Дисперсионная чувствительность картины рассеяния к дефектам в зависимости от толщины кристаллических изделий нанотехнологий. I. Теоретическая модель
Построена обобщённая модель дисперсионно чувствительной дифрактометрии неидеальных кристаллов, позволяющая проводить анализ дифференциальных и интегральных картин рассеяния для произвольных эффективных толщин кристалла. Введён параметр, характеризующий эффект аномального роста относительного вклада...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології |
|---|---|
| Datum: | 2015 |
| Hauptverfasser: | , , , , , , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
2015
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/87981 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Дисперсионная чувствительность картины рассеянияк дефектам в зависимости от толщины кристаллическихизделий нанотехнологий. I. Теоретическая модель / В.В. Лизунов, Е.В. Кочелаб, Е.С. Скакунова, Е.Г. Лень, В.Б. Молодкин, С.И. Олиховский, Н.Г. Толмачёв, Б.В. Шелудченко, С.В. Лизунова, Л.Н. Скапа // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2015. — Т. 13, № 1. — С. 99–115. — Бібліогр.: 23 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862687155403358208 |
|---|---|
| author | Лизунов, В.В. Кочелаб, Е.В. Скакунова, Е.С. Лень, Е.Г. Молодкин, В.Б. Олиховский, С.И. Толмачёв, Н.Г. Шелудченко, Б.В. Лизунова, С.В. Скапа, Л.Н. |
| author_facet | Лизунов, В.В. Кочелаб, Е.В. Скакунова, Е.С. Лень, Е.Г. Молодкин, В.Б. Олиховский, С.И. Толмачёв, Н.Г. Шелудченко, Б.В. Лизунова, С.В. Скапа, Л.Н. |
| citation_txt | Дисперсионная чувствительность картины рассеянияк дефектам в зависимости от толщины кристаллическихизделий нанотехнологий. I. Теоретическая модель / В.В. Лизунов, Е.В. Кочелаб, Е.С. Скакунова, Е.Г. Лень, В.Б. Молодкин, С.И. Олиховский, Н.Г. Толмачёв, Б.В. Шелудченко, С.В. Лизунова, Л.Н. Скапа // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2015. — Т. 13, № 1. — С. 99–115. — Бібліогр.: 23 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології |
| description | Построена обобщённая модель дисперсионно чувствительной дифрактометрии неидеальных кристаллов, позволяющая проводить анализ дифференциальных и интегральных картин рассеяния для произвольных эффективных толщин кристалла. Введён параметр, характеризующий эффект аномального роста относительного вклада диффузного рассеяния. Предложенная теоретическая модель может обеспечить решение обратной многопараметрической задачи восстановления характеристик сложных дефектных структур в монокристаллах, применяемых в современных нанотехнологиях.
Побудовано узагальнену модель дисперсійно чутливої дифрактометрії неідеальних кристалів, яка уможливлює проводити аналіз диференціальних і інтеґральних картин розсіяння для довільних ефективних товщин кристалу. Введено параметр, який характеризує ефект аномального росту відносного внеску дифузного розсіяння. Запропонована теоретична модель може забезпечити розв’язання оберненої багатопараметричної задачі відновлення характеристик складних дефектних структур у монокристалах, які застосовуються в сучасних нанотехнологіях.
The generalized model of dispersion-sensitive diffractometry of imperfect crystals is developed. It allows analysing the differential and integral scattering patterns for any effective thicknesses of the crystal. Parameter characterizing the effect of the abnormal increase of the relative contribution of diffuse scattering is introduced. The proposed theoretical model can provide a solution to the multiparametric inverse problem of recovering the characteristics of complex defect structures within the single crystals used in current nanotechnologies.
