Рафинирование монокристаллов кремния при выращивании их способом электронно-лучевой бестигельной зонной плавки
Приведены экспериментальные и расчетные данные о рафинировании монокристаллов кремния при выращивании их способом электронно-лучевой бестигельной зонной плавки (ЭЛБЗП). Показано, что с помощью ЭЛБЗП удается снизить концентрацию кислорода на два порядка, фосфора – на полтора, по сравнению с исходным...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Современная электрометаллургия |
|---|---|
| Datum: | 2011 |
| Hauptverfasser: | , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут електрозварювання ім. Є.О. Патона НАН України
2011
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/96264 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Рафинирование монокристаллов кремния при выращивании их способом электронно-лучевой бестигельной зонной плавки / Е.А. Аснис, А.Б. Лесной, Н.В. Пискун // Современная электрометаллургия. — 2011. — № 3 (104). — С. 17-20. — Бібліогр.: 4 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862752830274666496 |
|---|---|
| author | Аснис, Е.А. Лесной, А.Б. Пискун, Н.В. |
| author_facet | Аснис, Е.А. Лесной, А.Б. Пискун, Н.В. |
| citation_txt | Рафинирование монокристаллов кремния при выращивании их способом электронно-лучевой бестигельной зонной плавки / Е.А. Аснис, А.Б. Лесной, Н.В. Пискун // Современная электрометаллургия. — 2011. — № 3 (104). — С. 17-20. — Бібліогр.: 4 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Современная электрометаллургия |
| description | Приведены экспериментальные и расчетные данные о рафинировании монокристаллов кремния при выращивании их способом электронно-лучевой бестигельной зонной плавки (ЭЛБЗП). Показано, что с помощью ЭЛБЗП удается снизить концентрацию кислорода на два порядка, фосфора – на полтора, по сравнению с исходным материалом, полученным по методу Чохральского. С помощью вычислительного эксперимента исследованы закономерности формирования концентрационного состояния получаемого монокристалла. Показано, что основными факторами, определяющими показатели рафинирования, являются процессы испарения и дегазации в вакуум.
Experimental and design data about refining of silicon single crystals in their growing by the method of electron beam crucibleless zonal melting are presented. It is shown that with use of this method it is possible to reduce the oxygen concentration by two orders, phosphorus - by one and a half orders as compared with that of an initial material, produced by the Czochralski method. Using the computational experiment the regularities of formation of concentrated state of single crystal being produced were investigated. It is shown that the main factors determining the refining characteristics are the processes of evaporation and degassing in vacuum.
|
| first_indexed | 2025-12-07T21:18:27Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-96264 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 0233-7681 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T21:18:27Z |
| publishDate | 2011 |
| publisher | Інститут електрозварювання ім. Є.О. Патона НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Аснис, Е.А. Лесной, А.Б. Пискун, Н.В. 2016-03-13T15:20:31Z 2016-03-13T15:20:31Z 2011 Рафинирование монокристаллов кремния при выращивании их способом электронно-лучевой бестигельной зонной плавки / Е.А. Аснис, А.Б. Лесной, Н.В. Пискун // Современная электрометаллургия. — 2011. — № 3 (104). — С. 17-20. — Бібліогр.: 4 назв. — рос. 0233-7681 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/96264 669.187.826 Приведены экспериментальные и расчетные данные о рафинировании монокристаллов кремния при выращивании их способом электронно-лучевой бестигельной зонной плавки (ЭЛБЗП). Показано, что с помощью ЭЛБЗП удается снизить концентрацию кислорода на два порядка, фосфора – на полтора, по сравнению с исходным материалом, полученным по методу Чохральского. С помощью вычислительного эксперимента исследованы закономерности формирования концентрационного состояния получаемого монокристалла. Показано, что основными факторами, определяющими показатели рафинирования, являются процессы испарения и дегазации в вакуум. Experimental and design data about refining of silicon single crystals in their growing by the method of electron beam crucibleless zonal melting are presented. It is shown that with use of this method it is possible to reduce the oxygen concentration by two orders, phosphorus - by one and a half orders as compared with that of an initial material, produced by the Czochralski method. Using the computational experiment the regularities of formation of concentrated state of single crystal being produced were investigated. It is shown that the main factors determining the refining characteristics are the processes of evaporation and degassing in vacuum. ru Інститут електрозварювання ім. Є.О. Патона НАН України Современная электрометаллургия Электронно-лучевые процессы Рафинирование монокристаллов кремния при выращивании их способом электронно-лучевой бестигельной зонной плавки Refining of silicon single crystals in their growing by the method of electron beam crucibleless zonal melting Article published earlier |
| spellingShingle | Рафинирование монокристаллов кремния при выращивании их способом электронно-лучевой бестигельной зонной плавки Аснис, Е.А. Лесной, А.Б. Пискун, Н.В. Электронно-лучевые процессы |
| title | Рафинирование монокристаллов кремния при выращивании их способом электронно-лучевой бестигельной зонной плавки |
| title_alt | Refining of silicon single crystals in their growing by the method of electron beam crucibleless zonal melting |
| title_full | Рафинирование монокристаллов кремния при выращивании их способом электронно-лучевой бестигельной зонной плавки |
| title_fullStr | Рафинирование монокристаллов кремния при выращивании их способом электронно-лучевой бестигельной зонной плавки |
| title_full_unstemmed | Рафинирование монокристаллов кремния при выращивании их способом электронно-лучевой бестигельной зонной плавки |
| title_short | Рафинирование монокристаллов кремния при выращивании их способом электронно-лучевой бестигельной зонной плавки |
| title_sort | рафинирование монокристаллов кремния при выращивании их способом электронно-лучевой бестигельной зонной плавки |
| topic | Электронно-лучевые процессы |
| topic_facet | Электронно-лучевые процессы |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/96264 |
| work_keys_str_mv | AT asnisea rafinirovaniemonokristallovkremniâprivyraŝivaniiihsposobomélektronnolučevoibestigelʹnoizonnoiplavki AT lesnoiab rafinirovaniemonokristallovkremniâprivyraŝivaniiihsposobomélektronnolučevoibestigelʹnoizonnoiplavki AT piskunnv rafinirovaniemonokristallovkremniâprivyraŝivaniiihsposobomélektronnolučevoibestigelʹnoizonnoiplavki AT asnisea refiningofsiliconsinglecrystalsintheirgrowingbythemethodofelectronbeamcruciblelesszonalmelting AT lesnoiab refiningofsiliconsinglecrystalsintheirgrowingbythemethodofelectronbeamcruciblelesszonalmelting AT piskunnv refiningofsiliconsinglecrystalsintheirgrowingbythemethodofelectronbeamcruciblelesszonalmelting |