Получение высокоомного кремния с повышенной радиационной стойкостью: критерии и условия

• Veröffentlicht in: Вопросы атомной науки и техники
• Datum: 2009
• Hauptverfasser: Гайдар, Г.П., Долголенко, А.П., Литовченко, П.Г.
• Format: Artikel
• Sprache: Russian
• Veröffentlicht: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2009
• Schlagworte: Физика радиационных и ионно-плазменных технологий
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/96388
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Получение высокоомного кремния с повышенной радиационной стойкостью: критерии и условия / Г.П. Гайдар, А.П. Долголенко, П.Г. Литовченко // Вопросы атомной науки и техники. — 2009. — № 4. — С. 263-269. — Бібліогр.: 16 назв. — рос.

Вводится критерий радиационной стойкости кремния n-типа проводимости. Предлагаются условия облучения и рассматриваются способы получения материала, обладающего повышенной радиационной стойкостью. Показана возможность кластеризации дефектов в кремнии как при облучении высокоэнергетическими протонами, так и при отжиге кластеров дефектов в определенном интервале температур. Обсуждаются перспективы создания сверхрешетки вакансионных пор в кремнии. Уведено критерій радіаційної стійкості кремнію n-типу провідності. Запропоновано умови опромінення та розглянуто способи отримання матеріалу, який має підвищену радіаційну стійкість. Показано можливість кластеризації дефектів у кремнії як при опроміненні високоенергетичними протонами, так і при відпалі кластерів дефектів у певному інтервалі температур. Обговорено перспективи створення надґратки вакансійних пор у кремнії. The criterion of radiation hardness for n-type silicon is determined. The irradiation conditions are proposed and the methods to obtain the material with improved radiation hardness are discussed. It is shown the possibility of clusterization of defects in silicon both under the irradiation by the high energy protons and during the annealing of defect clusters in the specific temperature interval. The perspective for the formation of superlattice of vacancy pores in silicon is considered.