Електронний стан атомів кисню в ядрі дислокації в кремнії
Електронний спектр надкомiрки з 64 атомiв Si, що мiстить домiшковий атом O в мiжвузловому положеннi, розрахований методом функцiоналу густини в узагальненому градiєнтному наближеннi. Атомнi позицiї в надкомiрцi моделюються шляхом числового вiдпалу. Розраховано атомну структуру та електроннi спектри...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Доповіді НАН України |
|---|---|
| Datum: | 2013 |
| Hauptverfasser: | , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainian |
| Veröffentlicht: |
Видавничий дім "Академперіодика" НАН України
2013
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/86504 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Електронний стан атомів кисню в ядрі дислокації в кремнії / І.В. Плющай, В.А. Макара, О.І. Плющай, Т.В. Волкова // Доповiдi Нацiональної академiї наук України. — 2013. — № 11. — С. 90–95. — Бібліогр.: 11 назв. — укр. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-86504 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Плющай, І.В. Макара, В.А. Плющай, О.І. Волкова, Т.В. 2015-09-19T14:17:12Z 2015-09-19T14:17:12Z 2013 Електронний стан атомів кисню в ядрі дислокації в кремнії / І.В. Плющай, В.А. Макара, О.І. Плющай, Т.В. Волкова // Доповiдi Нацiональної академiї наук України. — 2013. — № 11. — С. 90–95. — Бібліогр.: 11 назв. — укр. https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/86504 538.915 Електронний спектр надкомiрки з 64 атомiв Si, що мiстить домiшковий атом O в мiжвузловому положеннi, розрахований методом функцiоналу густини в узагальненому градiєнтному наближеннi. Атомнi позицiї в надкомiрцi моделюються шляхом числового вiдпалу. Розраховано атомну структуру та електроннi спектри ядра крайової дислокацiї, що мiстить домiшковий кисень. Обговорюються змiни густини електронних станiв, а також можливiсть формування магнiтних моментiв на дислокацiйних обiрваних зв’язках. Розглядається можливiсть виникнення магнiтної взаємодiї мiж диcлокацiєю та домiшкою кисню в кремнiї. Аналiзуються парцiальнi електроннi спектри домiшки кисню в мiжвузловому положеннi та в ядрi дислокацiї. Электронный спектр суперячейки из 64 атомов Si содержащей примесный атом O в межузловом положении рассчитан методом функционала плотности в обобщенном градиентном приближении. Атомные позиции в суперячейке моделируются путем числового отжи- га. Рассчитаны атомная структура и электронные спектры ядра краевой дислокации, содержащего примеси кислорода. Обсуждаются изменения плотности электронных состояний, а также возможность образования магнитного упорядочения на дислокационных оборванных связях. Рассматривается возможность возникновения магнитного взаимодействия между дислокацией и примесью кислорода в кремнии. Анализируются парциальные электронные спектры примеси кислорода в межузловом положении и в ядре дислокации. The electronic spectrum of a supercell with 64 Si atoms and the oxygen impurity in the interstitial position is calculated by the density functional theory in the generalized gradient approximation. The atomic positions of atoms in the supercell are modeled by simulating annealing. The atomic structure and the electronic spectra of an edge dislocation core containing the oxygen impurity are calculated. Changes in the density of electronic states, as well as the possible formation of a magnetic ordering on the dislocation core dangling bonds, are discussed. The possibility of the formation of a dislocation-oxygen impurity magnetic interaction in silicon is considered. The partial electronic spectra of the oxygen impurity in the interstitial position and in the dislocation core are analyzed. uk Видавничий дім "Академперіодика" НАН України Доповіді НАН України Матеріалознавство Електронний стан атомів кисню в ядрі дислокації в кремнії Электронное состояние атомов кислорода в ядре дислокации в кремнии Electronic state of oxygen atoms in a dislocation core in silicon Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Електронний стан атомів кисню в ядрі дислокації в кремнії |
| spellingShingle |
Електронний стан атомів кисню в ядрі дислокації в кремнії Плющай, І.В. Макара, В.А. Плющай, О.І. Волкова, Т.В. Матеріалознавство |
| title_short |
Електронний стан атомів кисню в ядрі дислокації в кремнії |
| title_full |
