Концентраційна залежність тензоопору монокристалів n–Si

Концентраційна залежність тензоопору монокристалів n–Si

У широкому iнтервалi концентрацiй носiїв заряду 10¹² ≤ ne ≡ NI ≤ 10¹⁹ cм⁻³ при T = 77,4 К в дослiдах з монокристалами n−Si експериментально одержано залежнiсть граничних значень тензоопору ρ∞^[100]/ρ₀ вiд ne, яка дозволяє проводити розрахунки параметра анiзотропiї рухливостi K = μ⊥/μ||k = Km/Kτ (а...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Доповіді НАН України
Дата:2013
Автори: Баранський, П.І., Бабич, В.М., Гайдар, Г.П.
Формат: Стаття
Мова:Ukrainian
Опубліковано: Видавничий дім "Академперіодика" НАН України 2013
Теми:
Фізика
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/85897
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Концентраційна залежність тензоопору монокристалів n–Si / П.І. Баранський, В.М. Бабич, Г.П. Гайдар // Доповiдi Нацiональної академiї наук України. — 2013. — № 9. — С. 87–92. — Бібліогр.: 13 назв. — укр.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-85897
record_format dspace
spelling Баранський, П.І.
Бабич, В.М.
Гайдар, Г.П.
2015-08-31T16:18:02Z
2015-08-31T16:18:02Z
2013
Концентраційна залежність тензоопору монокристалів n–Si / П.І. Баранський, В.М. Бабич, Г.П. Гайдар // Доповiдi Нацiональної академiї наук України. — 2013. — № 9. — С. 87–92. — Бібліогр.: 13 назв. — укр.
1025-6415
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/85897
621.315.592
У широкому iнтервалi концентрацiй носiїв заряду 10¹² ≤ ne ≡ NI ≤ 10¹⁹ cм⁻³ при T = 77,4 К в дослiдах з монокристалами n−Si експериментально одержано залежнiсть граничних значень тензоопору ρ∞^[100]/ρ₀ вiд ne, яка дозволяє проводити розрахунки параметра анiзотропiї рухливостi K = μ⊥/μ||k = Km/Kτ (а отже, i параметра анiзотропiї розсiяння Kτ = Km/K) для областi азотних температур у припущеннi, що дослiджуванi кристали є практично не компенсованими. Наведено пояснення наявностi мiнiмуму на залежностi ρ∞^[100]/ρ₀ = f(ne) в областi ne ≈ 10¹⁷ ÷ 10¹⁸ см⁻³.
В широком интервале концентраций носителей заряда 10¹² ≤ ne ≡ NI ≤ 10¹⁹ cм⁻³ при T = 77,4 К в опытах с монокристаллами n−Si экспериментально получена зависимость предельных значений тензосопротивления ρ∞^[100]/ρ₀ от ne, которая позволяет проводить расчеты параметра анизотропии подвижности K = μ⊥/μk = Km/K (а следовательно, и параметра анизотропии рассеяния K = Km/K) для области азотных температур в предположении, что исследуемые кристаллы являются практически не компенсированными. Объяснено наличие минимума на зависимости ρ∞^[100]/ρ₀ = f(ne) в области ne ≈ 10¹⁷ ÷ 10¹⁸ см⁻³.
In a wide range of concentrations of charge carriers 10¹² ≤ ne ≡ NI ≤ 10¹⁹ cм⁻³ at T = 77.4 К in the experiments with the single crystals of n−Si, the dependence of the limit values of tensoresistance ρ∞^[100]/ρ₀ on ne, which allows us to calculate the anisotropy parameter of mobility K = μ⊥/μk = Km/K (and, hence, the anisotropy parameter of scattering K = Km/K) for the region of liquid nitrogen temperatures in the assumption that the investigated crystals are almost uncompensated, is experimentally obtained. The presence of a minimum on the dependence ρ∞^[100]/ρ₀ = f(ne) in the region of ne ≈ 10¹⁷ ÷ 10¹⁸ см⁻³ is explained.
uk
Видавничий дім "Академперіодика" НАН України
Доповіді НАН України
Фізика
Концентраційна залежність тензоопору монокристалів n–Si
Концентрационная зависимость тензосопротивления монокристаллов n−Si
The concentration dependence of the tensoresistance of n−Si single crystals
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Концентраційна залежність тензоопору монокристалів n–Si
spellingShingle Концентраційна залежність тензоопору монокристалів n–Si
Баранський, П.І.
