Распределение кислорода в монокристаллах кремния и его влияние на время жизни неравновесных носителей заряда

Исследовано влияние фоновой примеси кислорода и суммарной концентрации примесей на время жизни неравновесных носителей заряда (ННЗ) в монокристаллах кремния, выращенных методом Чохральского и предназначенных для использования в солнечной энергетике. Рассмотрен вопрос распределения концентрации кисло...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Современная электрометаллургия
Дата:2007
Автори: Червоный, И.Ф., Швец, Е.Я., Воляр, Р.Н., Голев, А.С.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Інститут електрозварювання ім. Є.О. Патона НАН України 2007
Теми:
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/95518
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Распределение кислорода в монокристаллах кремния и его влияние на время жизни неравновесных носителей заряда / И.Ф. Червоный, Е.Я. Швец, Р.Н. Воляр, А.С. Голев // Современная электрометаллургия. — 2007. — № 1 (86). — С. 21-24. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Опис
Резюме:Исследовано влияние фоновой примеси кислорода и суммарной концентрации примесей на время жизни неравновесных носителей заряда (ННЗ) в монокристаллах кремния, выращенных методом Чохральского и предназначенных для использования в солнечной энергетике. Рассмотрен вопрос распределения концентрации кислорода и времени жизни ННЗ по длине монокристалла. The effect of background impurity of oxygen and total concentration of impurities on life of non-equilibrium carriers of charge (NCC) in silicon single crystals grown by the method of Czochralski and designed for use in solar power engineering was studied. Problem of distribution of oxygen concentration and NCC life in the single crystal length was studied.
ISSN:0233-7681