Електронний стан атомів кисню в ядрі дислокації в кремнії
Електронний спектр надкомiрки з 64 атомiв Si, що мiстить домiшковий атом O в мiжвузловому положеннi, розрахований методом функцiоналу густини в узагальненому градiєнтному наближеннi. Атомнi позицiї в надкомiрцi моделюються шляхом числового
 вiдпалу. Розраховано атомну структуру та електроннi...
Saved in:
| Published in: | Доповіді НАН України |
|---|---|
| Date: | 2013 |
| Main Authors: | , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Ukrainian |
| Published: |
Видавничий дім "Академперіодика" НАН України
2013
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/86504 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Електронний стан атомів кисню в ядрі дислокації в кремнії / І.В. Плющай, В.А. Макара, О.І. Плющай, Т.В. Волкова // Доповiдi Нацiональної академiї наук України. — 2013. — № 11. — С. 90–95. — Бібліогр.: 11 назв. — укр. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1860071349932785664 |
|---|---|
| author | Плющай, І.В. Макара, В.А. Плющай, О.І. Волкова, Т.В. |
| author_facet | Плющай, І.В. Макара, В.А. Плющай, О.І. Волкова, Т.В. |
| citation_txt | Електронний стан атомів кисню в ядрі дислокації в кремнії / І.В. Плющай, В.А. Макара, О.І. Плющай, Т.В. Волкова // Доповiдi Нацiональної академiї наук України. — 2013. — № 11. — С. 90–95. — Бібліогр.: 11 назв. — укр. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Доповіді НАН України |
| description | Електронний спектр надкомiрки з 64 атомiв Si, що мiстить домiшковий атом O в мiжвузловому положеннi, розрахований методом функцiоналу густини в узагальненому градiєнтному наближеннi. Атомнi позицiї в надкомiрцi моделюються шляхом числового
вiдпалу. Розраховано атомну структуру та електроннi спектри ядра крайової дислокацiї, що мiстить домiшковий кисень. Обговорюються змiни густини електронних станiв, а також можливiсть формування магнiтних моментiв на дислокацiйних обiрваних
зв’язках. Розглядається можливiсть виникнення магнiтної взаємодiї мiж диcлокацiєю
та домiшкою кисню в кремнiї. Аналiзуються парцiальнi електроннi спектри домiшки
кисню в мiжвузловому положеннi та в ядрi дислокацiї.
Электронный спектр суперячейки из 64 атомов Si содержащей примесный атом O в межузловом положении рассчитан методом функционала плотности в обобщенном градиентном приближении. Атомные позиции в суперячейке моделируются путем числового отжи-
га. Рассчитаны атомная структура и электронные спектры ядра краевой дислокации, содержащего примеси кислорода. Обсуждаются изменения плотности электронных состояний,
а также возможность образования магнитного упорядочения на дислокационных оборванных связях. Рассматривается возможность возникновения магнитного взаимодействия между дислокацией и примесью кислорода в кремнии. Анализируются парциальные электронные спектры примеси кислорода в межузловом положении и в ядре дислокации.
The electronic spectrum of a supercell with 64 Si atoms and the oxygen impurity in the interstitial
position is calculated by the density functional theory in the generalized gradient approximation.
The atomic positions of atoms in the supercell are modeled by simulating annealing. The atomic
structure and the electronic spectra of an edge dislocation core containing the oxygen impurity
are calculated. Changes in the density of electronic states, as well as the possible formation of
a magnetic ordering on the dislocation core dangling bonds, are discussed. The possibility of the
formation of a dislocation-oxygen impurity magnetic interaction in silicon is considered. The partial
electronic spectra of the oxygen impurity in the interstitial position and in the dislocation core are analyzed.
