Концентраційна залежність тензоопору монокристалів n–Si
У широкому iнтервалi концентрацiй носiїв заряду 10¹² ≤ ne ≡ NI ≤ 10¹⁹ cм⁻³ при
 T = 77,4 К в дослiдах з монокристалами n−Si експериментально одержано залежнiсть
 граничних значень тензоопору ρ∞^[100]/ρ₀ вiд ne, яка дозволяє проводити розрахунки параметра анiзотропiї рухливостi K = μ⊥...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Доповіді НАН України |
|---|---|
| Datum: | 2013 |
| Hauptverfasser: | , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainisch |
| Veröffentlicht: |
Видавничий дім "Академперіодика" НАН України
2013
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/85897 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Концентраційна залежність тензоопору монокристалів n–Si / П.І. Баранський, В.М. Бабич, Г.П. Гайдар // Доповiдi Нацiональної академiї наук України. — 2013. — № 9. — С. 87–92. — Бібліогр.: 13 назв. — укр. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862733932820168704 |
|---|---|
| author | Баранський, П.І. Бабич, В.М. Гайдар, Г.П. |
| author_facet | Баранський, П.І. Бабич, В.М. Гайдар, Г.П. |
| citation_txt | Концентраційна залежність тензоопору монокристалів n–Si / П.І. Баранський, В.М. Бабич, Г.П. Гайдар // Доповiдi Нацiональної академiї наук України. — 2013. — № 9. — С. 87–92. — Бібліогр.: 13 назв. — укр. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Доповіді НАН України |
| description | У широкому iнтервалi концентрацiй носiїв заряду 10¹² ≤ ne ≡ NI ≤ 10¹⁹ cм⁻³ при
T = 77,4 К в дослiдах з монокристалами n−Si експериментально одержано залежнiсть
граничних значень тензоопору ρ∞^[100]/ρ₀ вiд ne, яка дозволяє проводити розрахунки параметра анiзотропiї рухливостi K = μ⊥/μ||k = Km/Kτ (а отже, i параметра анiзотропiї розсiяння Kτ = Km/K) для областi азотних температур у припущеннi, що дослiджуванi кристали є практично не компенсованими. Наведено пояснення наявностi мiнiмуму на залежностi ρ∞^[100]/ρ₀ = f(ne) в областi ne ≈ 10¹⁷ ÷ 10¹⁸ см⁻³.
В широком интервале концентраций носителей заряда 10¹² ≤ ne ≡ NI ≤ 10¹⁹ cм⁻³ при T = 77,4 К в опытах с монокристаллами n−Si экспериментально получена зависимость предельных значений тензосопротивления ρ∞^[100]/ρ₀ от ne, которая позволяет проводить расчеты параметра анизотропии подвижности K = μ⊥/μk = Km/K (а следовательно, и параметра анизотропии рассеяния K = Km/K) для области азотных температур в предположении, что исследуемые кристаллы являются практически не компенсированными. Объяснено наличие минимума на зависимости ρ∞^[100]/ρ₀ = f(ne) в области ne ≈ 10¹⁷ ÷ 10¹⁸ см⁻³.
In a wide range of concentrations of charge carriers 10¹² ≤ ne ≡ NI ≤ 10¹⁹ cм⁻³ at T = 77.4 К in the experiments with the single crystals of n−Si, the dependence of the limit values
of tensoresistance ρ∞^[100]/ρ₀ on ne, which allows us to calculate the anisotropy parameter of mobility K = μ⊥/μk = Km/K (and, hence, the anisotropy parameter of scattering K = Km/K)
for the region of liquid nitrogen temperatures in the assumption that the investigated crystals are
almost uncompensated, is experimentally obtained. The presence of a minimum on the dependence
ρ∞^[100]/ρ₀ = f(ne) in the region of ne ≈ 10¹⁷ ÷ 10¹⁸ см⁻³ is explained.
