Плавление кремния при вертикальной индукционной бестигельной зонной плавке

Рассмотрены условия плавления исходного кристалла кремния при вертикальной индукционной бестигельной зонной плавке. Установлено, что для обеспечения стекания расплава необходимо значительно увеличить радиус площади контакта капли при минимальной толщине слоя расплава на поверхности плавления. Опреде...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Современная электрометаллургия
Date:2006
Main Authors: Червоный, И.Ф., Швец, Е.Я., Егоров, С.Г.
Format: Article
Language:Russian
Published: Інститут електрозварювання ім. Є.О. Патона НАН України 2006
Subjects:
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/95291
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Плавление кремния при вертикальной индукционной бестигельной зонной плавке / И.Ф. Червоный, Е.Я. Швец, С.Г. Егоров // Современная электрометаллургия. — 2006. — № 3 (84). — С. 27-29. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Description
Summary:Рассмотрены условия плавления исходного кристалла кремния при вертикальной индукционной бестигельной зонной плавке. Установлено, что для обеспечения стекания расплава необходимо значительно увеличить радиус площади контакта капли при минимальной толщине слоя расплава на поверхности плавления. Определены оптимальные режимы плавления для эффективного стекания расплава, образовавшегося на части поверхности исходного кристалла, в общую зону. Conditions of melting initial crystal of silicon in vertical induction crucible-free zonal melting are considered. It was established that to provide the molten metal flowing out, it is necessary to increase significantly the radius of drop contact area at minimum thickness of melt layer at the surface of melting. Optimum conditions of melting are defined for effective flowing out of molten metal, formed at the part of surface of initial crystal, into the common zone.
ISSN:0233-7681