И.И., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Залюбовский, И.И., та інші
Опубліковано: (2008)
Многоуровневая оптическая память на микро- и наноразмерных структурах
за авторством: Демёхин, В.В., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Демёхин, В.В., та інші
Опубліковано: (2004)
Фонон-поляритонні збудження в структурах MgZnO/6H-SiC
за авторством: Melnichuk, O. V., та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: Melnichuk, O. V., та інші
Опубліковано: (2020)
Дослідження систем нанокластерів Si та Ge на поверхні SiOx/Si, одержаних методом молекулярно-променевої епітаксії
за авторством: Козирев, Ю.М., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Козирев, Ю.М., та інші
Опубліковано: (2010)
Многоуровневая оптическая память на микро- и наноразмерных структурах
за авторством: Demyohin, V. V., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Demyohin, V. V., та інші
Опубліковано: (2004)
Деформации, обусловленные процессами уплотнения, разуплотнения и фазовыми переходами во внутренних структурах Земли
за авторством: Кулиев, Г.Г.
Опубліковано: (2013)
за авторством: Кулиев, Г.Г.
Опубліковано: (2013)
Концентраційна залежність тензоопору монокристалів n–Si
за авторством: Баранський, П.І., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Баранський, П.І., та інші
Опубліковано: (2013)
Оптический датчик температуры на основе нанокристаллической пленки SiC
за авторством: Лопин, А.В., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Лопин, А.В., та інші
Опубліковано: (2007)
Оптический датчик температуры на основе нанокристаллической пленки SiC
за авторством: Lopin, A. V., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Lopin, A. V., та інші
Опубліковано: (2007)
pH сенсорные материалы на основе полимерных наноразмерных структур
за авторством: Безкровная, О.Н., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Безкровная, О.Н., та інші
Опубліковано: (2008)
Моделирование импульсного фотоумножителя на основе pn-i-pn структуры с лавинными p-n переходами
за авторством: Лукин, К.А., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Лукин, К.А., та інші
Опубліковано: (2007)
Investigation of the effect of SiC content on the microstructure, physical properties and hardness of SiC/Ni composites
за авторством: Hanan M. Makled, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Hanan M. Makled, та інші
Опубліковано: (2019)
Автоэмиссионные свойства острийных катодов на основе пленок графена на SiC
за авторством: Конакова, Р.В., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Конакова, Р.В., та інші
Опубліковано: (2016)
Особливості зміни структури й електрофізичних характеристик n-Si під впливом різних режимів термообробки
за авторством: Гайдар, Г.П.
Опубліковано: (2020)
за авторством: Гайдар, Г.П.
Опубліковано: (2020)
До методології визначення тензоопору n-Ge та n-Si у кристалографічних напрямках 〈110〉
за авторством: Гайдар, Г.П.
Опубліковано: (2019)
за авторством: Гайдар, Г.П.