|
| first_indexed | 2025-12-07T19:40:03Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-85897 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1025-6415 |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2025-12-07T19:40:03Z |
| publishDate | 2013 |
| publisher | Видавничий дім "Академперіодика" НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Баранський, П.І. Бабич, В.М. Гайдар, Г.П. 2015-08-31T16:18:02Z 2015-08-31T16:18:02Z 2013 Концентраційна залежність тензоопору монокристалів n–Si / П.І. Баранський, В.М. Бабич, Г.П. Гайдар // Доповiдi Нацiональної академiї наук України. — 2013. — № 9. — С. 87–92. — Бібліогр.: 13 назв. — укр. 1025-6415 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/85897 621.315.592 У широкому iнтервалi концентрацiй носiїв заряду 10¹² ≤ ne ≡ NI ≤ 10¹⁹ cм⁻³ при
 T = 77,4 К в дослiдах з монокристалами n−Si експериментально одержано залежнiсть
 граничних значень тензоопору ρ∞^[100]/ρ₀ вiд ne, яка дозволяє проводити розрахунки параметра анiзотропiї рухливостi K = μ⊥/μ||k = Km/Kτ (а отже, i параметра анiзотропiї розсiяння Kτ = Km/K) для областi азотних температур у припущеннi, що дослiджуванi кристали є практично не компенсованими. Наведено пояснення наявностi мiнiмуму на залежностi ρ∞^[100]/ρ₀ = f(ne) в областi ne ≈ 10¹⁷ ÷ 10¹⁸ см⁻³. В широком интервале концентраций носителей заряда 10¹² ≤ ne ≡ NI ≤ 10¹⁹ cм⁻³ при T = 77,4 К в опытах с монокристаллами n−Si экспериментально получена зависимость предельных значений тензосопротивления ρ∞^[100]/ρ₀ от ne, которая позволяет проводить расчеты параметра анизотропии подвижности K = μ⊥/μk = Km/K (а следовательно, и параметра анизотропии рассеяния K = Km/K) для области азотных температур в предположении, что исследуемые кристаллы являются практически не компенсированными. Объяснено наличие минимума на зависимости ρ∞^[100]/ρ₀ = f(ne) в области ne ≈ 10¹⁷ ÷ 10¹⁸ см⁻³. In a wide range of concentrations of charge carriers 10¹² ≤ ne ≡ NI ≤ 10¹⁹ cм⁻³ at T = 77.4 К in the experiments with the single crystals of n−Si, the dependence of the limit values
 of tensoresistance ρ∞^[100]/ρ₀ on ne, which allows us to calculate the anisotropy parameter of mobility K = μ⊥/μk = Km/K (and, hence, the anisotropy parameter of scattering K = Km/K)
 for the region of liquid nitrogen temperatures in the assumption that the investigated crystals are
 almost uncompensated, is experimentally obtained. The presence of a minimum on the dependence
 ρ∞^[100]/ρ₀ = f(ne) in the region of ne ≈ 10¹⁷ ÷ 10¹⁸ см⁻³ is explained. uk Видавничий дім "Академперіодика" НАН України Доповіді НАН України Фізика Концентраційна залежність тензоопору монокристалів n–Si Концентрационная зависимость тензосопротивления монокристаллов n−Si The concentration dependence of the tensoresistance of n−Si single crystals Article published earlier |
| spellingShingle | Концентраційна залежність тензоопору монокристалів n–Si Баранський, П.І. Бабич, В.М. Гайдар, Г.П. Фізика |
| title | Концентраційна залежність тензоопору монокристалів n–Si |
| title_alt | Концентрационная зависимость тензосопротивления монокристаллов n−Si The concentration dependence of the tensoresistance of n−Si single crystals |
| title_full | Концентраційна залежність тензоопору монокристалів n–Si |
| title_fullStr | Концентраційна залежність тензоопору монокристалів n–Si |
| title_full_unstemmed | Концентраційна залежність тензоопору монокристалів n–Si |
| title_short | Концентраційна залежність тензоопору монокристалів n–Si |
| title_sort | концентраційна залежність тензоопору монокристалів n–si |
| topic | Фізика |
| topic_facet | Фізика |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/85897 |
| work_keys_str_mv | AT baransʹkiipí koncentracíinazaležnístʹtenzooporumonokristalívnsi AT babičvm koncentracíinazaležnístʹtenzooporumonokristalívnsi AT gaidargp koncentracíinazaležnístʹtenzooporumonokristalívnsi AT baransʹkiipí koncentracionnaâzavisimostʹtenzosoprotivleniâmonokristallovnsi AT babičvm koncentracionnaâzavisimostʹtenzosoprotivleniâmonokristallovnsi AT gaidargp koncentracionnaâzavisimostʹtenzosoprotivleniâmonokristallovnsi AT baransʹkiipí theconcentrationdependenceofthetensoresistanceofnsisinglecrystals AT babičvm theconcentrationdependenceofthetensoresistanceofnsisinglecrystals AT gaidargp theconcentrationdependenceofthetensoresistanceofnsisinglecrystals |