Зображення обкладинки

Эффективность генерации планарных диодов n⁺−n−n⁺ c туннельными границами

Рассматриваются диоды n⁺−n−n⁺ с туннельными или резонансно-туннельными боковыми границами. Одной боковой границей такого диода является полуизолирующая подложка GaAs, на которой выращен n-слой. На противоположной боковой границе может располагаться туннельная или резонансно-туннельная грани...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Доповіді НАН України
Дата:	2014
Автори:	Прохоров, Э.Д., Боцула, О.В., Реутина, О.А.
Формат:	Стаття
Мова:	Російська
Опубліковано:	Видавничий дім "Академперіодика" НАН України 2014
Теми:	Фізика
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/87148
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Эффективность генерации планарных диодов n⁺−n−n⁺ c туннельными границами / Э.Д. Прохоров, О.В. Боцула, О.А. Реутина // Доповiдi Нацiональної академiї наук України. — 2014. — № 3. — С. 82-89. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Влияние междолинного переноса электронов на эффективность генерации диодов с туннельными границами на основе GaAs
за авторством: Прохоров, Э.Д., та інші
Опубліковано: (2012)

Эффективность генерации диодов с резонансно-туннельными границами в "сэндвич"-варианте
за авторством: Прохоров, Э.Д., та інші
Опубліковано: (2012)

Импедансные характеристики диода с туннельными и резонансно-туннельными границами
за авторством: Прохоров, Э.Д., та інші
Опубліковано: (2011)

Отрицательная дифференциальная проводимость полупроводникового диода с туннельными боковыми границами
за авторством: Прохоров, Э.Д., та інші
Опубліковано: (2010)

Генерация и умножение частоты диодами с туннельными границами на основе GaAs
за авторством: Прохоров, Э.Д., та інші
Опубліковано: (2011)

Эффективность генерации планарного диода с туннельным анодом и туннельной боковой границей
за авторством: Прохоров, Э.Д., та інші
Опубліковано: (2014)

Резонансно-туннельные диоды на основе нитридов AlN/AlxGa1-xN, GaN/InxGa1-xN
за авторством: Боцула, О.В., та інші
Опубліковано: (2008)

Генерация хемо-ЭДС в наноразмерных структурах с p–n-переходами на основе SiC
за авторством: Стыров, В.В., та інші
Опубліковано: (2013)

Первопринципное моделирование ближнего порядка в аустените Fe–N
за авторством: Тимошевский, А.Н., та інші
Опубліковано: (2012)

Характеристики варизонных AlInN диодов Ганна
за авторством: Кайдаш, М.В.
Опубліковано: (2013)

Влияние параметров прикатодной области в диоде с катодным статическим доменом на порог генерации СВЧ-шума
за авторством: Прохоров, Э.Д., та інші
Опубліковано: (2010)

Исследование физических состояний водных растворов оксиэтилированных производных ацетамида со степенью полимеризации n = 1 и n = 7 ÷ 8 методом оптической криомикроскопии
за авторством: Животова, Е.Н., та інші
Опубліковано: (2007)

Перспективы использования диодов Ганна на основе GaN, AlN и InN
за авторством: Стороженко, И.П., та інші
Опубліковано: (2011)

Зміна електрофізичних властивостей сильно легованих монокристалів n-Ge 〈As〉 під впливом термовідпалів
за авторством: Гайдар, Г.П.
Опубліковано: (2018)

Особливості зміни структури й електрофізичних характеристик n-Si під впливом різних режимів термообробки
за авторством: Гайдар, Г.П.
Опубліковано: (2020)

Ефекти впорядкування дефектної структури n-Si, індуковані великими флюенсами іонів МеВ-них енергій
за авторством: Гайдар, Г.П., та інші
Опубліковано: (2021)

Експериментальний доказ незмінності форми ізоенергетичних еліпсоїдів n–Ge в умовах сильної одновісної пружної деформації
за авторством: Гайдар, Г.П., та інші
Опубліковано: (2015)

