Генерация хемо-ЭДС в наноразмерных структурах с p–n-переходами на основе SiC
Изучена генерация хемо-ЭДС в результате преобразования химической энергии, выделяющейся на поверхности полупроводниковых структур (наноразмерные p–n-переходы на
 основе SiC), в электрическую энергию. Преобразование энергии происходит за счет генерации электронно-дырочных пар в полупроводнике...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Доповіді НАН України |
|---|---|
| Datum: | 2013 |
| ISSN: | 1025-6415 |
| Hauptverfasser: | Стыров, В.В., Симченко, С.В. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Видавничий дім "Академперіодика" НАН України
2013
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/85743 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Генерация хемо-ЭДС в наноразмерных структурах с p–n-переходами на основе SiC / В.В. Стыров, С.В. Симченко // Доповiдi Нацiональної академiї наук України. — 2013. — № 5. — С. 80–86. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineÄhnliche Einträge
Поперечная хемомагнитная э.д.с. в фосфиде индия при взаимодействии с атомарным водородом
von: Стыров, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Стыров, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Многочастотные автоколебания в полупроводниковых структурах с двумя связанными лавинными p–n-переходами
von: Лукин, К.А., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Лукин, К.А., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Photovoltaic effect in p–SiC/p–Si heterojunction
von: Kozlovskyi, A.A., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Kozlovskyi, A.A., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Диагностика интенсивных протонных пучков на основе ядерной реакции ¹¹B(p, α)⁸Be
von: Залюбовский, И.И., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Залюбовский, И.И., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Многоуровневая оптическая память на микро- и наноразмерных структурах
von: Демёхин, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Демёхин, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Дослідження систем нанокластерів Si та Ge на поверхні SiOx/Si, одержаних методом молекулярно-променевої епітаксії
von: Козирев, Ю.М., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Козирев, Ю.М., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Фонон-поляритонні збудження в структурах MgZnO/6H-SiC
von: Melnichuk, O. V., et al.
Veröffentlicht: (2020)
von: Melnichuk, O. V., et al.
Veröffentlicht: (2020)
Концентраційна залежність тензоопору монокристалів n–Si
von: Баранський, П.І., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Баранський, П.І., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Многоуровневая оптическая память на микро- и наноразмерных структурах
von: Demyohin, V. V., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Demyohin, V. V., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Деформации, обусловленные процессами уплотнения, разуплотнения и фазовыми переходами во внутренних структурах Земли
von: Кулиев, Г.Г.
Veröffentlicht: (2013)
von: Кулиев, Г.Г.
Veröffentlicht: (2013)
Оптический датчик температуры на основе нанокристаллической пленки SiC
von: Лопин, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Лопин, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Оптический датчик температуры на основе нанокристаллической пленки SiC
von: Lopin, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Lopin, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2007)
pH сенсорные материалы на основе полимерных наноразмерных структур
von: Безкровная, О.Н., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Безкровная, О.Н., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Особливості зміни структури й електрофізичних характеристик n-Si під впливом різних режимів термообробки
von: Гайдар, Г.П.
Veröffentlicht: (2020)
von: Гайдар, Г.П.
Veröffentlicht: (2020)
До методології визначення тензоопору n-Ge та n-Si у кристалографічних напрямках 〈110〉
von: Гайдар, Г.П.
Veröffentlicht: (2019)
von: Гайдар, Г.П.
Veröffentlicht: (2019)
Моделирование импульсного фотоумножителя на основе pn-i-pn структуры с лавинными p-n переходами
von: Лукин, К.А., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Лукин, К.А., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Дизайн атомной структуры и электронного строения тройных тетраэдрических структур на основе апатита кальция
von: Карбовский, В.Л., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Карбовский, В.Л., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Влияние междолинного переноса электронов на эффективность генерации диодов с туннельными границами на основе GaAs
von: Прохоров, Э.Д., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Прохоров, Э.Д., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Исследование пассивной модуляции добротности ИАГ:Nd лазера с затворами на основе окрашенных полиуретановых матриц
von: Безродный, В.И., et al.
Veröffentlicht: (2016)
von: Безродный, В.И., et al.
Veröffentlicht: (2016)
Ефекти впорядкування дефектної структури n-Si, індуковані великими флюенсами іонів МеВ-них енергій
von: Гайдар, Г.П., et al.
