Математическая модель влияния поля индуктора на коэффициент распределения примеси в кремнии
Исследован процесс выращивания монокристаллов кремния способом индукционной бестигельной зонной плавки с применением подогревающего индуктора. При помощи математического моделирования установлены параметры электромагнитного поля подогревающего индуктора и определены условия, при которых электромагни...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Современная электрометаллургия |
|---|---|
| Datum: | 2009 |
| Hauptverfasser: | , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут електрозварювання ім. Є.О. Патона НАН України
2009
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/96009 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Математическая модель влияния поля индуктора на коэффициент распределения примеси в кремнии / С.Г. Егоров, И.Ф. Червоный, Р.Н. Воляр // Современная электрометаллургия. — 2009. — № 3 (96). — С. 36-39. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862742613956755456 |
|---|---|
| author | Егоров, С.Г. Червоный, И.Ф. Воляр, Р.Н. |
| author_facet | Егоров, С.Г. Червоный, И.Ф. Воляр, Р.Н. |
| citation_txt | Математическая модель влияния поля индуктора на коэффициент распределения примеси в кремнии / С.Г. Егоров, И.Ф. Червоный, Р.Н. Воляр // Современная электрометаллургия. — 2009. — № 3 (96). — С. 36-39. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Современная электрометаллургия |
| description | Исследован процесс выращивания монокристаллов кремния способом индукционной бестигельной зонной плавки с применением подогревающего индуктора. При помощи математического моделирования установлены параметры электромагнитного поля подогревающего индуктора и определены условия, при которых электромагнитное поле подогревающего индуктора оказывает влияние на условия выращивания монокристаллов.
Process of growing single crystals of silicon by the method of induction crucible-free zonal melting with use of preheating inductor was investigated. Using the mathematical modeling, the parameters of electromagnetic field of phreheating inductor were established and conditions, at which the electromagnetic field of preheating inductor has an influence on the conditions of single crystal growing, were defined.
|
| first_indexed | 2025-12-07T20:26:04Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-96009 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 0233-7681 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T20:26:04Z |
| publishDate | 2009 |
| publisher | Інститут електрозварювання ім. Є.О. Патона НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Егоров, С.Г. Червоный, И.Ф. Воляр, Р.Н. 2016-03-08T20:58:02Z 2016-03-08T20:58:02Z 2009 Математическая модель влияния поля индуктора на коэффициент распределения примеси в кремнии / С.Г. Егоров, И.Ф. Червоный, Р.Н. Воляр // Современная электрометаллургия. — 2009. — № 3 (96). — С. 36-39. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. 0233-7681 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/96009 669.187.58 Исследован процесс выращивания монокристаллов кремния способом индукционной бестигельной зонной плавки с применением подогревающего индуктора. При помощи математического моделирования установлены параметры электромагнитного поля подогревающего индуктора и определены условия, при которых электромагнитное поле подогревающего индуктора оказывает влияние на условия выращивания монокристаллов. Process of growing single crystals of silicon by the method of induction crucible-free zonal melting with use of preheating inductor was investigated. Using the mathematical modeling, the parameters of electromagnetic field of phreheating inductor were established and conditions, at which the electromagnetic field of preheating inductor has an influence on the conditions of single crystal growing, were defined. ru Інститут електрозварювання ім. Є.О. Патона НАН України Современная электрометаллургия Вакуумно-индукционная плавка Математическая модель влияния поля индуктора на коэффициент распределения примеси в кремнии Mathematical model of inductor field effect on coefficient of impurity distribution in silicon Article published earlier |
| spellingShingle | Математическая модель влияния поля индуктора на коэффициент распределения примеси в кремнии Егоров, С.Г. Червоный, И.Ф. Воляр, Р.Н. Вакуумно-индукционная плавка |
| title | Математическая модель влияния поля индуктора на коэффициент распределения примеси в кремнии |
| title_alt | Mathematical model of inductor field effect on coefficient of impurity distribution in silicon |
| title_full | Математическая модель влияния поля индуктора на коэффициент распределения примеси в кремнии |
| title_fullStr | Математическая модель влияния поля индуктора на коэффициент распределения примеси в кремнии |
| title_full_unstemmed | Математическая модель влияния поля индуктора на коэффициент распределения примеси в кремнии |
| title_short | Математическая модель влияния поля индуктора на коэффициент распределения примеси в кремнии |
| title_sort | математическая модель влияния поля индуктора на коэффициент распределения примеси в кремнии |
| topic | Вакуумно-индукционная плавка |
| topic_facet | Вакуумно-индукционная плавка |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/96009 |
| work_keys_str_mv | AT egorovsg matematičeskaâmodelʹvliâniâpolâinduktoranakoéfficientraspredeleniâprimesivkremnii AT červonyiif matematičeskaâmodelʹvliâniâpolâinduktoranakoéfficientraspredeleniâprimesivkremnii AT volârrn matematičeskaâmodelʹvliâniâpolâinduktoranakoéfficientraspredeleniâprimesivkremnii AT egorovsg mathematicalmodelofinductorfieldeffectoncoefficientofimpuritydistributioninsilicon AT červonyiif mathematicalmodelofinductorfieldeffectoncoefficientofimpuritydistributioninsilicon AT volârrn mathematicalmodelofinductorfieldeffectoncoefficientofimpuritydistributioninsilicon |