Дегібридизація в сполуках RAl₂Si₂
Теоретично розглянуто явище дегiбридизацiї для iнтерметалiчних iзоструктурних сполук ряду RAl₂Si₂ (R — Sm, Eu, Gd, Tb, Er, Yb). Показано фiзичну природу виникнення
 δ-подiбного пiка, величина якого пропорцiйна кiлькостi вузлiв (N), утворених структурними елементами R−Si. У порiвняннi з одини...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Доповіді НАН України |
|---|---|
| Datum: | 2014 |
| Hauptverfasser: | , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainisch |
| Veröffentlicht: |
Видавничий дім "Академперіодика" НАН України
2014
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/87706 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Дегібридизація в сполуках RAl₂Si₂ / П.К. Нiколюк, А.В. Ющенко, В.А. Стасенко, В.Я. Нiколайчук // Доповiдi Нацiональної академiї наук України. — 2014. — № 5. — С. 83-86. — Бібліогр.: 8 назв. — укр. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862546277635457024 |
|---|---|
| author | Ніколюк, П.К. Ющенко, А.В. Стасенко, В.А. Ніколайчук, В.Я. |
| author_facet | Ніколюк, П.К. Ющенко, А.В. Стасенко, В.А. Ніколайчук, В.Я. |
| citation_txt | Дегібридизація в сполуках RAl₂Si₂ / П.К. Нiколюк, А.В. Ющенко, В.А. Стасенко, В.Я. Нiколайчук // Доповiдi Нацiональної академiї наук України. — 2014. — № 5. — С. 83-86. — Бібліогр.: 8 назв. — укр. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Доповіді НАН України |
| description | Теоретично розглянуто явище дегiбридизацiї для iнтерметалiчних iзоструктурних сполук ряду RAl₂Si₂ (R — Sm, Eu, Gd, Tb, Er, Yb). Показано фiзичну природу виникнення
δ-подiбного пiка, величина якого пропорцiйна кiлькостi вузлiв (N), утворених структурними елементами R−Si. У порiвняннi з одиничною домiшкою величина δ-подiбного пiка
зростає в N разiв. Це зумовлено тим, що орбiталi R−Si вiдiграють роль електронних дефектiв, перiодично розташованих у межах всiєї кристалiчної решiтки. Проведенi експериментальнi й теоретичнi дослiдження показали високу ступiнь кореляцiї та
самоузгодженостi, що дозволяє розглядати атомнi зв’язки R−Si як своєрiднi електроннi дефекти, сильно збурюючи електронну систему сполук ряду RAl₂Si₂. Таке збурення
проявляється у виникненнi iнтенсивних резонансних пiкiв електронних станiв, якi формуються у валентнiй зонi дослiджуваних интерметалiдiв в результатi дiї дегiбридизацiйного фактора.
Теоретически рассмотрено явление дегибридизации для интерметаллических изоструктурних соединений ряда RAl₂Si₂ (R Sm, Eu, Gd, Tb, Er, Yb). Показана физическая природа возникновения δ-образного пика, величина которого пропорциональна количеству узлов
(N), образованных структурными элементами R−Si. По сравнению с единичной примесью
величина δ-образного пика возрастает в N раз. Это обусловлено тем, что орбитали R−Si
играют роль электронных дефектов, периодически расположенных в пределах всей кристаллической решетки. Проведенные экспериментальные и теоретические исследования показали высокую степень корреляции и самосогласованности, что позволяет рассматривать
атомные связи R−Si как своеобразные электронные дефекты, сильно возмущающие электронную систему соединений ряда RAl₂Si₂. Такое возмущение проявляется в возникновении интенсивных резонансных пиков электронных состояний, формирующихся в валентной
зоне изучаемых интерметаллидов в результате действия дегибридизационного фактора.
The theoretical consideration of the dehybridization phenomenon for intermetallic isostructural
compounds of the RAl₂Si₂ (R Sm, Eu, Gd, Tb, Er, Yb) row has been performed. The physical
nature of the occasion of a δ-like hump, value of which is proportional to the number of lattice
sites N formed by R−Si structural elements, is clarified. In comparison with a single admixture,
the value of δ-like hump is more by N times. This is caused by that the orbitals R−Si play the
role of electronic defects, which are periodically located in the frame of the crystal. The performed
theoretical and experimental investigations show a great degree of correlation and self-consistency.
This gives possibility to view R−Si bonds as specific electronic defects, which strongly perturb the
electronic system of RAl₂Si₂ compounds. Such perturbation is displayed in arising the intense
resonance humps of electronic states, which are formed in the valence zone of the intermetallids
under study as a result of the dehybridization factor action.
