Эффективность генерации планарных диодов n⁺−n−n⁺ c туннельными границами

• Veröffentlicht in: Доповіді НАН України
• Datum: 2014
• Hauptverfasser: Прохоров, Э.Д., Боцула, О.В., Реутина, О.А.
• Format: Artikel
• Sprache: Russian
• Veröffentlicht: Видавничий дім "Академперіодика" НАН України 2014
• Schlagworte: Фізика
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/87148
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Эффективность генерации планарных диодов n⁺−n−n⁺ c туннельными границами / Э.Д. Прохоров, О.В. Боцула, О.А. Реутина // Доповiдi Нацiональної академiї наук України. — 2014. — № 3. — С. 82-89. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.

Рассматриваются диоды n⁺−n−n⁺ с туннельными или резонансно-туннельными боковыми границами. Одной боковой границей такого диода является полуизолирующая подложка GaAs, на которой выращен n-слой. На противоположной боковой границе может располагаться туннельная или резонансно-туннельная граница конеч...