Конфіґураційні ефекти в електропровідності графенового шару з розподіленими адсорбованими атомами (K)

Конфіґураційні ефекти в електропровідності графенового шару з розподіленими адсорбованими атомами (K)

Виявлено, що зі зміною випадкового на корельований або впорядкований просторові розподіли адатомів над графеновим шаром відбувається підвищення графенової електропровідности в декілька (десятки) разів. За випадкового розподілу адатомів, притягальних щодо вільних носіїв заряду, вони проявляють себе я...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
Date:2015
Main Authors: Радченко, Т.М., Татаренко, В.А., Сагалянов, І.Ю., Прилуцький, Ю.І.
Format: Article
Language:Ukrainian
Published: Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України 2015
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/87987
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Конфіґураційні ефекти в електропровідності графенового шару з розподіленими адсорбованими атомами (K) / Т.М. Радченко, В.А. Татаренко, І.Ю. Сагалянов, Ю.І. Прилуцький // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2015. — Т. 13, № 2. — С. 201–214. — Бібліогр.: 32 назв. — укр.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-87987
record_format dspace
spelling Радченко, Т.М.
Татаренко, В.А.
Сагалянов, І.Ю.
Прилуцький, Ю.І.
2015-11-06T18:53:36Z
2015-11-06T18:53:36Z
2015
Конфіґураційні ефекти в електропровідності графенового шару з розподіленими адсорбованими атомами (K) / Т.М. Радченко, В.А. Татаренко, І.Ю. Сагалянов, Ю.І. Прилуцький // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2015. — Т. 13, № 2. — С. 201–214. — Бібліогр.: 32 назв. — укр.
1816-5230
PACS numbers: 61.48.Gh, 68.43.Fg, 68.65.Pq, 72.80.Vp, 73.22.Pr, 73.50.Bk, 81.05.ue
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/87987
Виявлено, що зі зміною випадкового на корельований або впорядкований просторові розподіли адатомів над графеновим шаром відбувається підвищення графенової електропровідности в декілька (десятки) разів. За випадкового розподілу адатомів, притягальних щодо вільних носіїв заряду, вони проявляють себе як далекочинні розсіювальні центри, а короткодія їх як притягальних розсіювальних центрів домінує за їхнього близького чи далекого порядків. Показано, що при впорядкованому розташуванні домішкових атомів (наприклад, K) безпосередньо над вузлами графенової ґратниці-адсорбенту відкривається заборонена зона в її енергетичному спектрі електронів, яка розширюється з підвищенням концентрації таких адатомів.
Обнаружено, что при смене случайного на коррелированное или упорядоченное пространственные распределения адатомов над графеновым слоем происходит повышение графеновой электропроводности в несколько (десятки) раз. При случайном распределении адатомов, притягивающих несвязанные носители заряда, они проявляют себя как дальнодействующие рассеивающие центры, однако короткодействие их как притягивающих рассеивающих центров доминирует при их ближнем или дальнем порядках. Показано, что при упорядоченном размещении примесных атомов (например, K) непосредственно над узлами графеновой решётки-адсорбента открывается запрещённая зона в её энергетическом спектре электронов, которая расширяется с повышением концентрации таких адатомов.
As revealed, with the change of random spatial distribution of adatoms all over the graphene layer for correlated and ordered ones, the electroconductivity enhances in several (tens) times. Randomly arranged adatoms, which are attractive for uncombined charge carriers, manifest themselves as the long-range scattering centres, while they dominate as the short-range attractive scatterers in case of their short-range or long-range ordered distributions. As shown, an ordered arrangement of dopant (e.g., K) atoms directly above the graphene-lattice sites results to the band-gap opening in its energy spectrum of electrons. The band gap widens as the concentration of such adatoms increases.
Роботу виконано в рамках науково-дослідницького проєкту між Національною академією наук України та Польською академією наук згідно з розпорядженням НАН України від 15.12.2014 р. № 793.
uk
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
Конфіґураційні ефекти в електропровідності графенового шару з розподіленими адсорбованими атомами (K)
Configurational Effects in an Electrical Conductivity of a Graphene Layer with the Distributed Adsorbed Atoms (K)
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Конфіґураційні ефекти в електропровідності графенового шару з розподіленими адсорбованими атомами (K)
spellingShingle Конфіґураційні ефекти в електропровідності графенового шару з розподіленими адсорбованими атомами (K)