|
| first_indexed | 2025-12-07T17:10:34Z |
| format | Article |
| fulltext |
оповiдi
НАЦIОНАЛЬНОЇ
АКАДЕМIЇ НАУК
УКРАЇНИ
11 • 2013
МАТЕРIАЛОЗНАВСТВО
УДК 538.915
I. В. Плющай, член-кореспондент НАН України В. А. Макара,
О. I. Плющай, Т.В. Волкова
Електронний стан атомiв кисню в ядрi дислокацiї
в кремнiї
Електронний спектр надкомiрки з 64 атомiв Si, що мiстить домiшковий атом O в мiж-
вузловому положеннi, розрахований методом функцiоналу густини в узагальненому гра-
дiєнтному наближеннi. Атомнi позицiї в надкомiрцi моделюються шляхом числового
вiдпалу. Розраховано атомну структуру та електроннi спектри ядра крайової дислока-
цiї, що мiстить домiшковий кисень. Обговорюються змiни густини електронних ста-
нiв, а також можливiсть формування магнiтних моментiв на дислокацiйних обiрваних
зв’язках. Розглядається можливiсть виникнення магнiтної взаємодiї мiж диcлокацiєю
та домiшкою кисню в кремнiї. Аналiзуються парцiальнi електроннi спектри домiшки
кисню в мiжвузловому положеннi та в ядрi дислокацiї.
Електроннi процеси в напiвпровiдникових структурах значною мiрою визначаються дефек-
тами та їх взаємодiєю мiж собою. Кисень — домiнуюча домiшка в монокристалах крем-
нiю, вирощених методом Чохральського, яка в основному обумовлює їх електрофiзичнi та
механiчнi властивостi. Домiшковi атоми О визначають поведiнку термодонорiв, термоста-
бiльнiсть часу життя носiїв струму, утворення мiкродефектiв [1]. За певних умов кисень
може бути джерелом зародження дислокацiйних колон, якi слугують центрами захоплен-
ня для атомiв важких металiв. Таке явище, що отримало назву внутрiшнього гетерування,
є прикладом позитивного впливу домiшок на якiсть кремнiєвих пластин [1]. Вiдомо, що
взаємодiя дислокацiй з точковими домiшками, зокрема киснем, визначає швидкiсть руху
дислокацiй, а отже, i механiчнi властивостi вказаних пластин. Останнiм часом з’явилися но-
вi експериментальнi данi про вплив магнiтного поля на взаємодiю мiж домiшковим киснем
та дислокацiєю в кремнiї [2].
Зважаючи на вищесказане, мета даної роботи полягала в установленнi особливостей
електронних станiв домiшок кисню в монокристалах кремнiю в мiжвузловому положеннi
та в околi ядра дислокацiї, а також в аналiзi можливостi виникнення магнiтної взаємодiї
мiж диcлокацiєю та домiшкою атома О в кристалi кремнiю.
Для з’ясування електронного стану домiшок кисню в кремнiї нами було розраховано
кривi густини електронних станiв надкомiрки з 64 атомiв Si, яка мiстила домiшковий атом
© I. В. Плющай, В. А. Макара, О. I. Плющай, Т.В. Волкова, 2013
90 ISSN 1025-6415 Reports of the National Academy of Sciences of Ukraine, 2013, №11
Рис. 1. Енергетична залежнiсть густини електронних станiв: а — кристалiчного кремнiю, б — надкомiрки
з 64 атомiв Si та атома О в мiжвузловому положеннi; в — атома О в мiжвузловому положеннi. Рiвень Фермi
позначений стрiлкою
О в мiжвузловому положеннi. Вiдповiдна концентрацiя домiшки ∼1,5% (1020 см−3). Розра-
хунок проводили методом функцiоналу густини [3] в узагальненому градiєнтному набли-
женнi [4] за допомогою пакета програм ABINIT [5].
Попереднiми дослiдженнями [6, 7] особливостей електронного стану домiшок кисню
в кремнiї доведено, що домiнуючим станом кисню в кремнiї є мiжвузлове положення; спо-
стерiгається перерозподiл електронної густини вiд атома О до оточуючих атомiв Si (до-
мiшковий атом набуває локального позитивного заряду); згiдно з критерiєм Стонера, на
домiшковому атомi О в мiжвузловому положеннi може формуватися магнiтний момент.
Однак слiд вiдзначити, що попереднi дослiдження були проведенi без врахування можли-
востi змiни положення атомiв Si навколо домiшки атома, тобто без розгляду деформацiї
гратки навколо домiшки. В представленому повiдомленнi проведено числовий вiдпал по-
ложень атомiв за алгоритмом, наведеним у статтi [8]. Положення атомiв Si навколо до-
мiшкового атома O змiнювались у вiдповiдностi з силами, розрахованими з перших прин-
ципiв. Вiдповiдно проведених розрахункiв, атоми першої координацiйної сфери навколо
кисню в мiжвузловому положеннi змiщуються до домiшкового атома на 6,9%, атоми ж
другої i третьої координацiйних сфер, навпаки, змiщуються вiд домiшкового атома на 3,1
i 0,9% вiдповiдно. Змiщення атомiв подальших координацiйних сфер (всього наша надко-
мiрка мiстить атоми до 9 координацiйної сфери включно) незначнi та затухають у мiру
вiддалення вiд домiшкового атома. Виграш енергiї електронної пiдсистеми надкомiрки за
рахунок релаксацiї атомних позицiй навколо зануреного кисню становить 0,2 eВ (7 · 10−3
Хартрi).
