Зображення обкладинки

Концентраційна залежність тензоопору монокристалів n–Si

У широкому iнтервалi концентрацiй носiїв заряду 10¹² ≤ ne ≡ NI ≤ 10¹⁹ cм⁻³ при T = 77,4 К в дослiдах з монокристалами n−Si експериментально одержано залежнiсть граничних значень тензоопору ρ∞^[100]/ρ₀ вiд ne, яка дозволяє проводити розрахунки параметра анiзотропiї рухливостi K = μ⊥...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Доповіді НАН України
Дата:	2013
Автори:	Баранський, П.І., Бабич, В.М., Гайдар, Г.П.
Формат:	Стаття
Мова:	Українська
Опубліковано:	Видавничий дім "Академперіодика" НАН України 2013
Теми:	Фізика
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/85897
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Концентраційна залежність тензоопору монокристалів n–Si / П.І. Баранський, В.М. Бабич, Г.П. Гайдар // Доповiдi Нацiональної академiї наук України. — 2013. — № 9. — С. 87–92. — Бібліогр.: 13 назв. — укр.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

До методології визначення тензоопору n-Ge та n-Si у кристалографічних напрямках 〈110〉
за авторством: Гайдар, Г.П.
Опубліковано: (2019)

До методики визначення поперечного тензоопору в багатодолинних напівпровідниках
за авторством: Гайдар, Г.П.
Опубліковано: (2022)

Концентраційна залежність фізичних властивостей розплаву NaF–LiF–NdF₃
за авторством: Булавін, Л.А., та інші
Опубліковано: (2013)

Вплив високотемпературного відпалу на параметри анізотропії рухливості і анізотропії термо-ЕРС захоплення електронів фононами в n–Si
за авторством: Баранський, П.І., та інші
Опубліковано: (2014)

Зміна електрофізичних властивостей сильно легованих монокристалів n-Ge 〈As〉 під впливом термовідпалів
за авторством: Гайдар, Г.П.
Опубліковано: (2018)

Експериментальний доказ незмінності форми ізоенергетичних еліпсоїдів n–Ge в умовах сильної одновісної пружної деформації
за авторством: Гайдар, Г.П., та інші
Опубліковано: (2015)

Залежність параметра анізотропії термо-ЕРС захоплення від концентрації домішок у кристалах n-Ge та n-Si
за авторством: Гайдар, Г.П., та інші
Опубліковано: (2017)

Вплив ізовалентної домішки Ge і термовідпалів на електрофізичні властивості кристалів кремнію
за авторством: Гайдар, Г.П., та інші
Опубліковано: (2016)

Визначення параметра анізотропії термоерс захоплення в багатодолинних напівпровідниках
за авторством: Баранський, П.І., та інші
Опубліковано: (2012)

Особливості зміни структури й електрофізичних характеристик n-Si під впливом різних режимів термообробки
за авторством: Гайдар, Г.П.
Опубліковано: (2020)

Ефекти впорядкування дефектної структури n-Si, індуковані великими флюенсами іонів МеВ-них енергій
за авторством: Гайдар, Г.П., та інші
Опубліковано: (2021)

Вплив термовідпалів при 450 і 650 °С на тензоопір і параметр анізотропії рухливості монокристалів кремнію
за авторством: Баранський, П.І., та інші
Опубліковано: (2014)

Концентраційна залежність розмірів макромолекул альбумінів у водних розчинах
за авторством: Bulavin, L. A., та інші
Опубліковано: (2020)

Деформаційні ефекти у кристалах германію діркової провідності
за авторством: Гайдар, Г.П.
Опубліковано: (2023)

Магнітотензо- і тензомагнітоопір n-Ge
за авторством: Баранський, П.І., та інші
Опубліковано: (2016)

Ізотропність розсіяння на флуктуаціях легуючої домішки в сильно легованому n-кремнії
за авторством: Баранський, П.І., та інші
Опубліковано: (2010)

Особливості фізичних процесів формування кремнієвих поверхнево-бар’єрних структур
за авторством: Гайдар, Г.П., та інші
Опубліковано: (2024)

Генерация хемо-ЭДС в наноразмерных структурах с p–n-переходами на основе SiC
за авторством: Стыров, В.В., та інші
Опубліковано: (2013)

