Гігантський магнеторезистивний ефект у напівпровідниках з магнетоактивними нанопрошарками

Гігантський магнеторезистивний ефект у напівпровідниках з магнетоактивними нанопрошарками

Методою лазерно-стимульованої інтеркаляції одержано монокристали селеніду галію з втіленим манганом. Показано, що в таких структурах реалізується гігантський магнеторезистивний ефект, величина і знак якого залежать від концентрації втіленого «гостьового» компоненту. Механізм виявленого ефекту пропон...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
Datum:2008
Hauptverfasser: Покладок, Н.Т., Григорчак, І.І., Попович, Д.І., Бужук, Я.М., Будзуляк, І.М.
Format: Artikel
Sprache:Ukrainian
Veröffentlicht: Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України 2008
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/87837
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Гігантський магнеторезистивний ефект у напівпровідниках з магнетоактивними нанопрошарками / Н.Т. Покладок, І.І. Григорчак, Д.І. Попович, Я. М. Бужук, І.М. Будзуляк // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2008. — Т. 6, № 1. — С. 9-16. — Бібліогр.: 16 назв. — укр.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-87837
record_format dspace
spelling Покладок, Н.Т.
Григорчак, І.І.
Попович, Д.І.
Бужук, Я.М.
Будзуляк, І.М.
2015-10-28T10:29:04Z
2015-10-28T10:29:04Z
2008
Гігантський магнеторезистивний ефект у напівпровідниках з магнетоактивними нанопрошарками / Н.Т. Покладок, І.І. Григорчак, Д.І. Попович, Я. М. Бужук, І.М. Будзуляк // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2008. — Т. 6, № 1. — С. 9-16. — Бібліогр.: 16 назв. — укр.
1816-5230
PACS numbers :71.20.Nr,72.80.Ey,73.40.Vz,73.43.Qt,73.50.Jt,75.30.Vn,75.70.Pa
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/87837
Методою лазерно-стимульованої інтеркаляції одержано монокристали селеніду галію з втіленим манганом. Показано, що в таких структурах реалізується гігантський магнеторезистивний ефект, величина і знак якого залежать від концентрації втіленого «гостьового» компоненту. Механізм виявленого ефекту пропонується пов’язати зі зміною топології станів інтеркаляту в околі рівня Фермі під дією магнетного поля.
By the method of the laser-stimulated intercalation, gallium-selenide single crystals with interstitial manganese are obtained. As shown, in such structures, the giant magnetoresistance is realized. Its magnitude and sign depend on the concentration of the introduced ‘guest’ component. According to the proposed model, the effect is concerned with the change of topology of intercalate states in the vicinity of Fermi level caused by the magnetic field.
Методом лазерно-стимулированной интеркаляции получены монокристаллы селенида галлия с внедренным марганцем. Показано, что в таких структурах реализуется гигантский магниторезистивный эффект, величина и знак которого зависят от концентрации внедренного «гостевого» компонента. Механизм обнаруженного эффекта предположительно связан с изменением топологии состояний интеркалята в окрестности уровня Ферми под действием магнитного поля.
uk
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
Гігантський магнеторезистивний ефект у напівпровідниках з магнетоактивними нанопрошарками
Giant Magnetoresistance Effect in Semiconductors with Magnetoactive Nanointerlayers
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Гігантський магнеторезистивний ефект у напівпровідниках з магнетоактивними нанопрошарками
spellingShingle Гігантський магнеторезистивний ефект у напівпровідниках з магнетоактивними нанопрошарками
Покладок, Н.Т.
Григорчак, І.І.
Попович, Д.І.
Бужук, Я.М.
Будзуляк, І.М.
title_short Гігантський магнеторезистивний ефект у напівпровідниках з магнетоактивними нанопрошарками
title_full Гігантський магнеторезистивний ефект у напівпровідниках з магнетоактивними нанопрошарками
title_fullStr Гігантський магнеторезистивний ефект у напівпровідниках з магнетоактивними нанопрошарками
title_full_unstemmed Гігантський магнеторезистивний ефект у напівпровідниках з магнетоактивними нанопрошарками
title_sort гігантський магнеторезистивний ефект у напівпровідниках з магнетоактивними нанопрошарками
author Покладок, Н.Т.
Григорчак, І.І.
Попович, Д.І.
Бужук, Я.М.
Будзуляк, І.М.
author_facet Покладок, Н.Т.
Григорчак, І.І.
Попович, Д.І.
Бужук, Я.М.
Будзуляк, І.М.
publishDate 2008
language Ukrainian
container_title Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
publisher Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
format Article
title_alt Giant Magnetoresistance Effect in Semiconductors with Magnetoactive Nanointerlayers
description Методою лазерно-стимульованої інтеркаляції одержано монокристали селеніду галію з втіленим манганом. Показано, що в таких структурах реалізується гігантський магнеторезистивний ефект, величина і знак якого залежать від концентрації втіленого «гостьового» компоненту. Механізм виявленого ефекту пропонується пов’язати зі зміною топології станів інтеркаляту в околі рівня Фермі під дією магнетного поля. By the method of the laser-stimulated intercalation, gallium-selenide single crystals with interstitial manganese are obtained. As shown, in such structures, the giant magnetoresistance is realized. Its magnitude and sign depend on the concentration of the introduced ‘guest’ component. According to the proposed model, the effect is concerned with the change of topology of intercalate states in the vicinity of Fermi level caused by the magnetic field. Методом лазерно-стимулированной интеркаляции получены монокристаллы селенида галлия с внедренным марганцем. Показано, что в таких структурах реализуется гигантский магниторезистивный эффект, величина и знак которого зависят от концентрации внедренного «гостевого» компонента. Механизм обнаруженного эффекта предположительно связан с изменением топологии состояний интеркалята в окрестности уровня Ферми под действием магнитного поля.
issn 1816-5230
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/87837
citation_txt Гігантський магнеторезистивний ефект у напівпровідниках з магнетоактивними нанопрошарками / Н.Т. Покладок, І.І. Григорчак, Д.І. Попович, Я. М. Бужук, І.М. Будзуляк // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2008. — Т. 6, № 1. — С. 9-16. — Бібліогр.: 16 назв. — укр.
work_keys_str_mv AT pokladoknt gígantsʹkiimagnetorezistivniiefektunapívprovídnikahzmagnetoaktivniminanoprošarkami
AT grigorčakíí gígantsʹkiimagnetorezistivniiefektunapívprovídnikahzmagnetoaktivniminanoprošarkami
AT popovičdí gígantsʹkiimagnetorezistivniiefektunapívprovídnikahzmagnetoaktivniminanoprošarkami
AT bužukâm gígantsʹkiimagnetorezistivniiefektunapívprovídnikahzmagnetoaktivniminanoprošarkami
AT budzulâkím gígantsʹkiimagnetorezistivniiefektunapívprovídnikahzmagnetoaktivniminanoprošarkami
AT pokladoknt giantmagnetoresistanceeffectinsemiconductorswithmagnetoactivenanointerlayers
AT grigorčakíí giantmagnetoresistanceeffectinsemiconductorswithmagnetoactivenanointerlayers
AT popovičdí giantmagnetoresistanceeffectinsemiconductorswithmagnetoactivenanointerlayers
AT bužukâm giantmagnetoresistanceeffectinsemiconductorswithmagnetoactivenanointerlayers
AT budzulâkím giantmagnetoresistanceeffectinsemiconductorswithmagnetoactivenanointerlayers
first_indexed 2025-12-07T20:49:49Z
last_indexed 2025-12-07T20:49:49Z
_version_ 1850884058638188544

Ähnliche Einträge