Енергетичну залежнiсть густини електронних станiв n(E) надкомiрки з 64 атомiв Si,
яка мiстить один мiжвузловий атом O, iлюструє рис. 1, б. Для порiвняння на рисунку а
наведений електронний спектр монокристала кремнiю без домiшок. У цiлому отриманi спе-
ктри пiдтверджують нашi попереднi результати, але без урахування релаксацiї гратки [6].
У спектрi спостерiгається формування вузького додаткового пiка в забороненiй зонi без-
посередньо над валентною зоною. Аналiз локального спектра атома О (див. в на рис. 1)
ISSN 1025-6415 Доповiдi Нацiональної академiї наук України, 2013, №11 91
Рис. 2. Парцiальнi електроннi спектри атома О в мiжвузловому положеннi (а — s-, б — p- та в — d-електро-
ни).
Тут i на рис. 4 — масштаб на всiх графiках однаковий
дозволяє зв’язати пiк, що обговорюється, саме з електронними станами домiшкового ато-
ма О. Принциповим є те, що домiшкова пiдзона електронних станiв кисню в мiжвузловому
станi дуже вузька (плоска) i частково заповнена. Останнє, згiдно з критерiєм Стонера, може
привести до виникнення магнiтного моменту на домiшковому атомi.
Парцiальнi електроннi спектри атома О в мiжвузловому положеннi демонструє рис. 2.
Валентна орбiталь iзольованого атома О складається з 6 електронiв — 2s22p4. У випадку
атома О, помiщеного у мiжвузлове положення монокристала кремнiю, по-перше, майже
всi електрони перебувають в p-станi i, по-друге, їх загальна кiлькiсть становить приблиз-
но 5 (2p5). Останнє збiгається з нашими попереднiми результатами [7], згiдно яких атом
О в кристалi кремнiю набуває локального позитивного заряду, тобто електронна густина
змiщується до атомiв Si.
За попереднiми спiн-полярiзованими розрахунками [6], магнiтний момент розглянутої
системи становить 0,5 µБ на атом О, що добре узгоджується з даними результатами, оскiль-
ки валентний стан 2p5 передбачає один неспарений електрон.
Ранiше нами були розрахованi електроннi спектри та магнiтний момент крайової дисло-
кацiї в кристалiчному кремнiї [9, 10]. Особливостi розрахунку та вибору надкомiрки доклад-
но розглянуто в статтi [9]. На рис. 3, а представлено електронний спектр надкомiрки, що
мiстить дислокацiйний диполь. Основною вiдмiннiстю розрахованого електронного спектра
надкомiрки, що мiстить дислокацiйний диполь у порiвняннi зi спектром монокристалiчно-
го кремнiю (див. а на рис. 1), є наявнiсть гострого асиметричного пiка в забороненiй об-
ластi пiд зоною провiдностi. Рiвень Фермi, позначений на рисунках стрiлками, потрапляє
в область вказаного пiка. Аналiз локальних електронних спектрiв дозволяє зв’язати цей
субпiк з обiрваними ненасиченими зв’язками на атомах Si в ядрi дислокацiї.
Наявнiсть частково заповненого гострого пiка (дислокацiйної пiдзони) в електронному
спектрi надкомiрки, згiдно з критерiєм Стонера, може приводити до виникнення магнiтного
92 ISSN 1025-6415 Reports of the National Academy of Sciences of Ukraine, 2013, №11
Рис. 3. Енергетична залежнiсть густини електронних станiв: а — надкомiрки кремнiю, що мiстить дис-
локацiйний диполь; б — надкомiрки кремнiю, що мiстить дислокацiйний диполь та два атоми О в ядрi
дислокацiї
впорядкування за зонною схемою. Для перевiрки цього припущення нами був проведений
ab initio спiн-поляризований розрахунок дислокацiйної надкомiрки [10], яким пiдтвердже-
но, що основним буде дiйсно спiн-поляризований стан електронної пiдсистеми з виграшем
по енергiї 0,015 еВ (5 · 10−4 Хартрi) на надкомiрку та магнiтним моментом 1,25 µБ на над-
комiрку, що мiстить два вiдрiзки (диполь) крайової дислокацiї одиничної довжини.