Формирование мезаструктур 4НSiC p–i–n-диодов методом ионно-плазменного травления
за авторством: Болтовец, Н.С., та інші
Опубліковано: (2009)

Вплив високотемпературного відпалу на параметри анізотропії рухливості і анізотропії термо-ЕРС захоплення електронів фононами в n–Si
за авторством: Баранський, П.І., та інші
Опубліковано: (2014)

Исследование термометрических характеристик GaP-диодов p+–n-типа
за авторством: Krasnov, V. A., та інші
Опубліковано: (2008)

Формирование мезаструктур 4НSiC p–i–n-диодов методом ионно-плазменного травления
за авторством: Boltovets, M. S., та інші
Опубліковано: (2009)

Исследование физических состояний бинарных систем вода—оксиэтилированный глицерин со степенью полимеризации n = 5 и 25 при температурах ниже 273 К методом криомикроскопии
за авторством: Животова, Е.Н., та інші
Опубліковано: (2007)

Формирование прозрачных омических контактов к р-GaN для светоизлучающих диодов
за авторством: Босый, В.И., та інші
Опубліковано: (2007)

Формирование прозрачных омических контактов к р-GaN для светоизлучающих диодов
за авторством: Bosiy, V. I., та інші
Опубліковано: (2007)

Косвенное спектрофотометрическое определение сульфидов c N,N-диэтиланилином
за авторством: Запорожец, О.А., та інші
Опубліковано: (2015)

Структура плівок немодифікованих фулеренів C₆₀, адсорбованих з фізіологічних розчинів на поверхні слюди і золота
за авторством: Черепанов, В.В., та інші
Опубліковано: (2012)

Детектор b-частинок на основі фулериту C60
за авторством: Забулонов, Ю.Л., та інші
Опубліковано: (2007)

AdS/CFT-cоответствие и микроскопические черные дыры
за авторством: Мaлютa, Ю.M., та інші
Опубліковано: (2007)

Энергетические и частотные характеристики GaAs диодов Ганна с AlxGa1-xAs и GaPxAs1-x катодами
за авторством: Стороженко, И.П., та інші
Опубліковано: (2007)

Primes of the form $[{n}^c]$ with square-free $n$
за авторством: Dimitrov, S. I., та інші
Опубліковано: (2024)

Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si
за авторством: Семенов, А.В., та інші
Опубліковано: (2012)

Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si
за авторством: Semenov, A. V., та інші
Опубліковано: (2012)

Влияние облучения на энергетическое разрешение кремниевых планарных детекторов
за авторством: Васильев, Г.П., та інші
Опубліковано: (2015)

Нейтронні дослідження процесів самодифузії молекул у системі важка вода – гліцерин залежно від температури і концентрації
за авторством: Василькевич, О.А., та інші
Опубліковано: (2018)

Плавление нанокристаллов
за авторством: Романкевич, О.В.
Опубліковано: (2013)

Структура і термічна стабільність інтеркальованих молекулярним азотом вуглецевих нанотрубок
за авторством: Михайленко, О.В.
Опубліковано: (2012)

Mechanical Behavior of TiN/TiC-n Multilayer Coatings and Ti(C,N) Multicomponent Coatings Produced by PACVD
за авторством: Azadi, M., та інші
Опубліковано: (2016)

Аналіз енергетичних властивостей та радіальних функцій розподілу системи пропанол — вода
за авторством: Атамась, Н.О., та інші
Опубліковано: (2010)

Стадійність коміркового розпаду пересичених твердих розчинів свинець–олово
за авторством: Коваль, Ю.М., та інші
Опубліковано: (2013)

Исследование удельного сопротивления омических контактов Au–Ti–Pd–n-Si для лавинно-пролетных диодов
за авторством: Basanets, V. V., та інші
Опубліковано: (2015)