Вплив високотемпературного відпалу на параметри анізотропії рухливості і анізотропії термо-ЕРС захоплення електронів фононами в n–Si

• Published in: Доповіді НАН України
• Date: 2014
• Main Authors: Баранський, П.І., Гайдар, Г.П.
• Format: Article
• Language: Ukrainian
• Published: Видавничий дім "Академперіодика" НАН України 2014
• Subjects: Фізика
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/87704
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Вплив високотемпературного відпалу на параметри анізотропії рухливості і анізотропії термо-ЕРС захоплення електронів фононами в n–Si / П.I. Баранський, Г.П. Гайдар // Доповiдi Нацiональної академiї наук України. — 2014. — № 5. — С. 70-75. — Бібліогр.: 15 назв. — укр.

У дослiдах з кристалами n−Si, легованими домiшкою фосфору через розплав i шляхом ядерної трансмутацiї, дослiджено вплив високотемпературного вiдпалу (при T = 1200 °С протягом 2 год) на параметр анiзотропiї рухливостi K = μ⊥/μ|| i параметр
 анiзотропiї термо-ЕРС захоплення електронiв фононами...