Эффективность генерации планарных диодов n⁺−n−n⁺ c туннельными границами
Рассматриваются диоды n⁺−n−n⁺ с туннельными или резонансно-туннельными боковыми границами. Одной боковой границей такого диода является полуизолирующая
 подложка GaAs, на которой выращен n-слой. На противоположной боковой границе может располагаться туннельная или резонансно-туннельная грани...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Доповіді НАН України |
|---|---|
| Datum: | 2014 |
| Hauptverfasser: | , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Видавничий дім "Академперіодика" НАН України
2014
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/87148 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Эффективность генерации планарных диодов n⁺−n−n⁺ c туннельными границами / Э.Д. Прохоров, О.В. Боцула, О.А. Реутина // Доповiдi Нацiональної академiї наук України. — 2014. — № 3. — С. 82-89. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862706435959291904 |
|---|---|
| author | Прохоров, Э.Д. Боцула, О.В. Реутина, О.А. |
| author_facet | Прохоров, Э.Д. Боцула, О.В. Реутина, О.А. |
| citation_txt | Эффективность генерации планарных диодов n⁺−n−n⁺ c туннельными границами / Э.Д. Прохоров, О.В. Боцула, О.А. Реутина // Доповiдi Нацiональної академiї наук України. — 2014. — № 3. — С. 82-89. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Доповіді НАН України |
| description | Рассматриваются диоды n⁺−n−n⁺ с туннельными или резонансно-туннельными боковыми границами. Одной боковой границей такого диода является полуизолирующая
подложка GaAs, на которой выращен n-слой. На противоположной боковой границе может располагаться туннельная или резонансно-туннельная граница конечной протяженности. Исследуются вольт-амперные и энергетические характеристики таких диодов в широком диапазоне частот мм-диапазона. Показано, что диоды n⁺−n−n⁺ с туннельными или резонансно-туннельными боковыми границами обладают отрицательной дифференциальной проводимостью в широком диапазоне частот мм-диапазона и могут быть использованы для генерации и усиления. Продемонстрировано, как влияет местоположение и протяженность боковых границ на энергетические и частотные характеристики диода.
Розглядаються дiоди n⁺−n−n⁺ з тунельними або резонансно-тунельними бiчними межами. Однiєю бiчною межею такого дiода є напiвiзолююча пiдкладка GaAs, на якiй вирощений n-шар. На протилежнiй бiчнiй межi може розташовуватися тунельна або резонансно-тунельна межа кiнцевої протяжностi. Дослiджуються вольт-ампернi та енергетичнi характеристики таких дiодiв у широкому дiапазонi частот мм-дiапазону. Показано, що дiоди
n⁺−n−n⁺ з тунельними або резонансно-тунельними бiчними межами мають негативну
диференцiальну провiднiсть у широкому дiапазонi частот мм-дiапазону i можуть бути використанi для генерацiї та посилення. Показано також, як впливає мiсце розташування i протяжнiсть бiчних меж на енергетичнi та частотнi характеристики дiода.
Diodes n⁺−n−n⁺ with tunnel or resonant-tunneling lateral boundaries are considered. One side of
the boundary of such a diode is a semiinsulating substrate of GaAs, which is grown on the n-layer.
Tunneling or resonant-tunneling boundary of finite extent can be located on the opposite side of the
boundary. The current-voltage curve and the power characteristics of such diodes are investigated in
the mm wide frequency range. It is shown that diodes n⁺−n−n⁺ with tunnel or resonant tunneling
lateral boundaries have a negative differential conductance over a wide frequency band and can
be used for the generation and the amplification. The effects of the location and the extent of the
lateral boundaries on the energy and frequency characteristics of a diode are studied.
