Електроопір шаруватого композиційного матеріялу фторопласт—вуглецеві нанотрубки

• Veröffentlicht in: Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
• Datum: 2008
• Hauptverfasser: Беженар, А.А., Копань, В.С., Півень, Н.І.
• Format: Artikel
• Sprache: Ukrainian
• Veröffentlicht: Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України 2008
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/87838
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Електроопір шаруватого композиційного матеріялу фторопласт—вуглецеві нанотрубки / А.А. Беженар, В.С. Копань, Н.І. Півень // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2008. — Т. 6, № 1. — С. 25-31. — Бібліогр.: 9 назв. — укр.

Виявлено, що електричний струм у фторопластовій матриці композиції провідник—діелектрик проходить у локальних місцях. Ці місця умовно названо треками. Показано, що залежність питомого електроопору від частоти струму для композиції має дещо інший характер, ніж для однорідного діелектрика. Доведено, що в явищі пропускання змінного електроструму композицію можна розглядати як сукупність мікроконденсаторів. As determined, the electric current in a fluoroplastic matrix of conductor— insulator composition flows in local regions. These regions are named for convenience as tracks. As shown, the dependence of resistivity on frequency of electrical current for composition has a different character than that for homogeneous insulator. As proved, in the phenomenon of transmission of alternating electrical current, the composition can be considered as a set of microcapacitors. Определено, что электрический ток во фторопластовой матрице композиции проводник—диэлектрик проходит в локальных местах. Эти места условно названы треками. Показано, что зависимость удельного электросопротивления от частоты тока для композиции имеет другой характер, чем для однородного диэлектрика. Доказано, что в явлении пропускания переменного электротока композицию можно рассматривать как множество микроконденсаторов.