Different Electron-Scattering Mechanisms’ Contribution to the Formation of the Amplitude Contrast of Electron-Microscopic Images

• Veröffentlicht in: Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
• Datum: 2015
• Hauptverfasser: Bobyk, M.Yu., Ivanitsky, V.P., Ryaboshchuk, M.M., Svatyuk, O.Ya.
• Format: Artikel
• Sprache: Englisch
• Veröffentlicht: Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України 2015
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/87980
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Different Electron-Scattering Mechanisms’ Contribution to the Formation of the Amplitude Contrast of Electron-Microscopic Images / M.Yu. Bobyk, V.P. Ivanitsky, M.M. Ryaboshchuk, O.Ya. Svatyuk // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2015. — Т. 13, № 1. — С. 85–97. — Бібліогр.: 13 назв. — англ.

A new method of experimental determination of the amplitude contrast value of electron-microscopic images for amorphous materials is suggested. The mathematical relations for calculating the contributions of different mechanisms of electron scattering by the object under study to the contrast on the basis of the relevant electron-diffraction patterns are obtained. The shares of contribution of elastically coherently, elastically incoherently, and inelastically scattered electrons to the contrast are determined experimentally for the amorphous As40Se60 films. Запропоновано новий метод експериментального визначення амплітуди контрастного значення електронно-мікроскопічних зображень для аморфних матеріалів. Були одержані математичні співвідношення для розрахунку внесків різних механізмів розсіювання електронів на досліджуваному об’єкті в контраст на основі відповідних електронограм. Для аморфних плівок As40Se60 були знайдені експериментально частки внесків пружньо когерентно, пружньо некогерентно та непружньо розсіяних електронів у контраст. Предложен новый метод экспериментального определения амплитуды контрастного значения электронно-микроскопических изображений для аморфных материалов. Были получены математические соотношения для расчёта вкладов различных механизмов рассеяния электронов на изучаемом объекте в контраст на основе соответствующих электронограмм. Для аморфных плёнок As40Se60 были найдены экспериментально доли вкладов упруго когерентно, упруго некогерентно и неупруго рассеянных электронов в контраст.