|
| first_indexed | 2025-12-07T16:59:04Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-87148 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1025-6415 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T16:59:04Z |
| publishDate | 2014 |
| publisher | Видавничий дім "Академперіодика" НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Прохоров, Э.Д. Боцула, О.В. Реутина, О.А. 2015-10-11T16:31:19Z 2015-10-11T16:31:19Z 2014 Эффективность генерации планарных диодов n⁺−n−n⁺ c туннельными границами / Э.Д. Прохоров, О.В. Боцула, О.А. Реутина // Доповiдi Нацiональної академiї наук України. — 2014. — № 3. — С. 82-89. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. 1025-6415 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/87148 621.382.2 Рассматриваются диоды n⁺−n−n⁺ с туннельными или резонансно-туннельными боковыми границами. Одной боковой границей такого диода является полуизолирующая
 подложка GaAs, на которой выращен n-слой. На противоположной боковой границе может располагаться туннельная или резонансно-туннельная граница конечной протяженности. Исследуются вольт-амперные и энергетические характеристики таких диодов в широком диапазоне частот мм-диапазона. Показано, что диоды n⁺−n−n⁺ с туннельными или резонансно-туннельными боковыми границами обладают отрицательной дифференциальной проводимостью в широком диапазоне частот мм-диапазона и могут быть использованы для генерации и усиления. Продемонстрировано, как влияет местоположение и протяженность боковых границ на энергетические и частотные характеристики диода. Розглядаються дiоди n⁺−n−n⁺ з тунельними або резонансно-тунельними бiчними межами. Однiєю бiчною межею такого дiода є напiвiзолююча пiдкладка GaAs, на якiй вирощений n-шар. На протилежнiй бiчнiй межi може розташовуватися тунельна або резонансно-тунельна межа кiнцевої протяжностi. Дослiджуються вольт-ампернi та енергетичнi характеристики таких дiодiв у широкому дiапазонi частот мм-дiапазону. Показано, що дiоди
 n⁺−n−n⁺ з тунельними або резонансно-тунельними бiчними межами мають негативну
 диференцiальну провiднiсть у широкому дiапазонi частот мм-дiапазону i можуть бути використанi для генерацiї та посилення. Показано також, як впливає мiсце розташування i протяжнiсть бiчних меж на енергетичнi та частотнi характеристики дiода. Diodes n⁺−n−n⁺ with tunnel or resonant-tunneling lateral boundaries are considered. One side of
 the boundary of such a diode is a semiinsulating substrate of GaAs, which is grown on the n-layer.
 Tunneling or resonant-tunneling boundary of finite extent can be located on the opposite side of the
 boundary. The current-voltage curve and the power characteristics of such diodes are investigated in
 the mm wide frequency range. It is shown that diodes n⁺−n−n⁺ with tunnel or resonant tunneling
 lateral boundaries have a negative differential conductance over a wide frequency band and can
 be used for the generation and the amplification. The effects of the location and the extent of the
 lateral boundaries on the energy and frequency characteristics of a diode are studied. ru Видавничий дім "Академперіодика" НАН України Доповіді НАН України Фізика Эффективность генерации планарных диодов n⁺−n−n⁺ c туннельными границами Ефективнiсть генерацiї планарних дiодiв n⁺−n−n⁺ з тунельними межами Efficient generation of planar diodes n⁺−n−n⁺ with tunnel boundaries Article published earlier |
| spellingShingle | Эффективность генерации планарных диодов n⁺−n−n⁺ c туннельными границами Прохоров, Э.Д. Боцула, О.В. Реутина, О.А. Фізика |
| title | Эффективность генерации планарных диодов n⁺−n−n⁺ c туннельными границами |
| title_alt | Ефективнiсть генерацiї планарних дiодiв n⁺−n−n⁺ з тунельними межами Efficient generation of planar diodes n⁺−n−n⁺ with tunnel boundaries |
| title_full | Эффективность генерации планарных диодов n⁺−n−n⁺ c туннельными границами |
| title_fullStr | Эффективность генерации планарных диодов n⁺−n−n⁺ c туннельными границами |
| title_full_unstemmed | Эффективность генерации планарных диодов n⁺−n−n⁺ c туннельными границами |
| title_short | Эффективность генерации планарных диодов n⁺−n−n⁺ c туннельными границами |
| title_sort | эффективность генерации планарных диодов n⁺−n−n⁺ c туннельными границами |
| topic | Фізика |
| topic_facet | Фізика |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/87148 |
| work_keys_str_mv | AT prohorovéd éffektivnostʹgeneraciiplanarnyhdiodovnnnctunnelʹnymigranicami AT boculaov éffektivnostʹgeneraciiplanarnyhdiodovnnnctunnelʹnymigranicami AT reutinaoa éffektivnostʹgeneraciiplanarnyhdiodovnnnctunnelʹnymigranicami AT prohorovéd efektivnistʹgeneraciíplanarnihdiodivnnnztunelʹnimimežami AT boculaov efektivnistʹgeneraciíplanarnihdiodivnnnztunelʹnimimežami AT reutinaoa efektivnistʹgeneraciíplanarnihdiodivnnnztunelʹnimimežami AT prohorovéd efficientgenerationofplanardiodesnnnwithtunnelboundaries AT boculaov efficientgenerationofplanardiodesnnnwithtunnelboundaries AT reutinaoa efficientgenerationofplanardiodesnnnwithtunnelboundaries |