Technological studies of the plasmachemical reactor with сlosed electron drift

Наведено результати технологічних випробувань плазмохімічного реактора (ПХР) з замкнутим дрейфом
 електронів, розробленого в ІЯД НАНУ. Досліджена залежність швидкості травлення монокремнію від робочого тиску в
 ПХР. Знайдено, що при незмінному потоці подачі робочого газу в реактор...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Вопросы атомной науки и техники
Date:2009
Main Authors: Fedorovich, O.A., Kruglenko, M.P., Polozov, B.P.
Format: Article
Language:English
Published: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2009
Subjects:
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/88642
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Technological studies of the plasmachemical reactor with сlosed electron drift / O.A. Fedorovich, M.P. Kruglenko, B.P. Polozov // Вопросы атомной науки и техники. — 2009. — № 1. — С. 148-149. — Бібліогр.: 5 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
_version_ 1862657125073813504
author Fedorovich, O.A.
Kruglenko, M.P.
Polozov, B.P.
author_facet Fedorovich, O.A.
Kruglenko, M.P.
Polozov, B.P.
citation_txt Technological studies of the plasmachemical reactor with сlosed electron drift / O.A. Fedorovich, M.P. Kruglenko, B.P. Polozov // Вопросы атомной науки и техники. — 2009. — № 1. — С. 148-149. — Бібліогр.: 5 назв. — англ.
collection DSpace DC
container_title Вопросы атомной науки и техники
description Наведено результати технологічних випробувань плазмохімічного реактора (ПХР) з замкнутим дрейфом
 електронів, розробленого в ІЯД НАНУ. Досліджена залежність швидкості травлення монокремнію від робочого тиску в
 ПХР. Знайдено, що при незмінному потоці подачі робочого газу в реактор і зміні тиску в ПХР від 10⁻³ до 10⁻¹ Тор
 швидкість травлення зростає від 0,7 до 2,5 мкм/хв на проміжку (6…8)·10⁻² Тор. Далі проходить зменшення швидкості
 травлення монокремнію при інших незмінних параметрах розряду. Показана нелінійна залежність швидкості травлення
 від розходу робочого газу SF₆ з тенденцією насичення при подальшому його збільшенні. The results of recent technological investigations into the plasmachemical reactor (PCR) with closed electron drift,
 developed at the Institute for Nuclear Research (INR) NAS of Ukraine are presented. The dependence of the monosilicon
 etching rate on the operating pressure in PCR was investigated. It is shown, that using a constant working gas feed and
 varying pressure from 10⁻³ to 10⁻¹ Tоrr, the etching rate in the reactor increases from 0.7 up to 2,5 µm/min in the pressure
 interval (6…8)⋅10⁻² Tоrr. Then the monosilicon etching rate decreases with other discharge parameters unchangeable. The
 dependence of the etching rate on the working gas (SF₆) flow value at constant pressure is presented. It is shown that this
 dependence has a nonlinear character with tendency towards saturation under further gas flow increase. Наведено результати технологічних випробувань плазмохімічного реактора (ПХР) з замкнутим дрейфом
 електронів, розробленого в ІЯД НАНУ. Досліджена залежність швидкості травлення монокремнію від робочого тиску в
 ПХР. Знайдено, що при незмінному потоці подачі робочого газу в реактор і зміні тиску в ПХР від 10⁻³ до 10⁻¹ Тор
 швидкість травлення зростає від 0,7 до 2,5 мкм/хв на проміжку (6…8)·10⁻² Тор. Далі проходить зменшення швидкості
 травлення монокремнію при інших незмінних параметрах розряду. Показана нелінійна залежність швидкості травлення
 від розходу робочого газу SF₆ з тенденцією насичення при подальшому його збільшенні. Приведены результаты технологических исследований плазмохимического реактора (ПХР) с замкнутым дрейфом
 электронов, разработанного в ИЯИ НАНУ. Исследована зависимость скорости травления монокремния от рабочего
 давления в ПХР: при неизменном потоке подачи рабочего газа в реактор и изменении давления в ПХР от 10⁻³ до
 10⁻¹ Торр скорость травления возрастает от 0,7 до 2,5 мкм/мин на участке (6…8)·10⁻² Торр. Далее происходит
 уменьшение скорости травления монокремния. Приведена зависимость скорости травления от величины потока SF₆
 при фиксированном давлении. Показана нелинейная зависимость скорости травления от расхода рабочего газа с
 тенденцией насыщения при дальнейшем увеличении газового потока.
first_indexed 2025-12-02T06:11:35Z
format Article
fulltext
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-88642
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
issn 1562-6016
language English
last_indexed 2025-12-02T06:11:35Z
publishDate 2009
publisher Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
record_format dspace
spelling Fedorovich, O.A.
Kruglenko, M.P.
Polozov, B.P.
2015-11-19T21:03:26Z
2015-11-19T21:03:26Z
2009
Technological studies of the plasmachemical reactor with сlosed electron drift / O.A. Fedorovich, M.P. Kruglenko, B.P. Polozov // Вопросы атомной науки и техники. — 2009. — № 1. — С. 148-149. — Бібліогр.: 5 назв. — англ.
