Synthesis of Ti-Si and Ti-Si-N coatings by condensation of filtered vacuum-arc plasma

• Published in: Вопросы атомной науки и техники
• Date: 2009
• Main Authors: Aksyonov, D.S., Aksenov, I.I., Luchaninov, A.A., Reshetnyak, E.N., Strel’nitskij, V.E.
• Format: Article
• Language: English
• Published: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2009
• Subjects: Физика и технология конструкционных материалов
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/90791
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Synthesis of Ti-Si and Ti-Si-N coatings by condensation of filtered vacuum-arc plasma / D.S. Aksyonov, I.I. Aksenov, A.A. Luchaninov, E.N. Reshetnyak, V.E. Strel’nitskij // Вопросы атомной науки и техники. — 2009. — № 6. — С. 268-272. — Бібліогр.: 4 назв. — рос.

Synthesis of Ti-Si and Ti-Si-N coatings using a filtered vacuum-arc plasma source with consumable titaniumsilicon cathode was investigated. The thickness of films and their elemental composition were defined by means of the X-ray fluorescent analysis. It has been established, that the silicon concentration in coating can be changed over a wide range, from zero to the maximum value defined by silicon content in the cathode, by adjustment deposition process parameters – working gas pressure, substrate negative bias voltage, magnetic field intensity and its spatial distribution. Досліджено процес синтезу Ti-Si- та Ti-Si-N–покриттів з використанням джерела фільтрованої вакуумно- дугової плазми з титан-силіцієвим катодом, що витрачається. Товщина плівок та їх елементний склад визначались рентгенофлуоресцентним методом. Установлено, що концентрація силіцію в покритті може змінюватись в широкому діапазоні, від нуля до максимальної величини, що визначається вмістом силіцію в катоді, шляхом регулювання параметрів процесу – тиску робочого газу, негативної напруги зміщення на підкладці, напруженості та просторового розподілу магнітних полів. Исследован процесс синтеза Ti-Si- и Ti-Si-N–покрытий с использованием источника фильтрованной вакуумно-дуговой плазмы с титан-кремниевым катодом. Толщина плёнок и их элементный состав определялись рентгенофлуоресцентным методом. Установлено, что концентрация кремния в покрытии может быть изменена в широких пределах, от нуля до максимальной величины, определяемому содержанием кремния в катоде, путём регулировки параметров процесса осаждения – давления рабочего газа, отрицательного напряжения смещения на подложке, напряжённости и пространственного распределения магнитных полей.