Плавление кремния при вертикальной индукционной бестигельной зонной плавке
Рассмотрены условия плавления исходного кристалла кремния при вертикальной индукционной бестигельной зонной плавке. Установлено, что для обеспечения стекания расплава необходимо значительно увеличить радиус площади контакта капли при минимальной толщине слоя расплава на поверхности плавления. Опреде...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Современная электрометаллургия |
|---|---|
| Дата: | 2006 |
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Інститут електрозварювання ім. Є.О. Патона НАН України
2006
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/95291 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Плавление кремния при вертикальной индукционной бестигельной зонной плавке / И.Ф. Червоный, Е.Я. Швец, С.Г. Егоров // Современная электрометаллургия. — 2006. — № 3 (84). — С. 27-29. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Резюме: | Рассмотрены условия плавления исходного кристалла кремния при вертикальной индукционной бестигельной зонной плавке. Установлено, что для обеспечения стекания расплава необходимо значительно увеличить радиус площади контакта капли при минимальной толщине слоя расплава на поверхности плавления. Определены оптимальные режимы плавления для эффективного стекания расплава, образовавшегося на части поверхности исходного кристалла, в общую зону.
Conditions of melting initial crystal of silicon in vertical induction crucible-free zonal melting are considered. It was established that to provide the molten metal flowing out, it is necessary to increase significantly the radius of drop contact area at minimum thickness of melt layer at the surface of melting. Optimum conditions of melting are defined for effective flowing out of molten metal, formed at the part of surface of initial crystal, into the common zone.
|
|---|---|
| ISSN: | 0233-7681 |