Cover Image

Эффективность генерации планарных диодов n⁺−n−n⁺ c туннельными границами

Рассматриваются диоды n⁺−n−n⁺ с туннельными или резонансно-туннельными боковыми границами. Одной боковой границей такого диода является полуизолирующая
 подложка GaAs, на которой выращен n-слой. На противоположной боковой границе может располагаться туннельная или резонансно-туннельная грани...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Доповіді НАН України
Date:2014
Main Authors: Прохоров, Э.Д., Боцула, О.В., Реутина, О.А.
Format: Article
Language:Russian
Published: Видавничий дім "Академперіодика" НАН України 2014
Subjects:
Фізика
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/87148
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Эффективность генерации планарных диодов n⁺−n−n⁺ c туннельными границами / Э.Д. Прохоров, О.В. Боцула, О.А. Реутина // Доповiдi Нацiональної академiї наук України. — 2014. — № 3. — С. 82-89. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Similar Items

Similar Items