Дослідження систем нанокластерів Si та Ge на поверхні SiOx/Si, одержаних методом молекулярно-променевої епітаксії
за авторством: Козирев, Ю.М., та інші
Опубліковано: (2010)

Температурна і концентраційна залежність дзета-потенціалу макромолекул альбуміну у водно-сольовому розчині згідно з комірковою моделлю
за авторством: Stoliaryk, O.D., та інші
Опубліковано: (2023)

Фізичні фактори, що зумовлюють анізотропію термоерс і анізотропію рухливості в багатодолинних напівпровідниках
за авторством: Баранський, П.І., та інші
Опубліковано: (2013)

Зіставлення електрофізичних властивостей кристалів кремнію, легованих домішкою фосфору крізь розплав і методом ядерної трансмутації
за авторством: Баранський, П.І., та інші
Опубліковано: (2015)

Стан і перспективи наноструктурних термоелектричних матеріалів
за авторством: Баранський, П.І., та інші
Опубліковано: (2009)

Про особливості анізотропії термоелектричних ефектів у напівпровідниках, пов’язаної зі специфікою прояву багатьох долин
за авторством: Баранський, П.І., та інші
Опубліковано: (2012)

Радіаційна і термічна стійкість тонких шарів, гетеросистем і наноструктур, створюваних на основі елементарних напівпровідників і напівпровідникових сполук
за авторством: Баранський, П.І., та інші
Опубліковано: (2010)

Критические размерности систем с анизотропной модуляцией параметров порядка
за авторством: Бабич, А.В.
Опубліковано: (2012)

Скрытая симметрия уравнений магнитной гидродинамики и инвариантные решения
за авторством: Бабич, А.В.
Опубліковано: (2014)

Эффективность генерации планарных диодов n⁺−n−n⁺ c туннельными границами
за авторством: Прохоров, Э.Д., та інші
Опубліковано: (2014)

ЗАЛЕЖНІСТЬ СТАТИЧНОЇ МІЦНОСТІ КРУПНИХ МОНОКРИСТАЛІВ СИНТЕТИЧНОГО АЛМАЗУ ТИПУ ІІа ОКТАЕДРИЧНОГО ГАБІТУСУ ВІД ЇХ РОЗМІРУ
за авторством: Цисар, М. O., та інші
Опубліковано: (2022)

Двумерная теория поля и критические явления
за авторством: Бабич, А.В., та інші
Опубліковано: (2018)

Люмінесценція гідроксилапатиту кальцію при рентгенівському опроміненні
за авторством: Дорошенко, І.Ю., та інші
Опубліковано: (2020)

Исследование физических состояний водных растворов оксиэтилированных производных ацетамида со степенью полимеризации n = 1 и n = 7 ÷ 8 методом оптической криомикроскопии
за авторством: Животова, Е.Н., та інші
Опубліковано: (2007)

Концентраційна залежність параметрів спектра ЯКР 127І змішаних напівпровідникових шаруватих кристалів (BiI3)1-x(PbI2)x
за авторством: Barabash, A.I., та інші
Опубліковано: (2022)

Первопринципное моделирование ближнего порядка в аустените Fe–N
за авторством: Тимошевский, А.Н., та інші
Опубліковано: (2012)

Ефект наноструктурування Si та GaAs шляхом кавiтацiйної обробки в рiдкому азотi
за авторством: Савкiна, Р.К., та інші
Опубліковано: (2015)

Енергія зв'язку екситону у напівпровідникових квантових точках
за авторством: Шпак, А.П., та інші
Опубліковано: (2009)

Исследование физических состояний бинарных систем вода—оксиэтилированный глицерин со степенью полимеризации n = 5 и 25 при температурах ниже 273 К методом криомикроскопии
за авторством: Животова, Е.Н., та інші
Опубліковано: (2007)

Форма линии магнитного резонанса в порошках La0,7Ba0,3MnO3 при низких температурах
за авторством: Яковенко, В.М., та інші
Опубліковано: (2007)

К теории псевдощелевого состояния в низкоразмерных сверхпроводниках с анизотропным параметром порядка
за авторством: Локтев, В.М., та інші
Опубліковано: (2012)

Про розширену дійсну алгебру Кліффорда–Дірака та нові фізично важливі симетрії рівняння Дірака з ненульовою масою
за авторством: Симулик, В.М., та інші
Опубліковано: (2010)