Вплив високотемпературного відпалу на параметри анізотропії рухливості і анізотропії термо-ЕРС захоплення електронів фононами в n–Si

• Опубліковано в: : Доповіді НАН України
• Дата: 2014
• Автори: Баранський, П.І., Гайдар, Г.П.
• Формат: Стаття
• Мова: Українська
• Опубліковано: Видавничий дім "Академперіодика" НАН України 2014
• Теми: Фізика
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/87704
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Вплив високотемпературного відпалу на параметри анізотропії рухливості і анізотропії термо-ЕРС захоплення електронів фононами в n–Si / П.I. Баранський, Г.П. Гайдар // Доповiдi Нацiональної академiї наук України. — 2014. — № 5. — С. 70-75. — Бібліогр.: 15 назв. — укр.

У дослiдах з кристалами n−Si, легованими домiшкою фосфору через розплав i шляхом ядерної трансмутацiї, дослiджено вплив високотемпературного вiдпалу (при T = 1200 °С протягом 2 год) на параметр анiзотропiї рухливостi K = μ⊥/μ|| i параметр
 анiзотропiї термо-ЕРС захоплення електронiв фононами M = α||^ф/ α⊥^ф. Показано, що
 в кристалах кремнiю, легованих через розплав, термовiдпал приводить до помiтного
 зниження величини M, тодi як у трансмутацiйно легованих зразках значення цього
 параметра збiльшується в ~1,5 раза. Встановлено, що параметр анiзотропiї рухливостi K в кристалах обох типiв залишається практично незмiнним. Запропоновано пояснення одержаних результатiв. В опытах с кристаллами n−Si, легированными примесью фосфора через расплав и путем
 ядерной трансмутации, исследовано влияние высокотемпературного отжига (при T = 1200 °С в течение 2 ч) на параметр анизотропии подвижности K = μ⊥/μ|| и параметр анизотропии термо-ЭДС увлечения электронов фононами M = α||^ф/ α⊥^ф. Показано,
 что в кристаллах кремния, легированных через расплав, термоотжиг приводит к заметному снижению величины М, тогда как в трансмутационно легированных образцах значение
 этого параметра увеличивается в ~1,5 раза. Установлено, что параметр анизотропии подвижности K в кристаллах обоих типов остается практически неизменным. Предложено объяснение полученных результатов. In the experiments with crystals of n−Si doped with impurities of phosphorus through the melt and
 by the nuclear transmutation, the influence of the high-temperature annealing (at T = 1200 °С
 during 2 h) on the anisotropy parameter of mobility K = μ⊥/μ|| and on the anisotropy parameter
 of the thermoelectromotive-drag of electrons by phonons M = α||^ph/ α⊥^ph is investigated. It is shown
 that, in silicon crystals doped through the melt, the thermoannealing leads to a marked reduction in
 the value of M, whereas the value of this parameter increases by about 1.5 times in transmutation-
 doped samples. It is found that the anisotropy parameter of mobility K in the crystals of both types
 remains almost unchanged. The explanation of the results obtained is proposed.