Особенности электронного строения поверхности (111) в кристаллах типа А²В⁶

Особенности электронного строения поверхности (111) в кристаллах типа А²В⁶

Для полярной поверхности (111) в кристаллах типа А²В⁶ со структурой сфалерита ZnTe, ZnS, CdTe исследованы зонная структура, локальная плотность электронных состояний (полная и послойная), а также распределение зарядовой плотности валентных электронов (3D-графики и контурные карты). Отдельно рассмо...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Доповіді НАН України
Datum:2014
Hauptverfasser: Зубкова, С.М., Русина, Л.Н.
Format: Artikel
Sprache:Russian
Veröffentlicht: Видавничий дім "Академперіодика" НАН України 2014
Schlagworte:
Фізика
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/86792
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Особенности электронного строения поверхности (111) в кристаллах типа А²В⁶ / С.М. Зубкова, Л.Н. Русина // Доповiдi Нацiональної академiї наук України. — 2014. — № 1. — С. 72–80. — Бібліогр.: 15 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-86792
record_format dspace
spelling Зубкова, С.М.
Русина, Л.Н.
2015-10-01T16:52:40Z
2015-10-01T16:52:40Z
2014
Особенности электронного строения поверхности (111) в кристаллах типа А²В⁶ / С.М. Зубкова, Л.Н. Русина // Доповiдi Нацiональної академiї наук України. — 2014. — № 1. — С. 72–80. — Бібліогр.: 15 назв. — рос.
1025-6415
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/86792
538.915
Для полярной поверхности (111) в кристаллах типа А²В⁶ со структурой сфалерита ZnTe, ZnS, CdTe исследованы зонная структура, локальная плотность электронных состояний (полная и послойная), а также распределение зарядовой плотности валентных электронов (3D-графики и контурные карты). Отдельно рассмотрены свойства поверхностей, заканчивающихся анионом и катионом. Численный расчет проведен самосогласованным “трехмерным” методом псевдопотенциала в рамках модели слоистой сверхрешетки. В процессе самосогласования использован оригинальный итератор, позволивший преодолеть трудности, обусловленные наличием в случае поверхности векторов обратной решетки, меньших 1 ат. ед.
Для полярної поверхнi (111) у кристалах типу А²В⁶ iз структурою сфалериту i ZnTe, ZnS, CdTe дослiджено зонну структуру, локальну густину електронних станiв (повна i пошарова), а також розподiл зарядової густини валентних електронiв (3D-графiки та контурнi карти). Окремо розглянуто властивостi поверхонь, що закiнчуються анiоном i катiоном. Чисельний розрахунок для кристалiв типу сфалериту проведено самоузгодженим “тривимiрним” методом псевдопотенцiалу в рамках моделi шаруватої надгратки. В процесi самоузгодження використано оригiнальний iтератор, який дозволив подолати труднощi, пов’язанi з наявнiстю у випадку поверхнi векторiв оберненої гратки, менших за 1 ат. од.
Electronic band structure, local densities of states (total and layer-resolved ones), and the distribution of a charge density of valence electrons (3D-graphics and contour cards) at the (111) polar surface in ZnTe, ZnS, CdTe crystals have been studied. The properties of anion- and cation-terminated surfaces have been analyzed separately. The self-consistent three-dimensional pseudopotential method has been used for numerical calculations in the framework of a model of layered superlattice. The application of an original iterator in the self-consistent procedure allowed the difficulties associated with the surface-induced presence of reciprocal-lattice vectors shorter than 1 a. u. to be overcome.
ru
Видавничий дім "Академперіодика" НАН України
Доповіді НАН України
Фізика
Особенности электронного строения поверхности (111) в кристаллах типа А²В⁶
Особливостi електронної будови поверхнi (111) у кристалах типу А²В⁶
Electronic properties of (111) surface in crystals of А²В⁶ type
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Особенности электронного строения поверхности (111) в кристаллах типа А²В⁶
