Распределение кислорода в монокристаллах кремния и его влияние на время жизни неравновесных носителей заряда
Исследовано влияние фоновой примеси кислорода и суммарной концентрации примесей на время жизни неравновесных носителей заряда (ННЗ) в монокристаллах кремния, выращенных методом Чохральского и предназначенных для использования в солнечной энергетике. Рассмотрен вопрос распределения концентрации кисло...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Современная электрометаллургия |
|---|---|
| Datum: | 2007 |
| ISSN: | 0233-7681 |
| Hauptverfasser: | , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут електрозварювання ім. Є.О. Патона НАН України
2007
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/95518 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Распределение кислорода в монокристаллах кремния и его влияние на время жизни неравновесных носителей заряда / И.Ф. Червоный, Е.Я. Швец, Р.Н. Воляр, А.С. Голев // Современная электрометаллургия. — 2007. — № 1 (86). — С. 21-24. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Zusammenfassung: | Исследовано влияние фоновой примеси кислорода и суммарной концентрации примесей на время жизни неравновесных носителей заряда (ННЗ) в монокристаллах кремния, выращенных методом Чохральского и предназначенных для использования в солнечной энергетике. Рассмотрен вопрос распределения концентрации кислорода и времени жизни ННЗ по длине монокристалла.
The effect of background impurity of oxygen and total concentration of impurities on life of non-equilibrium carriers of charge (NCC) in silicon single crystals grown by the method of Czochralski and designed for use in solar power engineering was studied. Problem of distribution of oxygen concentration and NCC life in the single crystal length was studied.
|
|---|---|
| ISSN: | 0233-7681 |