Дослідження аморфних халькогенідних матеріалів елементів пам’яті на основі фазових переходів

• Опубліковано в: : Реєстрація, зберігання і обробка даних
• Дата: 2014
• Автори: Кириленко, В.К., Мар’ян, В.М., Дуркот, М.О., Рубіш, В.М.
• Формат: Стаття
• Мова: Ukrainian
• Опубліковано: Інститут проблем реєстрації інформації НАН України 2014
• Теми: Фізичні основи, принципи та методи реєстрації даних
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/87110
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Дослідження аморфних халькогенідних матеріалів елементів пам’яті на основі фазових переходів / В.К. Кириленко, В.М. Мар’ян, М.О. Дуркот, В.М. Рубіш // Реєстрація, зберігання і обробка даних. — 2014. — Т. 16, № 2. — С. 7-13. — Бібліогр.: 18 назв. — укр.

Розроблено стенд, який надає можливість одночасно вимірювати температурні залежності електричного опору (R) та оптичного пропускання (θ) плівок у ділянці температур 300 - 560 K. Досліджено температурні залежності R і θ аморфних плівок системи сурма - селен. Показано, що їх кристалізація супроводжується різким зменшенням цих параметрів. Температурний інтервал переходу плівок з аморфного стану в кристалічний залежить від складу плівок, матеріалу контактів та умов термообробки. A stand was developed that allows simultaneously measure the temperature dependences of the electrical resistance (R) and optical transmittance (θ) of films in the region of temperatures 300–560 K. The temperature dependences of R and θ amorphous films of antimony-selenium have been studied. It is shown that their crystallization is accompanied by a sharp decrease of these parameters. The temperature range of film transition from amorphous to a crystalline state depends on the film composition, material for contacts and heat treatment conditions.