spellingShingle Особенности электронного строения поверхности (111) в кристаллах типа А²В⁶
Зубкова, С.М.
Русина, Л.Н.
Фізика
title_short Особенности электронного строения поверхности (111) в кристаллах типа А²В⁶
title_full Особенности электронного строения поверхности (111) в кристаллах типа А²В⁶
title_fullStr Особенности электронного строения поверхности (111) в кристаллах типа А²В⁶
title_full_unstemmed Особенности электронного строения поверхности (111) в кристаллах типа А²В⁶
title_sort особенности электронного строения поверхности (111) в кристаллах типа а²в⁶
author Зубкова, С.М.
Русина, Л.Н.
author_facet Зубкова, С.М.
Русина, Л.Н.
topic Фізика
topic_facet Фізика
publishDate 2014
language Russian
container_title Доповіді НАН України
publisher Видавничий дім "Академперіодика" НАН України
format Article
title_alt Особливостi електронної будови поверхнi (111) у кристалах типу А²В⁶
Electronic properties of (111) surface in crystals of А²В⁶ type
description Для полярной поверхности (111) в кристаллах типа А²В⁶ со структурой сфалерита ZnTe, ZnS, CdTe исследованы зонная структура, локальная плотность электронных состояний (полная и послойная), а также распределение зарядовой плотности валентных электронов (3D-графики и контурные карты). Отдельно рассмотрены свойства поверхностей, заканчивающихся анионом и катионом. Численный расчет проведен самосогласованным “трехмерным” методом псевдопотенциала в рамках модели слоистой сверхрешетки. В процессе самосогласования использован оригинальный итератор, позволивший преодолеть трудности, обусловленные наличием в случае поверхности векторов обратной решетки, меньших 1 ат. ед. Для полярної поверхнi (111) у кристалах типу А²В⁶ iз структурою сфалериту i ZnTe, ZnS, CdTe дослiджено зонну структуру, локальну густину електронних станiв (повна i пошарова), а також розподiл зарядової густини валентних електронiв (3D-графiки та контурнi карти). Окремо розглянуто властивостi поверхонь, що закiнчуються анiоном i катiоном. Чисельний розрахунок для кристалiв типу сфалериту проведено самоузгодженим “тривимiрним” методом псевдопотенцiалу в рамках моделi шаруватої надгратки. В процесi самоузгодження використано оригiнальний iтератор, який дозволив подолати труднощi, пов’язанi з наявнiстю у випадку поверхнi векторiв оберненої гратки, менших за 1 ат. од. Electronic band structure, local densities of states (total and layer-resolved ones), and the distribution of a charge density of valence electrons (3D-graphics and contour cards) at the (111) polar surface in ZnTe, ZnS, CdTe crystals have been studied. The properties of anion- and cation-terminated surfaces have been analyzed separately. The self-consistent three-dimensional pseudopotential method has been used for numerical calculations in the framework of a model of layered superlattice. The application of an original iterator in the self-consistent procedure allowed the difficulties associated with the surface-induced presence of reciprocal-lattice vectors shorter than 1 a. u. to be overcome.
issn 1025-6415
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/86792
citation_txt Особенности электронного строения поверхности (111) в кристаллах типа А²В⁶ / С.М. Зубкова, Л.Н. Русина // Доповiдi Нацiональної академiї наук України. — 2014. — № 1. — С. 72–80. — Бібліогр.: 15 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT zubkovasm osobennostiélektronnogostroeniâpoverhnosti111vkristallahtipaa2v6
AT rusinaln osobennostiélektronnogostroeniâpoverhnosti111vkristallahtipaa2v6
AT zubkovasm osoblivostielektronnoíbudovipoverhni111ukristalahtipua2v6
AT rusinaln osoblivostielektronnoíbudovipoverhni111ukristalahtipua2v6
AT zubkovasm electronicpropertiesof111surfaceincrystalsofa2v6type
AT rusinaln electronicpropertiesof111surfaceincrystalsofa2v6type
first_indexed 2025-11-30T09:23:44Z
last_indexed 2025-11-30T09:23:44Z
_version_ 1850857167626698752

Ähnliche Einträge