Таким чином, нами теоретично показано можливiсть формування магнiтних моментiв
на обiрваних зв’язках крайової дислокацiї в кремнiї та на домiшковому атомi О в мiжвуз-
ловому положеннi, що може спричинити додатковi магнiтнi взаємодiї мiж дислокацiєю та
домiшковими атомами О. Останнє, як вже вiдзначалося, має експериментальне пiдтверд-
ження [2].
Для з’ясування особливостей електронного стану атомiв О в ядрi крайової дислокацiї
в кремнiї нами проведено моделювання надкомiрки з 180 атомiв Si, що мiстила диполь з двох
крайових дислокацiй та два атоми О, помiщених в область ядра дислокацiї. Попередньо був
проведений числовий вiдпал атомних положень за алгоритмом [8], що дозволило атомам О
зайняти стабiльне положення в ядрi дислокацiї.
Електронний спектр указаної надкомiрки представлений на рис. 3, б. Можна зазначи-
ти, що додавання атомiв О та релаксацiя структури спричинює часткове вiдокремлення
дислокацiйної пiдзони бiля дна зони провiдностi з потраплянням рiвня Фермi в утворену
локальну псевдощiлину. Останнє є досить характерною поведiнкою. Релаксацiя атомних по-
зицiй, як правило, призводить до формування локальної псевдощiлини в околi рiвня Фермi,
що вiдповiдає зменшенню енергiї електронної пiдсистеми.
Парцiальнi електроннi спектри атома О в ядрi крайової дислокацiї демонструє рис. 4.
Як i у випадку кисню у мiжвузловому положеннi, можна бачити, що майже всi електрони
перебувають в p-станi, кiлькiсть s- й d-електронiв незначна. Електронний спектр атома
кисню в цiлому якiсно збiгається з попереднiм випадком, але має iншу форму. Кiлькiсть
p-електронiв 4,4, що дещо менше, нiж у випадку мiжвузлового положення, але якiсно ми
все одно маємо локальний позитивний заряд на атомi О.
ISSN 1025-6415 Доповiдi Нацiональної академiї наук України, 2013, №11 93
Рис. 4. Парцiальнi електроннi спектри атома О в ядрi крайової дислокацiї (а — s-, б — p- та в — d-електрони)
Таким чином, проведенi нами першопринципнi розрахунки електронних спектрiв атомiв
О в мiжвузловому положеннi та в ядрi крайової дислокацiї в кремнiї виявили такi спiльнi
риси: в обох випадках домiшковий атом О набуває локального позитивного заряду та майже
всi електрони перебувають в p-станi. Електронний спектр атома О, помiщеного в ядро кра-
йової дислокацiї, вiдрiзняється по формi. Останнє, очевидно, пов’язане зi змiною симетрiї
локального оточення домiшкового атома О.
Магнiтнi моменти, що можуть формуватися як на мiжвузлових атомах О, так i на обiр-
ваних зв’язках в ядрi крайової дислокацiї в кремнiї, згiдно з критерiєм Стонера, повиннi
спричиняти додатковi магнiтнi взаємодiї мiж цими дефектами, тобто появу так званого
магнiтомеханiчного ефекту [11].
1. Бабич В.М., Блецкан М. I., Венгер Є.Ф. Кисень в монокристалах кремнiю. – Київ: Iнтерпрес ЛТД,
1997. – 240 с.
2. Yonenaga I., Takahashi K. Effect of magnetic field on dislocation-oxygen impurity interaction in silicon //
J. Appl. Phys. – 2007. – 101. – P. 053528–053531.
3. Gonze X., Amadon B. et al. ABINIT: First-principles approach of materials and nanosystem properties //
Comp. Phys. Com. – 2009. – 180. – P. 2582–2615.
4. Perdew J. P., Burke K., Ernzerhof M. Generalized gradient approximation made simple // Phys. Rev.
Lett. – 1996. – 77. – P. 3865–3868.
