Вплив високотемпературного відпалу на параметри анізотропії рухливості і анізотропії термо-ЕРС захоплення електронів фононами в n–Si
У дослiдах з кристалами n−Si, легованими домiшкою фосфору через розплав i шляхом ядерної трансмутацiї, дослiджено вплив високотемпературного вiдпалу (при T = 1200 °С протягом 2 год) на параметр анiзотропiї рухливостi K = μ⊥/μ|| i параметр анiзотропiї термо-ЕРС захоплення електронiв фононами M = α||...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Доповіді НАН України |
|---|---|
| Дата: | 2014 |
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Ukrainian |
| Опубліковано: |
Видавничий дім "Академперіодика" НАН України
2014
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/87704 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Вплив високотемпературного відпалу на параметри анізотропії рухливості і анізотропії термо-ЕРС захоплення електронів фононами в n–Si / П.I. Баранський, Г.П. Гайдар // Доповiдi Нацiональної академiї наук України. — 2014. — № 5. — С. 70-75. — Бібліогр.: 15 назв. — укр. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-87704 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Баранський, П.І. Гайдар, Г.П. 2015-10-23T19:09:28Z 2015-10-23T19:09:28Z 2014 Вплив високотемпературного відпалу на параметри анізотропії рухливості і анізотропії термо-ЕРС захоплення електронів фононами в n–Si / П.I. Баранський, Г.П. Гайдар // Доповiдi Нацiональної академiї наук України. — 2014. — № 5. — С. 70-75. — Бібліогр.: 15 назв. — укр. 1025-6415 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/87704 621.315.592.3 У дослiдах з кристалами n−Si, легованими домiшкою фосфору через розплав i шляхом ядерної трансмутацiї, дослiджено вплив високотемпературного вiдпалу (при T = 1200 °С протягом 2 год) на параметр анiзотропiї рухливостi K = μ⊥/μ|| i параметр анiзотропiї термо-ЕРС захоплення електронiв фононами M = α||^ф/ α⊥^ф. Показано, що в кристалах кремнiю, легованих через розплав, термовiдпал приводить до помiтного зниження величини M, тодi як у трансмутацiйно легованих зразках значення цього параметра збiльшується в ~1,5 раза. Встановлено, що параметр анiзотропiї рухливостi K в кристалах обох типiв залишається практично незмiнним. Запропоновано пояснення одержаних результатiв. В опытах с кристаллами n−Si, легированными примесью фосфора через расплав и путем ядерной трансмутации, исследовано влияние высокотемпературного отжига (при T = 1200 °С в течение 2 ч) на параметр анизотропии подвижности K = μ⊥/μ|| и параметр анизотропии термо-ЭДС увлечения электронов фононами M = α||^ф/ α⊥^ф. Показано, что в кристаллах кремния, легированных через расплав, термоотжиг приводит к заметному снижению величины М, тогда как в трансмутационно легированных образцах значение этого параметра увеличивается в ~1,5 раза. Установлено, что параметр анизотропии подвижности K в кристаллах обоих типов остается практически неизменным. Предложено объяснение полученных результатов. In the experiments with crystals of n−Si doped with impurities of phosphorus through the melt and by the nuclear transmutation, the influence of the high-temperature annealing (at T = 1200 °С during 2 h) on the anisotropy parameter of mobility K = μ⊥/μ|| and on the anisotropy parameter of the thermoelectromotive-drag of electrons by phonons M = α||^ph/ α⊥^ph is investigated. It is shown that, in silicon crystals doped through the melt, the thermoannealing leads to a marked reduction in the value of M, whereas the value of this parameter increases by about 1.5 times in transmutation- doped samples. It is found that the anisotropy parameter of mobility K in the crystals of both types remains almost unchanged. The explanation of the results obtained is proposed. uk Видавничий дім "Академперіодика" НАН України Доповіді НАН України Фізика Вплив високотемпературного відпалу на параметри анізотропії рухливості і анізотропії термо-ЕРС захоплення електронів фононами в n–Si Влияние высокотемпературного отжига на параметры анизотропии подвижности и анизотропии термо-ЭДС увлечения электронов фононами в n−Si Influence of the high-temperature annealing on the anisotropy parameters of mobility and the anisotropy of the thermoelectromotive-drag of electrons by phonons in n−Si Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Вплив високотемпературного відпалу на параметри анізотропії рухливості і анізотропії термо-ЕРС захоплення електронів фононами в n–Si |
| spellingShingle |
Вплив високотемпературного відпалу на параметри анізотропії рухливості і анізотропії термо-ЕРС захоплення електронів фононами в n–Si Баранський, П.І. Гайдар, Г.П. Фізика |
| title_short |
Вплив високотемпературного відпалу на параметри анізотропії рухливості і анізотропії термо-ЕРС захоплення електронів фононами в n–Si |
