Synthesis of Ti-Si and Ti-Si-N coatings by condensation of filtered vacuum-arc plasma
Synthesis of Ti-Si and Ti-Si-N coatings using a filtered vacuum-arc plasma source with consumable titaniumsilicon cathode was investigated. The thickness of films and their elemental composition were defined by means of the X-ray fluorescent analysis. It has been established, that the silicon conc...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Вопросы атомной науки и техники |
|---|---|
| Datum: | 2009 |
| Hauptverfasser: | , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | English |
| Veröffentlicht: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2009
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/90791 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Synthesis of Ti-Si and Ti-Si-N coatings by condensation of filtered vacuum-arc plasma / D.S. Aksyonov, I.I. Aksenov, A.A. Luchaninov, E.N. Reshetnyak, V.E. Strel’nitskij // Вопросы атомной науки и техники. — 2009. — № 6. — С. 268-272. — Бібліогр.: 4 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-90791 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Aksyonov, D.S. Aksenov, I.I. Luchaninov, A.A. Reshetnyak, E.N. Strel’nitskij, V.E. 2016-01-04T15:28:35Z 2016-01-04T15:28:35Z 2009 Synthesis of Ti-Si and Ti-Si-N coatings by condensation of filtered vacuum-arc plasma / D.S. Aksyonov, I.I. Aksenov, A.A. Luchaninov, E.N. Reshetnyak, V.E. Strel’nitskij // Вопросы атомной науки и техники. — 2009. — № 6. — С. 268-272. — Бібліогр.: 4 назв. — рос. 1562-6016 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/90791 621.793 Synthesis of Ti-Si and Ti-Si-N coatings using a filtered vacuum-arc plasma source with consumable titaniumsilicon cathode was investigated. The thickness of films and their elemental composition were defined by means of the X-ray fluorescent analysis. It has been established, that the silicon concentration in coating can be changed over a wide range, from zero to the maximum value defined by silicon content in the cathode, by adjustment deposition process parameters – working gas pressure, substrate negative bias voltage, magnetic field intensity and its spatial distribution. Досліджено процес синтезу Ti-Si- та Ti-Si-N–покриттів з використанням джерела фільтрованої вакуумно- дугової плазми з титан-силіцієвим катодом, що витрачається. Товщина плівок та їх елементний склад визначались рентгенофлуоресцентним методом. Установлено, що концентрація силіцію в покритті може змінюватись в широкому діапазоні, від нуля до максимальної величини, що визначається вмістом силіцію в катоді, шляхом регулювання параметрів процесу – тиску робочого газу, негативної напруги зміщення на підкладці, напруженості та просторового розподілу магнітних полів. Исследован процесс синтеза Ti-Si- и Ti-Si-N–покрытий с использованием источника фильтрованной вакуумно-дуговой плазмы с титан-кремниевым катодом. Толщина плёнок и их элементный состав определялись рентгенофлуоресцентным методом. Установлено, что концентрация кремния в покрытии может быть изменена в широких пределах, от нуля до максимальной величины, определяемому содержанием кремния в катоде, путём регулировки параметров процесса осаждения – давления рабочего газа, отрицательного напряжения смещения на подложке, напряжённости и пространственного распределения магнитных полей. en Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України Вопросы атомной науки и техники Физика и технология конструкционных материалов Synthesis of Ti-Si and Ti-Si-N coatings by condensation of filtered vacuum-arc plasma Синтез Ti-Si- та Tі-Si-N–покриттів конденсацією фільтрованої вакуумно-дугової плазми Синтез Ti-Si- и Ti-Si-N-покрытий конденсацией фильтрованной вакуумно-дуговой плазмы Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Synthesis of Ti-Si and Ti-Si-N coatings by condensation of filtered vacuum-arc plasma |
| spellingShingle |
Synthesis of Ti-Si and Ti-Si-N coatings by condensation of filtered vacuum-arc plasma Aksyonov, D.S. Aksenov, I.I. Luchaninov, A.A. Reshetnyak, E.N. Strel’nitskij, V.E. Физика и технология конструкционных материалов |
| title_short |
Synthesis of Ti-Si and Ti-Si-N coatings by condensation of filtered vacuum-arc plasma |
| title_full |
Synthesis of Ti-Si and Ti-Si-N coatings by condensation of filtered vacuum-arc plasma |
| title_fullStr |
Synthesis of Ti-Si and Ti-Si-N coatings by condensation of filtered vacuum-arc plasma |
| title_full_unstemmed |
Synthesis of Ti-Si and Ti-Si-N coatings by condensation of filtered vacuum-arc plasma |
| title_sort |
synthesis of ti-si and ti-si-n coatings by condensation of filtered vacuum-arc plasma |
| author |
Aksyonov, D.S. Aksenov, I.I. Luchaninov, A.A. Reshetnyak, E.N. Strel’nitskij, V.E. |
| author_facet |
Aksyonov, D.S. Aksenov, I.I. Luchaninov, A.A. Reshetnyak, E.N. Strel’nitskij, V.E. |
| topic |
Физика и технология конструкционных материалов |
| topic_facet |
Физика и технология конструкционных материалов |
| publishDate |
2009 |
| language |
English |
| container_title |
Вопросы атомной науки и техники |
| publisher |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Синтез Ti-Si- та Tі-Si-N–покриттів конденсацією фільтрованої вакуумно-дугової плазми Синтез Ti-Si- и Ti-Si-N-покрытий конденсацией фильтрованной вакуумно-дуговой плазмы |
| description |
Synthesis of Ti-Si and Ti-Si-N coatings using a filtered vacuum-arc plasma source with consumable titaniumsilicon
cathode was investigated. The thickness of films and their elemental composition were defined by means of
the X-ray fluorescent analysis. It has been established, that the silicon concentration in coating can be changed over
a wide range, from zero to the maximum value defined by silicon content in the cathode, by adjustment deposition
process parameters – working gas pressure, substrate negative bias voltage, magnetic field intensity and its spatial
distribution.