5. http://www.abinit.org/.
6. Плющай I. В., Макара В.А. Електронний та магнiтний стан атомiв кисню в монокристалах кремнiю //
Доп. НАН України. – 2009. – № 3. – С. 110–114.
7. Плющай I. В., Макара В.А., Плющай О. I. Електронний, зарядовий та магнiтний стани точкових
дефектiв у монокристалах кремнiю // Там само. – 2011. – № 9. – С. 82–89.
8. Schlegel H. B. Optimization of equilibrium geometries and transition structures // J. Comp. Chem. –
1982. – 3. – P. 214–218.
9. Плющай I. В., Макара В.А., Плющай О. I. Електроннi спектри та атомова структура крайової дис-
локацiї в кремнiї // Металлофиз. новейш. технологии. – 2011. – 33, спецвып. – С. 157–163.
10. Плющай I.В., Макара В.А., Плющай О. I. Магнiтний стан крайової дислокацiї в кремнiї // Доп. НАН
України. – 2013. – № 1. – С. 83–87.
94 ISSN 1025-6415 Reports of the National Academy of Sciences of Ukraine, 2013, №11
11. Makara V.A., Steblenko L. P. et al. Effect of weak magnetic field on structural arrangement of extrinsic
oxygen atoms and mechanical properties of silicon monocrystals // Semicond. Phys., Quantum Ellectron.
and Optoelectron. – 2006. – 9, No 2. – P. 1–3.
Надiйшло до редакцiї 19.06.2013Київський нацiональний унiверситет
iм. Тараса Шевченка
И.В. Плющай, член-корреспондент НАН Украины В.А. Макара,
А.И. Плющай, Т.В. Волкова
Электронное состояние атомов кислорода в ядре дислокации
в кремнии
Электронный спектр суперячейки из 64 атомов Si содержащей примесный атом O в меж-
узловом положении рассчитан методом функционала плотности в обобщенном градиент-
ном приближении. Атомные позиции в суперячейке моделируются путем числового отжи-
га. Рассчитаны атомная структура и электронные спектры ядра краевой дислокации, содер-
жащего примеси кислорода. Обсуждаются изменения плотности электронных состояний,
а также возможность образования магнитного упорядочения на дислокационных оборван-
ных связях. Рассматривается возможность возникновения магнитного взаимодействия
между дислокацией и примесью кислорода в кремнии. Анализируются парциальные элект-
ронные спектры примеси кислорода в межузловом положении и в ядре дислокации.
I. V. Plyushchay, Corresponding Member of the NAS of Ukraine V.A. Makara,
A. I. Plyushchay, T.V. Volkova
Electronic state of oxygen atoms in a dislocation core in silicon
The electronic spectrum of a supercell with 64 Si atoms and the oxygen impurity in the interstitial
position is calculated by the density functional theory in the generalized gradient approximation.
The atomic positions of atoms in the supercell are modeled by simulating annealing. The atomic
structure and the electronic spectra of an edge dislocation core containing the oxygen impurity
are calculated. Changes in the density of electronic states, as well as the possible formation of
a magnetic ordering on the dislocation core dangling bonds, are discussed. The possibility of the
formation of a dislocation-oxygen impurity magnetic interaction in silicon is considered. The partial
electronic spectra of the oxygen impurity in the interstitial position and in the dislocation core are
analyzed.