1562-6016
PACS: 52.77. Bn, 81.65.Cf
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/88642
Наведено результати технологічних випробувань плазмохімічного реактора (ПХР) з замкнутим дрейфом
 електронів, розробленого в ІЯД НАНУ. Досліджена залежність швидкості травлення монокремнію від робочого тиску в
 ПХР. Знайдено, що при незмінному потоці подачі робочого газу в реактор і зміні тиску в ПХР від 10⁻³ до 10⁻¹ Тор
 швидкість травлення зростає від 0,7 до 2,5 мкм/хв на проміжку (6…8)·10⁻² Тор. Далі проходить зменшення швидкості
 травлення монокремнію при інших незмінних параметрах розряду. Показана нелінійна залежність швидкості травлення
 від розходу робочого газу SF₆ з тенденцією насичення при подальшому його збільшенні.
The results of recent technological investigations into the plasmachemical reactor (PCR) with closed electron drift,
 developed at the Institute for Nuclear Research (INR) NAS of Ukraine are presented. The dependence of the monosilicon
 etching rate on the operating pressure in PCR was investigated. It is shown, that using a constant working gas feed and
 varying pressure from 10⁻³ to 10⁻¹ Tоrr, the etching rate in the reactor increases from 0.7 up to 2,5 µm/min in the pressure
 interval (6…8)⋅10⁻² Tоrr. Then the monosilicon etching rate decreases with other discharge parameters unchangeable. The
 dependence of the etching rate on the working gas (SF₆) flow value at constant pressure is presented. It is shown that this
 dependence has a nonlinear character with tendency towards saturation under further gas flow increase.
Наведено результати технологічних випробувань плазмохімічного реактора (ПХР) з замкнутим дрейфом
 електронів, розробленого в ІЯД НАНУ. Досліджена залежність швидкості травлення монокремнію від робочого тиску в
 ПХР. Знайдено, що при незмінному потоці подачі робочого газу в реактор і зміні тиску в ПХР від 10⁻³ до 10⁻¹ Тор
 швидкість травлення зростає від 0,7 до 2,5 мкм/хв на проміжку (6…8)·10⁻² Тор. Далі проходить зменшення швидкості
 травлення монокремнію при інших незмінних параметрах розряду. Показана нелінійна залежність швидкості травлення
 від розходу робочого газу SF₆ з тенденцією насичення при подальшому його збільшенні.
Приведены результаты технологических исследований плазмохимического реактора (ПХР) с замкнутым дрейфом
 электронов, разработанного в ИЯИ НАНУ. Исследована зависимость скорости травления монокремния от рабочего
 давления в ПХР: при неизменном потоке подачи рабочего газа в реактор и изменении давления в ПХР от 10⁻³ до
 10⁻¹ Торр скорость травления возрастает от 0,7 до 2,5 мкм/мин на участке (6…8)·10⁻² Торр. Далее происходит
 уменьшение скорости травления монокремния. Приведена зависимость скорости травления от величины потока SF₆
 при фиксированном давлении. Показана нелинейная зависимость скорости травления от расхода рабочего газа с
 тенденцией насыщения при дальнейшем увеличении газового потока.
en
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
Вопросы атомной науки и техники
Низкотемпературная плазма и плазменные технологии
Technological studies of the plasmachemical reactor with сlosed electron drift
Технологічні випробування плазмохімічного реактора з замкнутим дрейфом електронів
Технологические испытания плазмохимического реактора с замкнутым дрейфом электронов
Article
published earlier
spellingShingle Technological studies of the plasmachemical reactor with сlosed electron drift
Fedorovich, O.A.
Kruglenko, M.P.
Polozov, B.P.
Низкотемпературная плазма и плазменные технологии
title Technological studies of the plasmachemical reactor with сlosed electron drift
title_alt Технологічні випробування плазмохімічного реактора з замкнутим дрейфом електронів
Технологические испытания плазмохимического реактора с замкнутым дрейфом электронов
title_full Technological studies of the plasmachemical reactor with сlosed electron drift
title_fullStr Technological studies of the plasmachemical reactor with сlosed electron drift
title_full_unstemmed Technological studies of the plasmachemical reactor with сlosed electron drift
title_short Technological studies of the plasmachemical reactor with сlosed electron drift
title_sort technological studies of the plasmachemical reactor with сlosed electron drift
topic Низкотемпературная плазма и плазменные технологии
topic_facet Низкотемпературная плазма и плазменные технологии
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/88642
work_keys_str_mv AT fedorovichoa technologicalstudiesoftheplasmachemicalreactorwithslosedelectrondrift
AT kruglenkomp technologicalstudiesoftheplasmachemicalreactorwithslosedelectrondrift
AT polozovbp technologicalstudiesoftheplasmachemicalreactorwithslosedelectrondrift
AT fedorovichoa tehnologíčníviprobuvannâplazmohímíčnogoreaktorazzamknutimdreifomelektronív
AT kruglenkomp tehnologíčníviprobuvannâplazmohímíčnogoreaktorazzamknutimdreifomelektronív
AT polozovbp tehnologíčníviprobuvannâplazmohímíčnogoreaktorazzamknutimdreifomelektronív
AT fedorovichoa tehnologičeskieispytaniâplazmohimičeskogoreaktoraszamknutymdreifomélektronov
AT kruglenkomp tehnologičeskieispytaniâplazmohimičeskogoreaktoraszamknutymdreifomélektronov
AT polozovbp tehnologičeskieispytaniâplazmohimičeskogoreaktoraszamknutymdreifomélektronov