Радченко, Т.М.
Татаренко, В.А.
Сагалянов, І.Ю.
Прилуцький, Ю.І.
title_short Конфіґураційні ефекти в електропровідності графенового шару з розподіленими адсорбованими атомами (K)
title_full Конфіґураційні ефекти в електропровідності графенового шару з розподіленими адсорбованими атомами (K)
title_fullStr Конфіґураційні ефекти в електропровідності графенового шару з розподіленими адсорбованими атомами (K)
title_full_unstemmed Конфіґураційні ефекти в електропровідності графенового шару з розподіленими адсорбованими атомами (K)
title_sort конфіґураційні ефекти в електропровідності графенового шару з розподіленими адсорбованими атомами (k)
author Радченко, Т.М.
Татаренко, В.А.
Сагалянов, І.Ю.
Прилуцький, Ю.І.
author_facet Радченко, Т.М.
Татаренко, В.А.
Сагалянов, І.Ю.
Прилуцький, Ю.І.
publishDate 2015
language Ukrainian
container_title Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
publisher Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
format Article
title_alt Configurational Effects in an Electrical Conductivity of a Graphene Layer with the Distributed Adsorbed Atoms (K)
description Виявлено, що зі зміною випадкового на корельований або впорядкований просторові розподіли адатомів над графеновим шаром відбувається підвищення графенової електропровідности в декілька (десятки) разів. За випадкового розподілу адатомів, притягальних щодо вільних носіїв заряду, вони проявляють себе як далекочинні розсіювальні центри, а короткодія їх як притягальних розсіювальних центрів домінує за їхнього близького чи далекого порядків. Показано, що при впорядкованому розташуванні домішкових атомів (наприклад, K) безпосередньо над вузлами графенової ґратниці-адсорбенту відкривається заборонена зона в її енергетичному спектрі електронів, яка розширюється з підвищенням концентрації таких адатомів. Обнаружено, что при смене случайного на коррелированное или упорядоченное пространственные распределения адатомов над графеновым слоем происходит повышение графеновой электропроводности в несколько (десятки) раз. При случайном распределении адатомов, притягивающих несвязанные носители заряда, они проявляют себя как дальнодействующие рассеивающие центры, однако короткодействие их как притягивающих рассеивающих центров доминирует при их ближнем или дальнем порядках. Показано, что при упорядоченном размещении примесных атомов (например, K) непосредственно над узлами графеновой решётки-адсорбента открывается запрещённая зона в её энергетическом спектре электронов, которая расширяется с повышением концентрации таких адатомов. As revealed, with the change of random spatial distribution of adatoms all over the graphene layer for correlated and ordered ones, the electroconductivity enhances in several (tens) times. Randomly arranged adatoms, which are attractive for uncombined charge carriers, manifest themselves as the long-range scattering centres, while they dominate as the short-range attractive scatterers in case of their short-range or long-range ordered distributions. As shown, an ordered arrangement of dopant (e.g., K) atoms directly above the graphene-lattice sites results to the band-gap opening in its energy spectrum of electrons. The band gap widens as the concentration of such adatoms increases.
issn 1816-5230
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/87987
citation_txt Конфіґураційні ефекти в електропровідності графенового шару з розподіленими адсорбованими атомами (K) / Т.М. Радченко, В.А. Татаренко, І.Ю. Сагалянов, Ю.І. Прилуцький // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2015. — Т. 13, № 2. — С. 201–214. — Бібліогр.: 32 назв. — укр.
work_keys_str_mv AT radčenkotm konfíguracíiníefektivelektroprovídnostígrafenovogošaruzrozpodílenimiadsorbovanimiatomamik
AT tatarenkova konfíguracíiníefektivelektroprovídnostígrafenovogošaruzrozpodílenimiadsorbovanimiatomamik
AT sagalânovíû konfíguracíiníefektivelektroprovídnostígrafenovogošaruzrozpodílenimiadsorbovanimiatomamik
AT prilucʹkiiûí konfíguracíiníefektivelektroprovídnostígrafenovogošaruzrozpodílenimiadsorbovanimiatomamik
AT radčenkotm configurationaleffectsinanelectricalconductivityofagraphenelayerwiththedistributedadsorbedatomsk
AT tatarenkova configurationaleffectsinanelectricalconductivityofagraphenelayerwiththedistributedadsorbedatomsk
AT sagalânovíû configurationaleffectsinanelectricalconductivityofagraphenelayerwiththedistributedadsorbedatomsk
AT prilucʹkiiûí configurationaleffectsinanelectricalconductivityofagraphenelayerwiththedistributedadsorbedatomsk
first_indexed 2025-12-07T17:35:43Z
last_indexed 2025-12-07T17:35:43Z
_version_ 1850871847423311872

Similar Items