Modification of optical properties of tungsten exposed to low-energy, high flux deuterium plasma ions
Anomalous change of optical properties of recrystallized W caused by exposure to D plasma ions at sample
 temperature of ~535 K was studied by ellipsometry and reflectometry. There is a qualitative difference between the
 samples reflectivity values measured directly and calculated u...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Вопросы атомной науки и техники |
|---|---|
| Дата: | 2011 |
| Автори: | , , , , , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2011
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/91070 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Modification of optical properties of tungsten exposed to low-energy, high flux deuterium plasma ions / V.Kh. Alimov, A.I. Belyaeva, A.A. Galuza, K. Isobe, V.G. Konovalov, A.A. Savchenko, K.A. Slatin, S.I. Solodovchenko, V.S. Voitsenya, T. Yamanishi // Вопросы атомной науки и техники. — 2011. — № 1. — С. 179-181. — Бібліогр.: 13 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Резюме: | Anomalous change of optical properties of recrystallized W caused by exposure to D plasma ions at sample
temperature of ~535 K was studied by ellipsometry and reflectometry. There is a qualitative difference between the
samples reflectivity values measured directly and calculated using ellipsometric data. A physical model of the
phenomenon is suggested. It is shown that on the W surface exposed at ~535 К two processes take place 1) blistering
and 2) modification of electron structure in the upper-most layer.
Методами еліпсометрії та рефлектометрії виявлено аномальне змінення оптичних властивостей
рекристалізованого W внаслідок бомбардування іонами D при температурі ~535 К. Існує принципова різниця
між значеннями коефіцієнту відбиття, що отримано рефлектометрією та розраховано за даними еліпсометрії.
Запропоновано фізичну модель виявленого ефекту. Показано, що на поверхні W, що опромінено при 535 К,
мають місце два процеси: 1) блістерінг и 2) модифікація електронної структури поверхневого шару.
Методами эллипсометрии и рефлектометрии обнаружено аномальное изменение оптических свойств
рекристаллизованного W в результате бомбардировки ионами D при температуре ~535 К. Имеет место
принципиальное отличие между значениями коэффициента отражения, измеренными рефлектометрией и
рассчитанными по данным эллипсометрии. Предложена физическая модель обнаруженного эффекта. Показано,
что на поверхности W, облученного при 535 К, имеют место два процесса: 1) блистеринг и 2) модификация
электронной структуры поверхностного слоя.
|
|---|---|
| ISSN: | 1562-6016 |