Veröffentlicht: (2021)
von: Гайдар, Г.П., et al.
Veröffentlicht: (2021)
Investigation of the effect of SiC content on the microstructure, physical properties and hardness of SiC/Ni composites
von: Hanan M. Makled, et al.
Veröffentlicht: (2019)
von: Hanan M. Makled, et al.
Veröffentlicht: (2019)
Автоэмиссионные свойства острийных катодов на основе пленок графена на SiC
von: Конакова, Р.В., et al.
Veröffentlicht: (2016)
von: Конакова, Р.В., et al.
Veröffentlicht: (2016)
Study of postimplantation annealing of SiC
von: Avramenko, S.F., et al.
Veröffentlicht: (2001)
von: Avramenko, S.F., et al.
Veröffentlicht: (2001)
Автоколебательная система на основе объемных резонаторов, подобных неустойчивым бильярдам Синая и Бунимовича
von: Еременко, З. Е., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Еременко, З. Е., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si
von: Семенов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Семенов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Вплив розміру включень SiC у структурі AlN–SiC на електрофізичні властивості композиту
von: Сербенюк, Т.Б., et al.
Veröffentlicht: (2016)
von: Сербенюк, Т.Б., et al.
Veröffentlicht: (2016)
Вплив високотемпературного відпалу на параметри анізотропії рухливості і анізотропії термо-ЕРС захоплення електронів фононами в n–Si
von: Баранський, П.І., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Баранський, П.І., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Ефект наноструктурування Si та GaAs шляхом кавiтацiйної обробки в рiдкому азотi
von: Савкiна, Р.К., et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Савкiна, Р.К., et al.
Veröffentlicht: (2015)
The effect of size of the SiC inclusions in the AlN–SiC composite structure on its electrophysical properties
von: T. B. Serbeniuk, et al.
Veröffentlicht: (2016)
von: T. B. Serbeniuk, et al.
Veröffentlicht: (2016)
Генерация тестовых сценариев на основе формальной модели
von: Летичевский, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Летичевский, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Прочность и пластичность спеченных материалов на основе титанового наноламината Ti₃SiC₂
von: Фирстов, С.А., et al.
Veröffentlicht: (2006)
von: Фирстов, С.А., et al.
Veröffentlicht: (2006)
Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si
von: Semenov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Semenov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Effect of Si infiltration method on the properties of biomorphous SiC
von: Kiselov, V.S., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Kiselov, V.S., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Comparative characteristics of TiO₂(Er₂O₃, Dy₂O₃)/por-SiC/SiC heterostructures (Review)
von: Bacherikov, Yu.Yu., et al.
Veröffentlicht: (2020)
von: Bacherikov, Yu.Yu., et al.
Veröffentlicht: (2020)
Атрибутные транзиционные системы со скрытыми переходами
von: Скобелев, В.В.
Veröffentlicht: (2017)
von: Скобелев, В.В.
Veröffentlicht: (2017)
Biomorphic SiC from peas and beans
von: V. S. Kiselov, et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: V. S. Kiselov, et al.
Veröffentlicht: (2012)
Simple method for SiC nanowires fabrication
von: V. S. Kiselov, et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: V. S. Kiselov, et al.
Veröffentlicht: (2011)
Simple method for SiC nanowires fabrication
von: Kiselov, V.S., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Kiselov, V.S., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Atomic and electronic structure of a-SiC
von: Ivashchenko, V.I., et al.
Veröffentlicht: (2002)
von: Ivashchenko, V.I., et al.
Veröffentlicht: (2002)
Biomorphic SiC from peas and beans
von: Kiselov, V.S., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Kiselov, V.S., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Ähnliche Einträge
-
Поперечная хемомагнитная э.д.с. в фосфиде индия при взаимодействии с атомарным водородом
von: Стыров, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2011) -
Многочастотные автоколебания в полупроводниковых структурах с двумя связанными лавинными p–n-переходами
von: Лукин, К.А., et al.
Veröffentlicht: (2009) -
Photovoltaic effect in p–SiC/p–Si heterojunction
von: Kozlovskyi, A.A., et al.
Veröffentlicht: (2013) -
Диагностика интенсивных протонных пучков на основе ядерной реакции ¹¹B(p, α)⁸Be
von: Залюбовский, И.И., et al.
Veröffentlicht: (2008) -
Многоуровневая оптическая память на микро- и наноразмерных структурах
von: Демёхин, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2004)