Synthesis of Ti-Si and Ti-Si-N coatings by condensation of filtered vacuum-arc plasma
Synthesis of Ti-Si and Ti-Si-N coatings using a filtered vacuum-arc plasma source with consumable titaniumsilicon
 cathode was investigated. The thickness of films and their elemental composition were defined by means of
 the X-ray fluorescent analysis. It has been established, that...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Вопросы атомной науки и техники |
|---|---|
| Datum: | 2009 |
| Hauptverfasser: | , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Englisch |
| Veröffentlicht: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2009
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/90791 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Synthesis of Ti-Si and Ti-Si-N coatings by condensation of filtered vacuum-arc plasma / D.S. Aksyonov, I.I. Aksenov, A.A. Luchaninov, E.N. Reshetnyak, V.E. Strel’nitskij // Вопросы атомной науки и техники. — 2009. — № 6. — С. 268-272. — Бібліогр.: 4 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862617616169828352 |
|---|---|
| author | Aksyonov, D.S. Aksenov, I.I. Luchaninov, A.A. Reshetnyak, E.N. Strel’nitskij, V.E. |
| author_facet | Aksyonov, D.S. Aksenov, I.I. Luchaninov, A.A. Reshetnyak, E.N. Strel’nitskij, V.E. |
| citation_txt | Synthesis of Ti-Si and Ti-Si-N coatings by condensation of filtered vacuum-arc plasma / D.S. Aksyonov, I.I. Aksenov, A.A. Luchaninov, E.N. Reshetnyak, V.E. Strel’nitskij // Вопросы атомной науки и техники. — 2009. — № 6. — С. 268-272. — Бібліогр.: 4 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Вопросы атомной науки и техники |
| description | Synthesis of Ti-Si and Ti-Si-N coatings using a filtered vacuum-arc plasma source with consumable titaniumsilicon
cathode was investigated. The thickness of films and their elemental composition were defined by means of
the X-ray fluorescent analysis. It has been established, that the silicon concentration in coating can be changed over
a wide range, from zero to the maximum value defined by silicon content in the cathode, by adjustment deposition
process parameters – working gas pressure, substrate negative bias voltage, magnetic field intensity and its spatial
distribution.
Досліджено процес синтезу Ti-Si- та Ti-Si-N–покриттів з використанням джерела фільтрованої вакуумно-
дугової плазми з титан-силіцієвим катодом, що витрачається. Товщина плівок та їх елементний склад
визначались рентгенофлуоресцентним методом. Установлено, що концентрація силіцію в покритті може
змінюватись в широкому діапазоні, від нуля до максимальної величини, що визначається вмістом силіцію в
катоді, шляхом регулювання параметрів процесу – тиску робочого газу, негативної напруги зміщення на
підкладці, напруженості та просторового розподілу магнітних полів.
Исследован процесс синтеза Ti-Si- и Ti-Si-N–покрытий с использованием источника фильтрованной
вакуумно-дуговой плазмы с титан-кремниевым катодом. Толщина плёнок и их элементный состав
определялись рентгенофлуоресцентным методом. Установлено, что концентрация кремния в покрытии
может быть изменена в широких пределах, от нуля до максимальной величины, определяемому
содержанием кремния в катоде, путём регулировки параметров процесса осаждения – давления рабочего
газа, отрицательного напряжения смещения на подложке, напряжённости и пространственного
распределения магнитных полей.
|
| first_indexed | 2025-12-07T13:12:33Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-90791 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1562-6016 |
| language | English |
| last_indexed | 2025-12-07T13:12:33Z |
| publishDate | 2009 |
| publisher | Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Aksyonov, D.S. Aksenov, I.I. Luchaninov, A.A. Reshetnyak, E.N. Strel’nitskij, V.E. 2016-01-04T15:28:35Z 2016-01-04T15:28:35Z 2009 Synthesis of Ti-Si and Ti-Si-N coatings by condensation of filtered vacuum-arc plasma / D.S. Aksyonov, I.I. Aksenov, A.A. Luchaninov, E.N. Reshetnyak, V.E. Strel’nitskij // Вопросы атомной науки и техники. — 2009. — № 6. — С. 268-272. — Бібліогр.: 4 назв. — рос. 1562-6016 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/90791 621.793 Synthesis of Ti-Si and Ti-Si-N coatings using a filtered vacuum-arc plasma source with consumable titaniumsilicon
 cathode was investigated. The thickness of films and their elemental composition were defined by means of
