Влияние молекул CO, адсорбированных на межфазной поверхности и растворенных в расплаве, на образование микропузырьков и скорость выращивания сапфира

При выращивании сапфира без концентрационного охлаждения расплава в результате диффузионного выделения из сапфира растворенных атомов углерода и матричных атомов кислорода и их рекомбинации на гладкой межфазной поверхности концентрация образующихся адсорбированных молекул СО увеличивается до макс...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Вопросы атомной науки и техники
Date:2009
Main Authors: Катрич, Н.П., Будников, А.Т., Кривоногов, С.И.
Format: Article
Language:Russian
Published: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2009
Subjects:
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/90771
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Влияние молекул CO, адсорбированных на межфазной поверхности и растворенных в расплаве, на образование микропузырьков и скорость выращивания сапфира / Н.П. Катрич, А.Т. Будников, С.И. Кривоногов // Вопросы атомной науки и техники. — 2009. — № 6. — С. 184-188. — Бібліогр.: 5 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Description
Summary:При выращивании сапфира без концентрационного охлаждения расплава в результате диффузионного выделения из сапфира растворенных атомов углерода и матричных атомов кислорода и их рекомбинации на гладкой межфазной поверхности концентрация образующихся адсорбированных молекул СО увеличивается до максимума, при котором выделение из сапфира атомов углерода прекращается. При концентрационном переохлаждении расплава молекулы СО диффундируют в углубления между ячейками, где образуются неизомерные поры. В процессе выращивания они преобразуются в сферические. Показано, что сапфир, выращиваемый после концентрационного переохлаждения расплава, наследует кристаллографическую ориентацию затравочного кристалла. Предлагается из сырья, очищенного от углерода, выращивать сапфир при концентрационном переохлаждении расплава, вследствие этого увеличить в несколько раз скорость выращивания. При вирощуванні сапфіра без концентраційного охолоджування розплаву внаслідок дифузійного виділення з сапфіра розчинених атомів вуглецю і матричних атомів кисню і їх рекомбінації на гладкій міжфазній поверхні концентрація адсорбованих молекул СО, що утворюються, збільшується до максимуму, при якому виділення з сапфіра атомів вуглецю припиняється. При концентраційному переохолодженні розплаву молекули СО дифундують в поглиблення між комірками, де утворюються неізомерні пори. В процесі вирощування вони перетворяться в сферичні. Показано, що сапфір, вирощуваний після концентраційного переохолодження розплаву, успадковує кристалографічну орієнтацію кристала затравки. Пропонується з сировини, очищеної від вуглецю, вирощувати сапфір при концентраційному переохолодженні розплаву. At growing of sapphire without the concentration cooling of fusion concentration of the appearing adsorbed molecules CO is increased to the maximum and the selection from the sapphire of atoms of carbon is stopped. At the concentration cooling of fusion of molecule of CO diffusion in deepening between cells, where no isomer pores appear. In the process of growing they will be transformed in spherical. It is shown, that the sapphire grown after the concentration cooling of fusion inherits the crystallography orientation of initial crystal. It is offered from the raw material cleared from a carbon, to grow a sapphire at the concentration cooling of fusion.
ISSN:1562-6016