|
| first_indexed | 2025-11-25T09:40:53Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-87706 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1025-6415 |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2025-11-25T09:40:53Z |
| publishDate | 2014 |
| publisher | Видавничий дім "Академперіодика" НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Ніколюк, П.К. Ющенко, А.В. Стасенко, В.А. Ніколайчук, В.Я. 2015-10-23T19:10:12Z 2015-10-23T19:10:12Z 2014 Дегібридизація в сполуках RAl₂Si₂ / П.К. Нiколюк, А.В. Ющенко, В.А. Стасенко, В.Я. Нiколайчук // Доповiдi Нацiональної академiї наук України. — 2014. — № 5. — С. 83-86. — Бібліогр.: 8 назв. — укр. 1025-6415 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/87706 538.915 Теоретично розглянуто явище дегiбридизацiї для iнтерметалiчних iзоструктурних сполук ряду RAl₂Si₂ (R — Sm, Eu, Gd, Tb, Er, Yb). Показано фiзичну природу виникнення
 δ-подiбного пiка, величина якого пропорцiйна кiлькостi вузлiв (N), утворених структурними елементами R−Si. У порiвняннi з одиничною домiшкою величина δ-подiбного пiка
 зростає в N разiв. Це зумовлено тим, що орбiталi R−Si вiдiграють роль електронних дефектiв, перiодично розташованих у межах всiєї кристалiчної решiтки. Проведенi експериментальнi й теоретичнi дослiдження показали високу ступiнь кореляцiї та
 самоузгодженостi, що дозволяє розглядати атомнi зв’язки R−Si як своєрiднi електроннi дефекти, сильно збурюючи електронну систему сполук ряду RAl₂Si₂. Таке збурення
 проявляється у виникненнi iнтенсивних резонансних пiкiв електронних станiв, якi формуються у валентнiй зонi дослiджуваних интерметалiдiв в результатi дiї дегiбридизацiйного фактора. Теоретически рассмотрено явление дегибридизации для интерметаллических изоструктурних соединений ряда RAl₂Si₂ (R Sm, Eu, Gd, Tb, Er, Yb). Показана физическая природа возникновения δ-образного пика, величина которого пропорциональна количеству узлов
 (N), образованных структурными элементами R−Si. По сравнению с единичной примесью
 величина δ-образного пика возрастает в N раз. Это обусловлено тем, что орбитали R−Si
 играют роль электронных дефектов, периодически расположенных в пределах всей кристаллической решетки. Проведенные экспериментальные и теоретические исследования показали высокую степень корреляции и самосогласованности, что позволяет рассматривать
 атомные связи R−Si как своеобразные электронные дефекты, сильно возмущающие электронную систему соединений ряда RAl₂Si₂. Такое возмущение проявляется в возникновении интенсивных резонансных пиков электронных состояний, формирующихся в валентной
 зоне изучаемых интерметаллидов в результате действия дегибридизационного фактора. The theoretical consideration of the dehybridization phenomenon for intermetallic isostructural
 compounds of the RAl₂Si₂ (R Sm, Eu, Gd, Tb, Er, Yb) row has been performed. The physical
 nature of the occasion of a δ-like hump, value of which is proportional to the number of lattice
 sites N formed by R−Si structural elements, is clarified. In comparison with a single admixture,
 the value of δ-like hump is more by N times. This is caused by that the orbitals R−Si play the
 role of electronic defects, which are periodically located in the frame of the crystal. The performed
 theoretical and experimental investigations show a great degree of correlation and self-consistency.
 This gives possibility to view R−Si bonds as specific electronic defects, which strongly perturb the
 electronic system of RAl₂Si₂ compounds. Such perturbation is displayed in arising the intense
 resonance humps of electronic states, which are formed in the valence zone of the intermetallids
 under study as a result of the dehybridization factor action. uk Видавничий дім "Академперіодика" НАН України Доповіді НАН України Матеріалознавство Дегібридизація в сполуках RAl₂Si₂ Дегибридизация в соединениях RAl₂Si₂ Dehybridization in RAl₂Si₂ compounds Article published earlier |
| spellingShingle | Дегібридизація в сполуках RAl₂Si₂ Ніколюк, П.К. Ющенко, А.В. Стасенко, В.А. Ніколайчук, В.Я. Матеріалознавство |
| title | Дегібридизація в сполуках RAl₂Si₂ |
| title_alt | Дегибридизация в соединениях RAl₂Si₂ Dehybridization in RAl₂Si₂ compounds |
| title_full | Дегібридизація в сполуках RAl₂Si₂ |
| title_fullStr | Дегібридизація в сполуках RAl₂Si₂ |
| title_full_unstemmed | Дегібридизація в сполуках RAl₂Si₂ |
| title_short | Дегібридизація в сполуках RAl₂Si₂ |
| title_sort | дегібридизація в сполуках ral₂si₂ |
| topic | Матеріалознавство |
| topic_facet | Матеріалознавство |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/87706 |
| work_keys_str_mv | AT níkolûkpk degíbridizacíâvspolukahral2si2 AT ûŝenkoav degíbridizacíâvspolukahral2si2 AT stasenkova degíbridizacíâvspolukahral2si2 AT níkolaičukvâ degíbridizacíâvspolukahral2si2 AT níkolûkpk degibridizaciâvsoedineniâhral2si2 AT ûŝenkoav degibridizaciâvsoedineniâhral2si2 AT stasenkova degibridizaciâvsoedineniâhral2si2 AT níkolaičukvâ degibridizaciâvsoedineniâhral2si2 AT níkolûkpk dehybridizationinral2si2compounds AT ûŝenkoav dehybridizationinral2si2compounds AT stasenkova dehybridizationinral2si2compounds AT níkolaičukvâ dehybridizationinral2si2compounds |