Концентраційна залежність тензоопору монокристалів n–Si

• Опубліковано в: : Доповіді НАН України
• Дата: 2013
• Автори: Баранський, П.І., Бабич, В.М., Гайдар, Г.П.
• Формат: Стаття
• Мова: Українська
• Опубліковано: Видавничий дім "Академперіодика" НАН України 2013
• Теми: Фізика
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/85897
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Концентраційна залежність тензоопору монокристалів n–Si / П.І. Баранський, В.М. Бабич, Г.П. Гайдар // Доповiдi Нацiональної академiї наук України. — 2013. — № 9. — С. 87–92. — Бібліогр.: 13 назв. — укр.

У широкому iнтервалi концентрацiй носiїв заряду 10¹² ≤ ne ≡ NI ≤ 10¹⁹ cм⁻³ при
 T = 77,4 К в дослiдах з монокристалами n−Si експериментально одержано залежнiсть
 граничних значень тензоопору ρ∞^[100]/ρ₀ вiд ne, яка дозволяє проводити розрахунки параметра анiзотропiї рухливостi K = μ⊥/μ||k = Km/Kτ (а отже, i параметра анiзотропiї розсiяння Kτ = Km/K) для областi азотних температур у припущеннi, що дослiджуванi кристали є практично не компенсованими. Наведено пояснення наявностi мiнiмуму на залежностi ρ∞^[100]/ρ₀ = f(ne) в областi ne ≈ 10¹⁷ ÷ 10¹⁸ см⁻³. В широком интервале концентраций носителей заряда 10¹² ≤ ne ≡ NI ≤ 10¹⁹ cм⁻³ при T = 77,4 К в опытах с монокристаллами n−Si экспериментально получена зависимость предельных значений тензосопротивления ρ∞^[100]/ρ₀ от ne, которая позволяет проводить расчеты параметра анизотропии подвижности K = μ⊥/μk = Km/K (а следовательно, и параметра анизотропии рассеяния K = Km/K) для области азотных температур в предположении, что исследуемые кристаллы являются практически не компенсированными. Объяснено наличие минимума на зависимости ρ∞^[100]/ρ₀ = f(ne) в области ne ≈ 10¹⁷ ÷ 10¹⁸ см⁻³. In a wide range of concentrations of charge carriers 10¹² ≤ ne ≡ NI ≤ 10¹⁹ cм⁻³ at T = 77.4 К in the experiments with the single crystals of n−Si, the dependence of the limit values
 of tensoresistance ρ∞^[100]/ρ₀ on ne, which allows us to calculate the anisotropy parameter of mobility K = μ⊥/μk = Km/K (and, hence, the anisotropy parameter of scattering K = Km/K)
 for the region of liquid nitrogen temperatures in the assumption that the investigated crystals are
 almost uncompensated, is experimentally obtained. The presence of a minimum on the dependence
 ρ∞^[100]/ρ₀ = f(ne) in the region of ne ≈ 10¹⁷ ÷ 10¹⁸ см⁻³ is explained.