Technological studies of the plasmachemical reactor with сlosed electron drift

• Veröffentlicht in: Вопросы атомной науки и техники
• Datum: 2009
• Hauptverfasser: Fedorovich, O.A., Kruglenko, M.P., Polozov, B.P.
• Format: Artikel
• Sprache: English
• Veröffentlicht: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2009
• Schlagworte: Низкотемпературная плазма и плазменные технологии
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/88642
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Technological studies of the plasmachemical reactor with сlosed electron drift / O.A. Fedorovich, M.P. Kruglenko, B.P. Polozov // Вопросы атомной науки и техники. — 2009. — № 1. — С. 148-149. — Бібліогр.: 5 назв. — англ.

Наведено результати технологічних випробувань плазмохімічного реактора (ПХР) з замкнутим дрейфом електронів, розробленого в ІЯД НАНУ. Досліджена залежність швидкості травлення монокремнію від робочого тиску в ПХР. Знайдено, що при незмінному потоці подачі робочого газу в реактор і зміні тиску в ПХР від 10⁻³ до 10⁻¹ Тор швидкість травлення зростає від 0,7 до 2,5 мкм/хв на проміжку (6…8)·10⁻² Тор. Далі проходить зменшення швидкості травлення монокремнію при інших незмінних параметрах розряду. Показана нелінійна залежність швидкості травлення від розходу робочого газу SF₆ з тенденцією насичення при подальшому його збільшенні. The results of recent technological investigations into the plasmachemical reactor (PCR) with closed electron drift, developed at the Institute for Nuclear Research (INR) NAS of Ukraine are presented. The dependence of the monosilicon etching rate on the operating pressure in PCR was investigated. It is shown, that using a constant working gas feed and varying pressure from 10⁻³ to 10⁻¹ Tоrr, the etching rate in the reactor increases from 0.7 up to 2,5 µm/min in the pressure interval (6…8)⋅10⁻² Tоrr. Then the monosilicon etching rate decreases with other discharge parameters unchangeable. The dependence of the etching rate on the working gas (SF₆) flow value at constant pressure is presented. It is shown that this dependence has a nonlinear character with tendency towards saturation under further gas flow increase. Наведено результати технологічних випробувань плазмохімічного реактора (ПХР) з замкнутим дрейфом електронів, розробленого в ІЯД НАНУ. Досліджена залежність швидкості травлення монокремнію від робочого тиску в ПХР. Знайдено, що при незмінному потоці подачі робочого газу в реактор і зміні тиску в ПХР від 10⁻³ до 10⁻¹ Тор швидкість травлення зростає від 0,7 до 2,5 мкм/хв на проміжку (6…8)·10⁻² Тор. Далі проходить зменшення швидкості травлення монокремнію при інших незмінних параметрах розряду. Показана нелінійна залежність швидкості травлення від розходу робочого газу SF₆ з тенденцією насичення при подальшому його збільшенні. Приведены результаты технологических исследований плазмохимического реактора (ПХР) с замкнутым дрейфом электронов, разработанного в ИЯИ НАНУ. Исследована зависимость скорости травления монокремния от рабочего давления в ПХР: при неизменном потоке подачи рабочего газа в реактор и изменении давления в ПХР от 10⁻³ до 10⁻¹ Торр скорость травления возрастает от 0,7 до 2,5 мкм/мин на участке (6…8)·10⁻² Торр. Далее происходит уменьшение скорости травления монокремния. Приведена зависимость скорости травления от величины потока SF₆ при фиксированном давлении. Показана нелинейная зависимость скорости травления от расхода рабочего газа с тенденцией насыщения при дальнейшем увеличении газового потока.