| title_full |
Вплив високотемпературного відпалу на параметри анізотропії рухливості і анізотропії термо-ЕРС захоплення електронів фононами в n–Si |
| title_fullStr |
Вплив високотемпературного відпалу на параметри анізотропії рухливості і анізотропії термо-ЕРС захоплення електронів фононами в n–Si |
| title_full_unstemmed |
Вплив високотемпературного відпалу на параметри анізотропії рухливості і анізотропії термо-ЕРС захоплення електронів фононами в n–Si |
| title_sort |
вплив високотемпературного відпалу на параметри анізотропії рухливості і анізотропії термо-ерс захоплення електронів фононами в n–si |
| author |
Баранський, П.І. Гайдар, Г.П. |
| author_facet |
Баранський, П.І. Гайдар, Г.П. |
| topic |
Фізика |
| topic_facet |
Фізика |
| publishDate |
2014 |
| language |
Ukrainian |
| container_title |
Доповіді НАН України |
| publisher |
Видавничий дім "Академперіодика" НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Влияние высокотемпературного отжига на параметры анизотропии подвижности и анизотропии термо-ЭДС увлечения электронов фононами в n−Si Influence of the high-temperature annealing on the anisotropy parameters of mobility and the anisotropy of the thermoelectromotive-drag of electrons by phonons in n−Si |
| description |
У дослiдах з кристалами n−Si, легованими домiшкою фосфору через розплав i шляхом ядерної трансмутацiї, дослiджено вплив високотемпературного вiдпалу (при T = 1200 °С протягом 2 год) на параметр анiзотропiї рухливостi K = μ⊥/μ|| i параметр
анiзотропiї термо-ЕРС захоплення електронiв фононами M = α||^ф/ α⊥^ф. Показано, що
в кристалах кремнiю, легованих через розплав, термовiдпал приводить до помiтного
зниження величини M, тодi як у трансмутацiйно легованих зразках значення цього
параметра збiльшується в ~1,5 раза. Встановлено, що параметр анiзотропiї рухливостi K в кристалах обох типiв залишається практично незмiнним. Запропоновано пояснення одержаних результатiв.
В опытах с кристаллами n−Si, легированными примесью фосфора через расплав и путем
ядерной трансмутации, исследовано влияние высокотемпературного отжига (при T = 1200 °С в течение 2 ч) на параметр анизотропии подвижности K = μ⊥/μ|| и параметр анизотропии термо-ЭДС увлечения электронов фононами M = α||^ф/ α⊥^ф. Показано,
что в кристаллах кремния, легированных через расплав, термоотжиг приводит к заметному снижению величины М, тогда как в трансмутационно легированных образцах значение
этого параметра увеличивается в ~1,5 раза. Установлено, что параметр анизотропии подвижности K в кристаллах обоих типов остается практически неизменным. Предложено объяснение полученных результатов.
In the experiments with crystals of n−Si doped with impurities of phosphorus through the melt and
by the nuclear transmutation, the influence of the high-temperature annealing (at T = 1200 °С
during 2 h) on the anisotropy parameter of mobility K = μ⊥/μ|| and on the anisotropy parameter
of the thermoelectromotive-drag of electrons by phonons M = α||^ph/ α⊥^ph is investigated. It is shown
that, in silicon crystals doped through the melt, the thermoannealing leads to a marked reduction in
the value of M, whereas the value of this parameter increases by about 1.5 times in transmutation-
doped samples. It is found that the anisotropy parameter of mobility K in the crystals of both types
remains almost unchanged. The explanation of the results obtained is proposed.
|
| issn |
1025-6415 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/87704 |
| citation_txt |
Вплив високотемпературного відпалу на параметри анізотропії рухливості і анізотропії термо-ЕРС захоплення електронів фононами в n–Si / П.I. Баранський, Г.П. Гайдар // Доповiдi Нацiональної академiї наук України. — 2014. — № 5. — С. 70-75. — Бібліогр.: 15 назв. — укр. |
| work_keys_str_mv |
AT baransʹkiipí vplivvisokotemperaturnogovídpalunaparametrianízotropííruhlivostííanízotropíítermoerszahoplennâelektronívfononamivnsi AT gaidargp vplivvisokotemperaturnogovídpalunaparametrianízotropííruhlivostííanízotropíítermoerszahoplennâelektronívfononamivnsi AT baransʹkiipí vliânievysokotemperaturnogootžiganaparametryanizotropiipodvižnostiianizotropiitermoédsuvlečeniâélektronovfononamivnsi AT gaidargp vliânievysokotemperaturnogootžiganaparametryanizotropiipodvižnostiianizotropiitermoédsuvlečeniâélektronovfononamivnsi AT baransʹkiipí influenceofthehightemperatureannealingontheanisotropyparametersofmobilityandtheanisotropyofthethermoelectromotivedragofelectronsbyphononsinnsi AT gaidargp influenceofthehightemperatureannealingontheanisotropyparametersofmobilityandtheanisotropyofthethermoelectromotivedragofelectronsbyphononsinnsi |
| first_indexed |
2025-12-07T18:05:04Z |
| last_indexed |
2025-12-07T18:05:04Z |
| _version_ |
1850873693436116992 |