Опубліковано: (2019)
Study of postimplantation annealing of SiC
за авторством: Avramenko, S.F., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Avramenko, S.F., та інші
Опубліковано: (2001)
Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si
за авторством: Семенов, А.В., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Семенов, А.В., та інші
Опубліковано: (2012)
Дизайн атомной структуры и электронного строения тройных тетраэдрических структур на основе апатита кальция
за авторством: Карбовский, В.Л., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Карбовский, В.Л., та інші
Опубліковано: (2010)
Вплив розміру включень SiC у структурі AlN–SiC на електрофізичні властивості композиту
за авторством: Сербенюк, Т.Б., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Сербенюк, Т.Б., та інші
Опубліковано: (2016)
Ефекти впорядкування дефектної структури n-Si, індуковані великими флюенсами іонів МеВ-них енергій
за авторством: Гайдар, Г.П., та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: Гайдар, Г.П., та інші
Опубліковано: (2021)
Влияние междолинного переноса электронов на эффективность генерации диодов с туннельными границами на основе GaAs
за авторством: Прохоров, Э.Д., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Прохоров, Э.Д., та інші
Опубліковано: (2012)
Исследование пассивной модуляции добротности ИАГ:Nd лазера с затворами на основе окрашенных полиуретановых матриц
за авторством: Безродный, В.И., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Безродный, В.И., та інші
Опубліковано: (2016)
The effect of size of the SiC inclusions in the AlN–SiC composite structure on its electrophysical properties
за авторством: T. B. Serbeniuk, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: T. B. Serbeniuk, та інші
Опубліковано: (2016)
Автоколебательная система на основе объемных резонаторов, подобных неустойчивым бильярдам Синая и Бунимовича
за авторством: Еременко, З. Е., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Еременко, З. Е., та інші
Опубліковано: (2007)
Вплив високотемпературного відпалу на параметри анізотропії рухливості і анізотропії термо-ЕРС захоплення електронів фононами в n–Si
за авторством: Баранський, П.І., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Баранський, П.І., та інші
Опубліковано: (2014)
Ефект наноструктурування Si та GaAs шляхом кавiтацiйної обробки в рiдкому азотi
за авторством: Савкiна, Р.К., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Савкiна, Р.К., та інші
Опубліковано: (2015)
Генерация тестовых сценариев на основе формальной модели
за авторством: Летичевский, А.А., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Летичевский, А.А., та інші
Опубліковано: (2010)
Прочность и пластичность спеченных материалов на основе титанового наноламината Ti₃SiC₂
за авторством: Фирстов, С.А., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Фирстов, С.А., та інші
Опубліковано: (2006)
Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si
за авторством: Semenov, A. V., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Semenov, A. V., та інші
Опубліковано: (2012)
Effect of Si infiltration method on the properties of biomorphous SiC
за авторством: Kiselov, V.S., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Kiselov, V.S., та інші
Опубліковано: (2009)
Латеральная фотоЭДС в контакте Шоттки
за авторством: Венгер, Е.Ф., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Венгер, Е.Ф., та інші
Опубліковано: (2010)
Comparative characteristics of TiO₂(Er₂O₃, Dy₂O₃)/por-SiC/SiC heterostructures (Review)
за авторством: Bacherikov, Yu.Yu., та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: Bacherikov, Yu.Yu., та інші
Опубліковано: (2020)
Biomorphic SiC from peas and beans
за авторством: V. S. Kiselov, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: V. S. Kiselov, та інші
Опубліковано: (2012)
Simple method for SiC nanowires fabrication
за авторством: V. S. Kiselov, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: V. S. Kiselov, та інші
Опубліковано: (2011)
Simple method for SiC nanowires fabrication
за авторством: Kiselov, V.S., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Kiselov, V.S., та інші
Опубліковано: (2011)
Atomic and electronic structure of a-SiC
за авторством: Ivashchenko, V.I., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Ivashchenko, V.I., та інші
Опубліковано: (2002)
Biomorphic SiC from peas and beans
за авторством: Kiselov, V.S., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Kiselov, V.S., та інші
Опубліковано: (2012)
Схожі ресурси
-
Поперечная хемомагнитная э.д.с. в фосфиде индия при взаимодействии с атомарным водородом
за авторством: Стыров, В.В., та інші
Опубліковано: (2011) -
Многочастотные автоколебания в полупроводниковых структурах с двумя связанными лавинными p–n-переходами
за авторством: Лукин, К.А., та інші
Опубліковано: (2009) -
Photovoltaic effect in p–SiC/p–Si heterojunction
за авторством: Kozlovskyi, A.A., та інші
Опубліковано: (2013) -
Диагностика интенсивных протонных пучков на основе ядерной реакции ¹¹B(p, α)⁸Be
за авторством: Залюбовский, И.И., та інші
Опубліковано: (2008) -
Многоуровневая оптическая память на микро- и наноразмерных структурах
за авторством: Демёхин, В.В., та інші
Опубліковано: (2004)