Електронний стан атомів кисню в ядрі дислокації в кремнії |
| title_fullStr |
Електронний стан атомів кисню в ядрі дислокації в кремнії |
| title_full_unstemmed |
Електронний стан атомів кисню в ядрі дислокації в кремнії |
| title_sort |
електронний стан атомів кисню в ядрі дислокації в кремнії |
| author |
Плющай, І.В. Макара, В.А. Плющай, О.І. Волкова, Т.В. |
| author_facet |
Плющай, І.В. Макара, В.А. Плющай, О.І. Волкова, Т.В. |
| topic |
Матеріалознавство |
| topic_facet |
Матеріалознавство |
| publishDate |
2013 |
| language |
Ukrainian |
| container_title |
Доповіді НАН України |
| publisher |
Видавничий дім "Академперіодика" НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Электронное состояние атомов кислорода в ядре дислокации в кремнии Electronic state of oxygen atoms in a dislocation core in silicon |
| description |
Електронний спектр надкомiрки з 64 атомiв Si, що мiстить домiшковий атом O в мiжвузловому положеннi, розрахований методом функцiоналу густини в узагальненому градiєнтному наближеннi. Атомнi позицiї в надкомiрцi моделюються шляхом числового
вiдпалу. Розраховано атомну структуру та електроннi спектри ядра крайової дислокацiї, що мiстить домiшковий кисень. Обговорюються змiни густини електронних станiв, а також можливiсть формування магнiтних моментiв на дислокацiйних обiрваних
зв’язках. Розглядається можливiсть виникнення магнiтної взаємодiї мiж диcлокацiєю
та домiшкою кисню в кремнiї. Аналiзуються парцiальнi електроннi спектри домiшки
кисню в мiжвузловому положеннi та в ядрi дислокацiї.
Электронный спектр суперячейки из 64 атомов Si содержащей примесный атом O в межузловом положении рассчитан методом функционала плотности в обобщенном градиентном приближении. Атомные позиции в суперячейке моделируются путем числового отжи-
га. Рассчитаны атомная структура и электронные спектры ядра краевой дислокации, содержащего примеси кислорода. Обсуждаются изменения плотности электронных состояний,
а также возможность образования магнитного упорядочения на дислокационных оборванных связях. Рассматривается возможность возникновения магнитного взаимодействия между дислокацией и примесью кислорода в кремнии. Анализируются парциальные электронные спектры примеси кислорода в межузловом положении и в ядре дислокации.
The electronic spectrum of a supercell with 64 Si atoms and the oxygen impurity in the interstitial
position is calculated by the density functional theory in the generalized gradient approximation.
The atomic positions of atoms in the supercell are modeled by simulating annealing. The atomic
structure and the electronic spectra of an edge dislocation core containing the oxygen impurity
are calculated. Changes in the density of electronic states, as well as the possible formation of
a magnetic ordering on the dislocation core dangling bonds, are discussed. The possibility of the
formation of a dislocation-oxygen impurity magnetic interaction in silicon is considered. The partial
electronic spectra of the oxygen impurity in the interstitial position and in the dislocation core are analyzed.
|
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/86504 |
| citation_txt |
Електронний стан атомів кисню в ядрі дислокації в кремнії / І.В. Плющай, В.А. Макара, О.І. Плющай, Т.В. Волкова // Доповiдi Нацiональної академiї наук України. — 2013. — № 11. — С. 90–95. — Бібліогр.: 11 назв. — укр. |
| work_keys_str_mv |
AT plûŝaiív elektronniistanatomívkisnûvâdrídislokacíívkremníí AT makarava elektronniistanatomívkisnûvâdrídislokacíívkremníí AT plûŝaioí elektronniistanatomívkisnûvâdrídislokacíívkremníí AT volkovatv elektronniistanatomívkisnûvâdrídislokacíívkremníí AT plûŝaiív élektronnoesostoânieatomovkislorodavâdredislokaciivkremnii AT makarava élektronnoesostoânieatomovkislorodavâdredislokaciivkremnii AT plûŝaioí élektronnoesostoânieatomovkislorodavâdredislokaciivkremnii AT volkovatv élektronnoesostoânieatomovkislorodavâdredislokaciivkremnii AT plûŝaiív electronicstateofoxygenatomsinadislocationcoreinsilicon AT makarava electronicstateofoxygenatomsinadislocationcoreinsilicon AT plûŝaioí electronicstateofoxygenatomsinadislocationcoreinsilicon AT volkovatv electronicstateofoxygenatomsinadislocationcoreinsilicon |
| first_indexed |
2025-12-07T17:10:34Z |
| last_indexed |
2025-12-07T17:10:34Z |
| _version_ |
1850870264814895104 |