 the X-ray fluorescent analysis. It has been established, that the silicon concentration in coating can be changed over
 a wide range, from zero to the maximum value defined by silicon content in the cathode, by adjustment deposition
 process parameters – working gas pressure, substrate negative bias voltage, magnetic field intensity and its spatial
 distribution. Досліджено процес синтезу Ti-Si- та Ti-Si-N–покриттів з використанням джерела фільтрованої вакуумно-
 дугової плазми з титан-силіцієвим катодом, що витрачається. Товщина плівок та їх елементний склад
 визначались рентгенофлуоресцентним методом. Установлено, що концентрація силіцію в покритті може
 змінюватись в широкому діапазоні, від нуля до максимальної величини, що визначається вмістом силіцію в
 катоді, шляхом регулювання параметрів процесу – тиску робочого газу, негативної напруги зміщення на
 підкладці, напруженості та просторового розподілу магнітних полів. Исследован процесс синтеза Ti-Si- и Ti-Si-N–покрытий с использованием источника фильтрованной
 вакуумно-дуговой плазмы с титан-кремниевым катодом. Толщина плёнок и их элементный состав
 определялись рентгенофлуоресцентным методом. Установлено, что концентрация кремния в покрытии
 может быть изменена в широких пределах, от нуля до максимальной величины, определяемому
 содержанием кремния в катоде, путём регулировки параметров процесса осаждения – давления рабочего
 газа, отрицательного напряжения смещения на подложке, напряжённости и пространственного
 распределения магнитных полей. en Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України Вопросы атомной науки и техники Физика и технология конструкционных материалов Synthesis of Ti-Si and Ti-Si-N coatings by condensation of filtered vacuum-arc plasma Синтез Ti-Si- та Tі-Si-N–покриттів конденсацією фільтрованої вакуумно-дугової плазми Синтез Ti-Si- и Ti-Si-N-покрытий конденсацией фильтрованной вакуумно-дуговой плазмы Article published earlier |
| spellingShingle | Synthesis of Ti-Si and Ti-Si-N coatings by condensation of filtered vacuum-arc plasma Aksyonov, D.S. Aksenov, I.I. Luchaninov, A.A. Reshetnyak, E.N. Strel’nitskij, V.E. Физика и технология конструкционных материалов |
| title | Synthesis of Ti-Si and Ti-Si-N coatings by condensation of filtered vacuum-arc plasma |
| title_alt | Синтез Ti-Si- та Tі-Si-N–покриттів конденсацією фільтрованої вакуумно-дугової плазми Синтез Ti-Si- и Ti-Si-N-покрытий конденсацией фильтрованной вакуумно-дуговой плазмы |
| title_full | Synthesis of Ti-Si and Ti-Si-N coatings by condensation of filtered vacuum-arc plasma |
| title_fullStr | Synthesis of Ti-Si and Ti-Si-N coatings by condensation of filtered vacuum-arc plasma |
| title_full_unstemmed | Synthesis of Ti-Si and Ti-Si-N coatings by condensation of filtered vacuum-arc plasma |
| title_short | Synthesis of Ti-Si and Ti-Si-N coatings by condensation of filtered vacuum-arc plasma |
| title_sort | synthesis of ti-si and ti-si-n coatings by condensation of filtered vacuum-arc plasma |
| topic | Физика и технология конструкционных материалов |
| topic_facet | Физика и технология конструкционных материалов |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/90791 |
| work_keys_str_mv | AT aksyonovds synthesisoftisiandtisincoatingsbycondensationoffilteredvacuumarcplasma AT aksenovii synthesisoftisiandtisincoatingsbycondensationoffilteredvacuumarcplasma AT luchaninovaa synthesisoftisiandtisincoatingsbycondensationoffilteredvacuumarcplasma AT reshetnyaken synthesisoftisiandtisincoatingsbycondensationoffilteredvacuumarcplasma AT strelnitskijve synthesisoftisiandtisincoatingsbycondensationoffilteredvacuumarcplasma AT aksyonovds sinteztisitatísinpokrittívkondensacíêûfílʹtrovanoívakuumnodugovoíplazmi AT aksenovii sinteztisitatísinpokrittívkondensacíêûfílʹtrovanoívakuumnodugovoíplazmi AT luchaninovaa sinteztisitatísinpokrittívkondensacíêûfílʹtrovanoívakuumnodugovoíplazmi AT reshetnyaken sinteztisitatísinpokrittívkondensacíêûfílʹtrovanoívakuumnodugovoíplazmi AT strelnitskijve sinteztisitatísinpokrittívkondensacíêûfílʹtrovanoívakuumnodugovoíplazmi AT aksyonovds sinteztisiitisinpokrytiikondensacieifilʹtrovannoivakuumnodugovoiplazmy AT aksenovii sinteztisiitisinpokrytiikondensacieifilʹtrovannoivakuumnodugovoiplazmy AT luchaninovaa sinteztisiitisinpokrytiikondensacieifilʹtrovannoivakuumnodugovoiplazmy AT reshetnyaken sinteztisiitisinpokrytiikondensacieifilʹtrovannoivakuumnodugovoiplazmy AT strelnitskijve sinteztisiitisinpokrytiikondensacieifilʹtrovannoivakuumnodugovoiplazmy |