Рафинирование монокристаллов кремния при выращивании их способом электронно-лучевой бестигельной зонной плавки

Приведены экспериментальные и расчетные данные о рафинировании монокристаллов кремния при выращивании их способом электронно-лучевой бестигельной зонной плавки (ЭЛБЗП). Показано, что с помощью ЭЛБЗП удается снизить концентрацию кислорода на два порядка, фосфора – на полтора, по сравнению с исходным...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Современная электрометаллургия
Date:2011
ISSN:0233-7681
Main Authors: Аснис, Е.А., Лесной, А.Б., Пискун, Н.В.
Format: Article
Language:Russian
Published: Інститут електрозварювання ім. Є.О. Патона НАН України 2011
Subjects:
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/96264
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Рафинирование монокристаллов кремния при выращивании их способом электронно-лучевой бестигельной зонной плавки / Е.А. Аснис, А.Б. Лесной, Н.В. Пискун // Современная электрометаллургия. — 2011. — № 3 (104). — С. 17-20. — Бібліогр.: 4 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Description
Summary:Приведены экспериментальные и расчетные данные о рафинировании монокристаллов кремния при выращивании их способом электронно-лучевой бестигельной зонной плавки (ЭЛБЗП). Показано, что с помощью ЭЛБЗП удается снизить концентрацию кислорода на два порядка, фосфора – на полтора, по сравнению с исходным материалом, полученным по методу Чохральского. С помощью вычислительного эксперимента исследованы закономерности формирования концентрационного состояния получаемого монокристалла. Показано, что основными факторами, определяющими показатели рафинирования, являются процессы испарения и дегазации в вакуум. Experimental and design data about refining of silicon single crystals in their growing by the method of electron beam crucibleless zonal melting are presented. It is shown that with use of this method it is possible to reduce the oxygen concentration by two orders, phosphorus - by one and a half orders as compared with that of an initial material, produced by the Czochralski method. Using the computational experiment the regularities of formation of concentrated state of single crystal being produced were investigated. It is shown that the main factors determining the refining characteristics are the processes of evaporation and degassing in vacuum.
ISSN:0233-7681