Бабич, В.М.
Гайдар, Г.П.
Фізика
title_short Концентраційна залежність тензоопору монокристалів n–Si
title_full Концентраційна залежність тензоопору монокристалів n–Si
title_fullStr Концентраційна залежність тензоопору монокристалів n–Si
title_full_unstemmed Концентраційна залежність тензоопору монокристалів n–Si
title_sort концентраційна залежність тензоопору монокристалів n–si
author Баранський, П.І.
Бабич, В.М.
Гайдар, Г.П.
author_facet Баранський, П.І.
Бабич, В.М.
Гайдар, Г.П.
topic Фізика
topic_facet Фізика
publishDate 2013
language Ukrainian
container_title Доповіді НАН України
publisher Видавничий дім "Академперіодика" НАН України
format Article
title_alt Концентрационная зависимость тензосопротивления монокристаллов n−Si
The concentration dependence of the tensoresistance of n−Si single crystals
description У широкому iнтервалi концентрацiй носiїв заряду 10¹² ≤ ne ≡ NI ≤ 10¹⁹ cм⁻³ при T = 77,4 К в дослiдах з монокристалами n−Si експериментально одержано залежнiсть граничних значень тензоопору ρ∞^[100]/ρ₀ вiд ne, яка дозволяє проводити розрахунки параметра анiзотропiї рухливостi K = μ⊥/μ||k = Km/Kτ (а отже, i параметра анiзотропiї розсiяння Kτ = Km/K) для областi азотних температур у припущеннi, що дослiджуванi кристали є практично не компенсованими. Наведено пояснення наявностi мiнiмуму на залежностi ρ∞^[100]/ρ₀ = f(ne) в областi ne ≈ 10¹⁷ ÷ 10¹⁸ см⁻³. В широком интервале концентраций носителей заряда 10¹² ≤ ne ≡ NI ≤ 10¹⁹ cм⁻³ при T = 77,4 К в опытах с монокристаллами n−Si экспериментально получена зависимость предельных значений тензосопротивления ρ∞^[100]/ρ₀ от ne, которая позволяет проводить расчеты параметра анизотропии подвижности K = μ⊥/μk = Km/K (а следовательно, и параметра анизотропии рассеяния K = Km/K) для области азотных температур в предположении, что исследуемые кристаллы являются практически не компенсированными. Объяснено наличие минимума на зависимости ρ∞^[100]/ρ₀ = f(ne) в области ne ≈ 10¹⁷ ÷ 10¹⁸ см⁻³. In a wide range of concentrations of charge carriers 10¹² ≤ ne ≡ NI ≤ 10¹⁹ cм⁻³ at T = 77.4 К in the experiments with the single crystals of n−Si, the dependence of the limit values of tensoresistance ρ∞^[100]/ρ₀ on ne, which allows us to calculate the anisotropy parameter of mobility K = μ⊥/μk = Km/K (and, hence, the anisotropy parameter of scattering K = Km/K) for the region of liquid nitrogen temperatures in the assumption that the investigated crystals are almost uncompensated, is experimentally obtained. The presence of a minimum on the dependence ρ∞^[100]/ρ₀ = f(ne) in the region of ne ≈ 10¹⁷ ÷ 10¹⁸ см⁻³ is explained.
issn 1025-6415
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/85897
citation_txt Концентраційна залежність тензоопору монокристалів n–Si / П.І. Баранський, В.М. Бабич, Г.П. Гайдар // Доповiдi Нацiональної академiї наук України. — 2013. — № 9. — С. 87–92. — Бібліогр.: 13 назв. — укр.
work_keys_str_mv AT baransʹkiipí koncentracíinazaležnístʹtenzooporumonokristalívnsi
AT babičvm koncentracíinazaležnístʹtenzooporumonokristalívnsi
AT gaidargp koncentracíinazaležnístʹtenzooporumonokristalívnsi
AT baransʹkiipí koncentracionnaâzavisimostʹtenzosoprotivleniâmonokristallovnsi
AT babičvm koncentracionnaâzavisimostʹtenzosoprotivleniâmonokristallovnsi
AT gaidargp koncentracionnaâzavisimostʹtenzosoprotivleniâmonokristallovnsi
AT baransʹkiipí theconcentrationdependenceofthetensoresistanceofnsisinglecrystals
AT babičvm theconcentrationdependenceofthetensoresistanceofnsisinglecrystals
AT gaidargp theconcentrationdependenceofthetensoresistanceofnsisinglecrystals
first_indexed 2025-12-07T19:40:03Z
last_indexed 2025-12-07T19:40:03Z
_version_ 1850879669110308864

Схожі ресурси