|
| first_indexed | 2025-12-07T16:05:36Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-87981 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1816-5230 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T16:05:36Z |
| publishDate | 2015 |
| publisher | Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Лизунов, В.В. Кочелаб, Е.В. Скакунова, Е.С. Лень, Е.Г. Молодкин, В.Б. Олиховский, С.И. Толмачёв, Н.Г. Шелудченко, Б.В. Лизунова, С.В. Скапа, Л.Н. 2015-11-05T18:59:39Z 2015-11-05T18:59:39Z 2015 Дисперсионная чувствительность картины рассеянияк дефектам в зависимости от толщины кристаллическихизделий нанотехнологий. I. Теоретическая модель / В.В. Лизунов, Е.В. Кочелаб, Е.С. Скакунова, Е.Г. Лень, В.Б. Молодкин, С.И. Олиховский, Н.Г. Толмачёв, Б.В. Шелудченко, С.В. Лизунова, Л.Н. Скапа // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2015. — Т. 13, № 1. — С. 99–115. — Бібліогр.: 23 назв. — рос. 1816-5230 PACS numbers: 07.85.Jy, 61.05.cc, 61.05.cf, 61.05.cp, 61.46.Hk, 61.72.Dd, 81.07.Bc https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/87981 Построена обобщённая модель дисперсионно чувствительной дифрактометрии неидеальных кристаллов, позволяющая проводить анализ дифференциальных и интегральных картин рассеяния для произвольных эффективных толщин кристалла. Введён параметр, характеризующий эффект аномального роста относительного вклада диффузного рассеяния. Предложенная теоретическая модель может обеспечить решение обратной многопараметрической задачи восстановления характеристик сложных дефектных структур в монокристаллах, применяемых в современных нанотехнологиях. Побудовано узагальнену модель дисперсійно чутливої дифрактометрії неідеальних кристалів, яка уможливлює проводити аналіз диференціальних і інтеґральних картин розсіяння для довільних ефективних товщин кристалу. Введено параметр, який характеризує ефект аномального росту відносного внеску дифузного розсіяння. Запропонована теоретична модель може забезпечити розв’язання оберненої багатопараметричної задачі відновлення характеристик складних дефектних структур у монокристалах, які застосовуються в сучасних нанотехнологіях. The generalized model of dispersion-sensitive diffractometry of imperfect crystals is developed. It allows analysing the differential and integral scattering patterns for any effective thicknesses of the crystal. Parameter characterizing the effect of the abnormal increase of the relative contribution of diffuse scattering is introduced. The proposed theoretical model can provide a solution to the multiparametric inverse problem of recovering the characteristics of complex defect structures within the single crystals used in current nanotechnologies. ru Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології Дисперсионная чувствительность картины рассеяния к дефектам в зависимости от толщины кристаллических изделий нанотехнологий. I. Теоретическая модель The Dispersion Sensitivity of Scattering Pattern to Defects Depending on Thickness of Crystalline Products of Nanotechnologies. I. Theoretical Model Article published earlier |
| spellingShingle | Дисперсионная чувствительность картины рассеяния к дефектам в зависимости от толщины кристаллических изделий нанотехнологий. I. Теоретическая модель Лизунов, В.В. Кочелаб, Е.В. Скакунова, Е.С. Лень, Е.Г. Молодкин, В.Б. Олиховский, С.И. Толмачёв, Н.Г. Шелудченко, Б.В. Лизунова, С.В. Скапа, Л.Н. |
| title | Дисперсионная чувствительность картины рассеяния к дефектам в зависимости от толщины кристаллических изделий нанотехнологий. I. Теоретическая модель |
| title_alt | The Dispersion Sensitivity of Scattering Pattern to Defects Depending on Thickness of Crystalline Products of Nanotechnologies. I. Theoretical Model |
