Гігантський магнеторезистивний ефект у напівпровідниках з магнетоактивними нанопрошарками

Методою лазерно-стимульованої інтеркаляції одержано монокристали селеніду галію з втіленим манганом. Показано, що в таких структурах реалізується гігантський магнеторезистивний ефект, величина і знак якого залежать від концентрації втіленого «гостьового» компоненту. Механізм виявленого ефекту пропон...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
Дата:2008
Автори: Покладок, Н.Т., Григорчак, І.І., Попович, Д.І., Бужук, Я.М., Будзуляк, І.М.
Формат: Стаття
Мова:Українська
Опубліковано: Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України 2008
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/87837
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Гігантський магнеторезистивний ефект у напівпровідниках
 з магнетоактивними нанопрошарками / Н.Т. Покладок, І.І. Григорчак, Д.І. Попович, Я. М. Бужук, І.М. Будзуляк // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2008. — Т. 6, № 1. — С. 9-16. — Бібліогр.: 16 назв. — укр.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
_version_ 1862747301421776896
author Покладок, Н.Т.
Григорчак, І.І.
Попович, Д.І.
Бужук, Я.М.
Будзуляк, І.М.
author_facet Покладок, Н.Т.
Григорчак, І.І.
Попович, Д.І.
Бужук, Я.М.
Будзуляк, І.М.
citation_txt Гігантський магнеторезистивний ефект у напівпровідниках
 з магнетоактивними нанопрошарками / Н.Т. Покладок, І.І. Григорчак, Д.І. Попович, Я. М. Бужук, І.М. Будзуляк // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2008. — Т. 6, № 1. — С. 9-16. — Бібліогр.: 16 назв. — укр.
collection DSpace DC
container_title Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
description Методою лазерно-стимульованої інтеркаляції одержано монокристали селеніду галію з втіленим манганом. Показано, що в таких структурах реалізується гігантський магнеторезистивний ефект, величина і знак якого залежать від концентрації втіленого «гостьового» компоненту. Механізм виявленого ефекту пропонується пов’язати зі зміною топології станів інтеркаляту в околі рівня Фермі під дією магнетного поля. By the method of the laser-stimulated intercalation, gallium-selenide single
 crystals with interstitial manganese are obtained. As shown, in such structures,
 the giant magnetoresistance is realized. Its magnitude and sign depend
 on the concentration of the introduced ‘guest’ component. According to the
 proposed model, the effect is concerned with the change of topology of intercalate
 states in the vicinity of Fermi level caused by the magnetic field. Методом лазерно-стимулированной интеркаляции получены монокристаллы селенида галлия с внедренным марганцем. Показано, что в таких
 структурах реализуется гигантский магниторезистивный эффект, величина и знак которого зависят от концентрации внедренного «гостевого»
 компонента. Механизм обнаруженного эффекта предположительно связан с изменением топологии состояний интеркалята в окрестности уровня
 Ферми под действием магнитного поля.
first_indexed 2025-12-07T20:49:49Z
format Article
fulltext
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-87837
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
issn 1816-5230
language Ukrainian
last_indexed 2025-12-07T20:49:49Z
publishDate 2008
publisher Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
record_format dspace
spelling Покладок, Н.Т.
Григорчак, І.І.
Попович, Д.І.
Бужук, Я.М.
Будзуляк, І.М.
2015-10-28T10:29:04Z
2015-10-28T10:29:04Z
2008
Гігантський магнеторезистивний ефект у напівпровідниках
 з магнетоактивними нанопрошарками / Н.Т. Покладок, І.І. Григорчак, Д.І. Попович, Я. М. Бужук, І.М. Будзуляк // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2008. — Т. 6, № 1. — С. 9-16. — Бібліогр.: 16 назв. — укр.
1816-5230
PACS numbers :71.20.Nr,72.80.Ey,73.40.Vz,73.43.Qt,73.50.Jt,75.30.Vn,75.70.Pa
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/87837
Методою лазерно-стимульованої інтеркаляції одержано монокристали селеніду галію з втіленим манганом. Показано, що в таких структурах реалізується гігантський магнеторезистивний ефект, величина і знак якого залежать від концентрації втіленого «гостьового» компоненту. Механізм виявленого ефекту пропонується пов’язати зі зміною топології станів інтеркаляту в околі рівня Фермі під дією магнетного поля.
By the method of the laser-stimulated intercalation, gallium-selenide single
 crystals with interstitial manganese are obtained. As shown, in such structures,
 the giant magnetoresistance is realized. Its magnitude and sign depend
 on the concentration of the introduced ‘guest’ component. According to the
 proposed model, the effect is concerned with the change of topology of intercalate
 states in the vicinity of Fermi level caused by the magnetic field.
Методом лазерно-стимулированной интеркаляции получены монокристаллы селенида галлия с внедренным марганцем. Показано, что в таких
 структурах реализуется гигантский магниторезистивный эффект, величина и знак которого зависят от концентрации внедренного «гостевого»
 компонента. Механизм обнаруженного эффекта предположительно связан с изменением топологии состояний интеркалята в окрестности уровня
 Ферми под действием магнитного поля.
uk
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
Гігантський магнеторезистивний ефект у напівпровідниках з магнетоактивними нанопрошарками
Giant Magnetoresistance Effect in Semiconductors with Magnetoactive Nanointerlayers
Article
published earlier
spellingShingle Гігантський магнеторезистивний ефект у напівпровідниках з магнетоактивними нанопрошарками
Покладок, Н.Т.
Григорчак, І.І.
Попович, Д.І.
Бужук, Я.М.
Будзуляк, І.М.
title Гігантський магнеторезистивний ефект у напівпровідниках з магнетоактивними нанопрошарками
title_alt Giant Magnetoresistance Effect in Semiconductors with Magnetoactive Nanointerlayers
title_full Гігантський магнеторезистивний ефект у напівпровідниках з магнетоактивними нанопрошарками
title_fullStr Гігантський магнеторезистивний ефект у напівпровідниках з магнетоактивними нанопрошарками
title_full_unstemmed Гігантський магнеторезистивний ефект у напівпровідниках з магнетоактивними нанопрошарками
title_short Гігантський магнеторезистивний ефект у напівпровідниках з магнетоактивними нанопрошарками
title_sort гігантський магнеторезистивний ефект у напівпровідниках з магнетоактивними нанопрошарками
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/87837
work_keys_str_mv AT pokladoknt gígantsʹkiimagnetorezistivniiefektunapívprovídnikahzmagnetoaktivniminanoprošarkami
AT grigorčakíí gígantsʹkiimagnetorezistivniiefektunapívprovídnikahzmagnetoaktivniminanoprošarkami
AT popovičdí gígantsʹkiimagnetorezistivniiefektunapívprovídnikahzmagnetoaktivniminanoprošarkami
AT bužukâm gígantsʹkiimagnetorezistivniiefektunapívprovídnikahzmagnetoaktivniminanoprošarkami
AT budzulâkím gígantsʹkiimagnetorezistivniiefektunapívprovídnikahzmagnetoaktivniminanoprošarkami
AT pokladoknt giantmagnetoresistanceeffectinsemiconductorswithmagnetoactivenanointerlayers
AT grigorčakíí giantmagnetoresistanceeffectinsemiconductorswithmagnetoactivenanointerlayers
AT popovičdí giantmagnetoresistanceeffectinsemiconductorswithmagnetoactivenanointerlayers
AT bužukâm giantmagnetoresistanceeffectinsemiconductorswithmagnetoactivenanointerlayers
AT budzulâkím giantmagnetoresistanceeffectinsemiconductorswithmagnetoactivenanointerlayers