Дисперсионная чувствительность картины рассеяния к дефектам в зависимости от толщины кристаллических изделий нанотехнологий. I. Теоретическая модель

• Опубліковано в: : Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
• Дата: 2015
• Автори: Лизунов, В.В., Кочелаб, Е.В., Скакунова, Е.С., Лень, Е.Г., Молодкин, В.Б., Олиховский, С.И., Толмачёв, Н.Г., Шелудченко, Б.В., Лизунова, С.В., Скапа, Л.Н.
• Формат: Стаття
• Мова: Російська
• Опубліковано: Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України 2015
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/87981
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Дисперсионная чувствительность картины рассеянияк дефектам в зависимости от толщины кристаллическихизделий нанотехнологий. I. Теоретическая модель / В.В. Лизунов, Е.В. Кочелаб, Е.С. Скакунова, Е.Г. Лень, В.Б. Молодкин, С.И. Олиховский, Н.Г. Толмачёв, Б.В. Шелудченко, С.В. Лизунова, Л.Н. Скапа // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2015. — Т. 13, № 1. — С. 99–115. — Бібліогр.: 23 назв. — рос.

Построена обобщённая модель дисперсионно чувствительной дифрактометрии неидеальных кристаллов, позволяющая проводить анализ дифференциальных и интегральных картин рассеяния для произвольных эффективных толщин кристалла. Введён параметр, характеризующий эффект аномального роста относительного вклада...