ISSN 1025-6415 Доповiдi Нацiональної академiї наук України, 2013, №11 95
|
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-86504 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2025-12-07T17:10:34Z |
| publishDate | 2013 |
| publisher | Видавничий дім "Академперіодика" НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Плющай, І.В. Макара, В.А. Плющай, О.І. Волкова, Т.В. 2015-09-19T14:17:12Z 2015-09-19T14:17:12Z 2013 Електронний стан атомів кисню в ядрі дислокації в кремнії / І.В. Плющай, В.А. Макара, О.І. Плющай, Т.В. Волкова // Доповiдi Нацiональної академiї наук України. — 2013. — № 11. — С. 90–95. — Бібліогр.: 11 назв. — укр. https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/86504 538.915 Електронний спектр надкомiрки з 64 атомiв Si, що мiстить домiшковий атом O в мiжвузловому положеннi, розрахований методом функцiоналу густини в узагальненому градiєнтному наближеннi. Атомнi позицiї в надкомiрцi моделюються шляхом числового
 вiдпалу. Розраховано атомну структуру та електроннi спектри ядра крайової дислокацiї, що мiстить домiшковий кисень. Обговорюються змiни густини електронних станiв, а також можливiсть формування магнiтних моментiв на дислокацiйних обiрваних
 зв’язках. Розглядається можливiсть виникнення магнiтної взаємодiї мiж диcлокацiєю
 та домiшкою кисню в кремнiї. Аналiзуються парцiальнi електроннi спектри домiшки
 кисню в мiжвузловому положеннi та в ядрi дислокацiї. Электронный спектр суперячейки из 64 атомов Si содержащей примесный атом O в межузловом положении рассчитан методом функционала плотности в обобщенном градиентном приближении. Атомные позиции в суперячейке моделируются путем числового отжи-
 га. Рассчитаны атомная структура и электронные спектры ядра краевой дислокации, содержащего примеси кислорода. Обсуждаются изменения плотности электронных состояний,
 а также возможность образования магнитного упорядочения на дислокационных оборванных связях. Рассматривается возможность возникновения магнитного взаимодействия между дислокацией и примесью кислорода в кремнии. Анализируются парциальные электронные спектры примеси кислорода в межузловом положении и в ядре дислокации. The electronic spectrum of a supercell with 64 Si atoms and the oxygen impurity in the interstitial
 position is calculated by the density functional theory in the generalized gradient approximation.
 The atomic positions of atoms in the supercell are modeled by simulating annealing. The atomic
 structure and the electronic spectra of an edge dislocation core containing the oxygen impurity
 are calculated. Changes in the density of electronic states, as well as the possible formation of
 a magnetic ordering on the dislocation core dangling bonds, are discussed. The possibility of the
 formation of a dislocation-oxygen impurity magnetic interaction in silicon is considered. The partial
 electronic spectra of the oxygen impurity in the interstitial position and in the dislocation core are analyzed. uk Видавничий дім "Академперіодика" НАН України Доповіді НАН України Матеріалознавство Електронний стан атомів кисню в ядрі дислокації в кремнії Электронное состояние атомов кислорода в ядре дислокации в кремнии Electronic state of oxygen atoms in a dislocation core in silicon Article published earlier |
| spellingShingle | Електронний стан атомів кисню в ядрі дислокації в кремнії Плющай, І.В. Макара, В.А. Плющай, О.І. Волкова, Т.В. Матеріалознавство |
| title | Електронний стан атомів кисню в ядрі дислокації в кремнії |
| title_alt | Электронное состояние атомов кислорода в ядре дислокации в кремнии Electronic state of oxygen atoms in a dislocation core in silicon |
| title_full | Електронний стан атомів кисню в ядрі дислокації в кремнії |
| title_fullStr | Електронний стан атомів кисню в ядрі дислокації в кремнії |
| title_full_unstemmed | Електронний стан атомів кисню в ядрі дислокації в кремнії |
| title_short | Електронний стан атомів кисню в ядрі дислокації в кремнії |
| title_sort | електронний стан атомів кисню в ядрі дислокації в кремнії |
| topic | Матеріалознавство |
| topic_facet | Матеріалознавство |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/86504 |
| work_keys_str_mv | AT plûŝaiív elektronniistanatomívkisnûvâdrídislokacíívkremníí AT makarava elektronniistanatomívkisnûvâdrídislokacíívkremníí AT plûŝaioí elektronniistanatomívkisnûvâdrídislokacíívkremníí AT volkovatv elektronniistanatomívkisnûvâdrídislokacíívkremníí AT plûŝaiív élektronnoesostoânieatomovkislorodavâdredislokaciivkremnii AT makarava élektronnoesostoânieatomovkislorodavâdredislokaciivkremnii AT plûŝaioí élektronnoesostoânieatomovkislorodavâdredislokaciivkremnii AT volkovatv élektronnoesostoânieatomovkislorodavâdredislokaciivkremnii AT plûŝaiív electronicstateofoxygenatomsinadislocationcoreinsilicon AT makarava electronicstateofoxygenatomsinadislocationcoreinsilicon AT plûŝaioí electronicstateofoxygenatomsinadislocationcoreinsilicon AT volkovatv electronicstateofoxygenatomsinadislocationcoreinsilicon |