Досліджено процес синтезу Ti-Si- та Ti-Si-N–покриттів з використанням джерела фільтрованої вакуумно-
дугової плазми з титан-силіцієвим катодом, що витрачається. Товщина плівок та їх елементний склад
визначались рентгенофлуоресцентним методом. Установлено, що концентрація силіцію в покритті може
змінюватись в широкому діапазоні, від нуля до максимальної величини, що визначається вмістом силіцію в
катоді, шляхом регулювання параметрів процесу – тиску робочого газу, негативної напруги зміщення на
підкладці, напруженості та просторового розподілу магнітних полів.
Исследован процесс синтеза Ti-Si- и Ti-Si-N–покрытий с использованием источника фильтрованной
вакуумно-дуговой плазмы с титан-кремниевым катодом. Толщина плёнок и их элементный состав
определялись рентгенофлуоресцентным методом. Установлено, что концентрация кремния в покрытии
может быть изменена в широких пределах, от нуля до максимальной величины, определяемому
содержанием кремния в катоде, путём регулировки параметров процесса осаждения – давления рабочего
газа, отрицательного напряжения смещения на подложке, напряжённости и пространственного
распределения магнитных полей.
|
| issn |
1562-6016 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/90791 |
| citation_txt |
Synthesis of Ti-Si and Ti-Si-N coatings by condensation of filtered vacuum-arc plasma / D.S. Aksyonov, I.I. Aksenov, A.A. Luchaninov, E.N. Reshetnyak, V.E. Strel’nitskij // Вопросы атомной науки и техники. — 2009. — № 6. — С. 268-272. — Бібліогр.: 4 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT aksyonovds synthesisoftisiandtisincoatingsbycondensationoffilteredvacuumarcplasma AT aksenovii synthesisoftisiandtisincoatingsbycondensationoffilteredvacuumarcplasma AT luchaninovaa synthesisoftisiandtisincoatingsbycondensationoffilteredvacuumarcplasma AT reshetnyaken synthesisoftisiandtisincoatingsbycondensationoffilteredvacuumarcplasma AT strelnitskijve synthesisoftisiandtisincoatingsbycondensationoffilteredvacuumarcplasma AT aksyonovds sinteztisitatísinpokrittívkondensacíêûfílʹtrovanoívakuumnodugovoíplazmi AT aksenovii sinteztisitatísinpokrittívkondensacíêûfílʹtrovanoívakuumnodugovoíplazmi AT luchaninovaa sinteztisitatísinpokrittívkondensacíêûfílʹtrovanoívakuumnodugovoíplazmi AT reshetnyaken sinteztisitatísinpokrittívkondensacíêûfílʹtrovanoívakuumnodugovoíplazmi AT strelnitskijve sinteztisitatísinpokrittívkondensacíêûfílʹtrovanoívakuumnodugovoíplazmi AT aksyonovds sinteztisiitisinpokrytiikondensacieifilʹtrovannoivakuumnodugovoiplazmy AT aksenovii sinteztisiitisinpokrytiikondensacieifilʹtrovannoivakuumnodugovoiplazmy AT luchaninovaa sinteztisiitisinpokrytiikondensacieifilʹtrovannoivakuumnodugovoiplazmy AT reshetnyaken sinteztisiitisinpokrytiikondensacieifilʹtrovannoivakuumnodugovoiplazmy AT strelnitskijve sinteztisiitisinpokrytiikondensacieifilʹtrovannoivakuumnodugovoiplazmy |
| first_indexed |
2025-12-07T13:12:33Z |
| last_indexed |
2025-12-07T13:12:33Z |
| _version_ |
1850855289780174848 |