| title_full | Дисперсионная чувствительность картины рассеяния к дефектам в зависимости от толщины кристаллических изделий нанотехнологий. I. Теоретическая модель |
| title_fullStr | Дисперсионная чувствительность картины рассеяния к дефектам в зависимости от толщины кристаллических изделий нанотехнологий. I. Теоретическая модель |
| title_full_unstemmed | Дисперсионная чувствительность картины рассеяния к дефектам в зависимости от толщины кристаллических изделий нанотехнологий. I. Теоретическая модель |
| title_short | Дисперсионная чувствительность картины рассеяния к дефектам в зависимости от толщины кристаллических изделий нанотехнологий. I. Теоретическая модель |
| title_sort | дисперсионная чувствительность картины рассеяния к дефектам в зависимости от толщины кристаллических изделий нанотехнологий. i. теоретическая модель |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/87981 |
| work_keys_str_mv | AT lizunovvv dispersionnaâčuvstvitelʹnostʹkartinyrasseâniâkdefektamvzavisimostiottolŝinykristalličeskihizdeliinanotehnologiiiteoretičeskaâmodelʹ AT kočelabev dispersionnaâčuvstvitelʹnostʹkartinyrasseâniâkdefektamvzavisimostiottolŝinykristalličeskihizdeliinanotehnologiiiteoretičeskaâmodelʹ AT skakunovaes dispersionnaâčuvstvitelʹnostʹkartinyrasseâniâkdefektamvzavisimostiottolŝinykristalličeskihizdeliinanotehnologiiiteoretičeskaâmodelʹ AT lenʹeg dispersionnaâčuvstvitelʹnostʹkartinyrasseâniâkdefektamvzavisimostiottolŝinykristalličeskihizdeliinanotehnologiiiteoretičeskaâmodelʹ AT molodkinvb dispersionnaâčuvstvitelʹnostʹkartinyrasseâniâkdefektamvzavisimostiottolŝinykristalličeskihizdeliinanotehnologiiiteoretičeskaâmodelʹ AT olihovskiisi dispersionnaâčuvstvitelʹnostʹkartinyrasseâniâkdefektamvzavisimostiottolŝinykristalličeskihizdeliinanotehnologiiiteoretičeskaâmodelʹ AT tolmačevng dispersionnaâčuvstvitelʹnostʹkartinyrasseâniâkdefektamvzavisimostiottolŝinykristalličeskihizdeliinanotehnologiiiteoretičeskaâmodelʹ AT šeludčenkobv dispersionnaâčuvstvitelʹnostʹkartinyrasseâniâkdefektamvzavisimostiottolŝinykristalličeskihizdeliinanotehnologiiiteoretičeskaâmodelʹ AT lizunovasv dispersionnaâčuvstvitelʹnostʹkartinyrasseâniâkdefektamvzavisimostiottolŝinykristalličeskihizdeliinanotehnologiiiteoretičeskaâmodelʹ AT skapaln dispersionnaâčuvstvitelʹnostʹkartinyrasseâniâkdefektamvzavisimostiottolŝinykristalličeskihizdeliinanotehnologiiiteoretičeskaâmodelʹ AT lizunovvv thedispersionsensitivityofscatteringpatterntodefectsdependingonthicknessofcrystallineproductsofnanotechnologiesitheoreticalmodel AT kočelabev thedispersionsensitivityofscatteringpatterntodefectsdependingonthicknessofcrystallineproductsofnanotechnologiesitheoreticalmodel AT skakunovaes thedispersionsensitivityofscatteringpatterntodefectsdependingonthicknessofcrystallineproductsofnanotechnologiesitheoreticalmodel AT lenʹeg thedispersionsensitivityofscatteringpatterntodefectsdependingonthicknessofcrystallineproductsofnanotechnologiesitheoreticalmodel AT molodkinvb thedispersionsensitivityofscatteringpatterntodefectsdependingonthicknessofcrystallineproductsofnanotechnologiesitheoreticalmodel AT olihovskiisi thedispersionsensitivityofscatteringpatterntodefectsdependingonthicknessofcrystallineproductsofnanotechnologiesitheoreticalmodel AT tolmačevng thedispersionsensitivityofscatteringpatterntodefectsdependingonthicknessofcrystallineproductsofnanotechnologiesitheoreticalmodel AT šeludčenkobv thedispersionsensitivityofscatteringpatterntodefectsdependingonthicknessofcrystallineproductsofnanotechnologiesitheoreticalmodel AT lizunovasv thedispersionsensitivityofscatteringpatterntodefectsdependingonthicknessofcrystallineproductsofnanotechnologiesitheoreticalmodel AT skapaln thedispersionsensitivityofscatteringpatterntodefectsdependingonthicknessofcrystallineproductsofnanotechnologiesitheoreticalmodel |